【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】隔热用的多变构件密度
本公开的实施例涉及其中为了进行热管理而使构件的密度变化的系统。
技术介绍
半导体装置的制作涉及多个离散且复杂的工艺。可使用工件处理系统来执行这些工艺。例如,此种工件处理系统可为束线离子植入系统或等离子处理腔室。在某些实施例中,工件处理系统中的构件的温度与所执行的工艺高度相关。举例来说,馈入气体可在离子源中被离子化,并经由设置在抽取板上的抽取开孔被抽取。此种抽取板可由金属制成。如果抽取板在抽取开孔附近的温度足够低,则馈入气体可能在抽取板上接近抽取开孔处冷凝。此种冷凝的馈入气体变为抽取板上的沉积物。如果沉积是沿着形成抽取开孔的壁而发生,则所抽取的离子束可被部分地阻挡,从而使得工艺不均匀。尽管将因冷凝而在抽取开孔周围发生沉积阐述为问题,然而工件处理系统中的其他构件可具有类似的温度敏感性。举例来说,在某些实施例中,将构件或构件的特定部分保持高于某一温度可为有益的。相反地,将第二构件或所述构件的一部分保持低于某一温度可为有利的。一种热管理方法是通过使构件的不同部分中的材料量变化。对于给定材 ...
【技术保护点】
1.一种离子植入系统,包括至少一个构件,所述至少一个构件包括高密度区及低密度区,所述高密度区及所述低密度区被配置成控制热梯度及热能流。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171103 US 15/803,3341.一种离子植入系统,包括至少一个构件,所述至少一个构件包括高密度区及低密度区,所述高密度区及所述低密度区被配置成控制热梯度及热能流。
2.根据权利要求1所述的离子植入系统,所述至少一个构件是抽取板。
3.根据权利要求1所述的离子植入系统,所述低密度区的内部部分包括格构图案和/或通过使形成所述至少一个构件所使用的至少一个运行参数变化而形成的空隙。
4.一种设备,包括:
多个壁,界定腔室;
离子源,用以在所述腔室内形成离子;以及
抽取板,设置在所述腔室的一个端部上,具有抽取开孔,其中所述抽取板包括低密度区及高密度区。
5.根据权利要求4所述的设备,环绕所述抽取开孔的区构成所述高密度区。
6.根据权利要求5所述的设备,所述抽取板的剩余部分构成所述低密度区。
7.根据权利要求5所述的设备,所述抽取板进一步包括第二高密度区及高密度通道,所述高密度通道连接所述高密...
【专利技术属性】
技术研发人员:亚当·M·麦劳克林,奎格·R·钱尼,
申请(专利权)人:瓦里安半导体设备公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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