电解电容器模块、滤波电路和电力变换器制造技术

技术编号:24505958 阅读:86 留言:0更新日期:2020-06-13 08:05
具备在电极箔形成有蚀刻坑的至少两个电解电容器(4‑1、4‑2),将使该蚀刻坑长度不同的至少两种电解电容器(4‑1、4‑2)并联连接,该设置数相同或不同。电解电容器(4‑1、4‑2)是使蚀刻坑长度为27[μm]以下的电解电容器、或使蚀刻坑长度超过27[μm]的电解电容器中的任一种。由此,使电解电容器所具有的高频区域的性能提高,抑制高频区域中的电容降低率,同时增大高频区域中的纹波电流耐量。

Electrolytic capacitor module, filter circuit and power converter

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电解电容器模块、滤波电路和电力变换器
本专利技术的技术涉及由蚀刻坑长度不同的电极箔特定的电解电容器的模块化和电路技术。
技术介绍
在直流、交流的电力变换中使用逆变器或变换器等通过切换来进行电力变换的电力变换器。该电力变换器中使用具备电容器的滤波器,以去除在切换中产生的高频分量。关于该滤波器中使用的电容器,已知将高频损耗大的大容量电容器和高频损耗小的小容量电容器并联化来使用(专利文献1)。但是,该专利文献1中仅记载了铝电解电容器的损耗大,并未提及在专利文献1中记载的电容器的并联化中使用电解电容器。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2015-204721号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题顺便提及,作为具有宽带隙的半导体材料,已知SiC、GaN等。并且,作为使用这种半导体材料的下一代功率器件,MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(InsulatedGateBip本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电解电容器模块,其是使蚀刻坑长度不同的至少两种电解电容器并联连接成的。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171122 JP 2017-2248891.一种电解电容器模块,其是使蚀刻坑长度不同的至少两种电解电容器并联连接成的。


2.如权利要求1所述的电解电容器模块,其中,所述电解电容器是使蚀刻坑长度为27[μm]以下的电解电容器或使蚀刻坑长度超过27[μm]的电解电容器中的任一种。


3.一种滤波电路,其包含电解电容器模块,该电解电容器模块是使蚀刻坑长度不同的至少两种电解电容器并联连接成的。
...

【专利技术属性】
技术研发人员:吉田敦
申请(专利权)人:日本贵弥功株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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