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自等离子体腔体的污染抑制装置制造方法及图纸
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下载自等离子体腔体的污染抑制装置的技术资料
文档序号:24505964
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本发明涉及一种通过抑制用于监测在工艺腔体中进行的沉积作业而设置的自等离子体腔体的污染来提高测量可靠性的技术,该装置的特征在于,设置有屏蔽装置,其能够防止所述自等离子体腔体中产生的等离子体的阳电荷碰撞到阴电极并受溅射现象而产生的阴电极物质流入...
该专利属于纳诺泰科有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过纳诺泰科有限公司授权不得商用。
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