【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】自等离子体腔体的污染抑制装置
本专利技术涉及一种为生产半导体而在基板上形成薄膜的沉积相关技术，尤其涉及一种通过抑制自等离子体腔体的污染来提高测量的可靠性的技术，其中，所述自等离子体腔体用于监测在工艺腔体中进行的沉积作业。
技术介绍
随着电器、电子部件的小型化、高集成化，正在积极地研究通过反复执行在包括半导体晶圆或液晶基板的各种基板的上层形成半导体、金属、氧化物等薄膜并部分蚀刻该薄膜等的工艺来制造高集成元件的技术。作为形成这种薄膜的工艺有多种物理化学沉积法，其中已知的多种沉积方法包括溅射沉积法(sputtering)、脉冲激光沉积法(PLD)、金属有机沉积法(MOD)、有机金属化学气相沉积法(MOCVD)、化学气相沉积法(CVD)、等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)、原子层沉积法(ALD)等。使用于沉积工艺中的等离子体装置必须包括形成有用于薄膜沉积的反应空间的工艺腔体(Processchamber)，通常工艺腔体保持真空状态，在其内部设置有用于薄膜沉积的基板和目标物质。另外，在所述半导体薄膜沉积工...
【技术保护点】
1.一种自等离子体腔体的污染抑制装置，所述自等离子体腔体为了分析工艺腔体中产生的气体成分而连接在从所述工艺腔体的排气管分支的分支管，其特征在于，/n设置有屏蔽装置，其能够防止所述自等离子体腔体中产生的等离子体的阳电荷碰撞到接地电极并受溅射现象而产生的接地电极物质流入放电腔体，并且与所述接地电极相邻地设置。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170914 KR 10-2017-01179001.一种自等离子体腔体的污染抑制装置，所述自等离子体腔体为了分析工艺腔体中产生的气体成分而连接在从所述工艺腔体的排气管分支的分支管，其特征在于，
设置有屏蔽装置，其能够防止所述自等离子体腔体中产生的等离子体的阳电荷碰撞到接地电极并受溅射现象而产生的接地电极物质流入放电腔体，并且与所述接地电极相邻地设置。
2.根据权利要求1所述的自等离子体腔体的污染抑制装置，其特征在于，
所述自等离子体腔体包括：
连接器，其连接在所述分支管，并且一端形成有凸缘以连接在所述分支管；
非金属性材质的所述放电腔体，其连接在所述连接器的另一端；
窗口，其设置在所述放电腔体的末端；
等离子体产生模块，用于在所述放电腔体的内部产生等离子体。
3.根据权利要求2所述的自等离子体腔体的污染抑制装置，其特征在于，
所述屏蔽装置为非金属性材质的屏蔽环，其与结合有所述放电腔体的所述连接器的端部相邻且以向所述放电腔体的内部凸出的形态设置。
4.根据权利要求3所述的自等离子体腔体的污染抑制装置，其特征在于，
所述屏蔽环形成为圆形，并且形成有与所述放电腔体形成同心轴的贯通口。
5.根据权利要求4所述的自等离子体腔体的污染抑制装置，其特征在于，
所述屏蔽环由一个屏蔽环形成，或者由两个以上的屏蔽环连续地形成。
6.根据权利要求5所述的自等离子体腔体的污染抑制装置，其特征在于，
所述屏蔽环由所述贯通口的直径不同的多个屏蔽环形成。
7.根据权利要求6所述的自等离子体腔体的污染抑制装置，其特征在于，
所述屏蔽环由所述贯通口的直径不同的多个所述屏蔽环以隔开距离连续形成为一体形态，或者所述贯通口的直径不同的个别的屏蔽环以隔开距离安装。
8.根据权利要求2所述的自等离子体腔体的污染抑制装置，其特征在于，
所述放电腔体包括：
第一放电区域，其与所述连接器连...
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