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本发明提供一种干式蚀刻方法，其特征在于，使包含氟化氢及含氟羧酸的混合气体于小于100℃且无等离子体地与氮化硅接触，蚀刻所述氮化硅。所述含氟羧酸的量优选为所述氟化氢与所述含氟羧的合计量的0.01体积％以上。作为所述含氟羧酸，可列举单氟乙酸、二...
该专利属于中央硝子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过中央硝子株式会社授权不得商用。

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