包含聚合物和陶瓷冷烧结材料的基板制造技术

所公开的各实施例涉及基板。该基板包含冷烧结混合材料。冷烧结混合材料包含聚合物组分和陶瓷组分。该基板还包含至少部分包埋在冷烧结混合材料中的导体。该基板还包含附接至导体的通孔。冷烧结混合材料的相对密度为约80％至约99％。

Substrates containing polymer and ceramic cold sintered materials

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含聚合物和陶瓷冷烧结材料的基板相关申请的交叉引用本申请要求2017年8月25日提交的专利技术名称为“SUBSTRATEINCLUDINGPOLYMERANDCERAMICCOLD-SINTEREDMATERIAL”的美国临时专利申请第62/550417号的优先权权益；所述临时专利申请的公开内容通过引用并入本文。
技术介绍
高频陶瓷介电基板可能受限于容易调节电性能的能力(例如，具有合适的介电常数、具有谐振频率或电容率的平坦温度系数)。此外，高频陶瓷介电基板可能缺乏高机械稳定性(抗裂性)和高导热性。
技术实现思路
根据本公开，已经通过冷烧结工艺(CSP)开发了陶瓷/聚合物复合材料，作为用于解决上述问题的电子应用中的高频装置基板的基板。复合基板可以是单层结构(例如，金属、绝缘体、金属和/或金属、绝缘体)或分层结构(例如，包含多层金属、绝缘体、彼此堆叠的金属或彼此堆叠的绝缘体)。所述基板可作为低温共烧陶瓷(LTCC)装置工作。由于集成了电阻、电感、电容、有源元件、介电谐振器等，LTCC装置可以具有多种功能。根据各种实例，所公开的陶瓷/聚本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板，其包含：/n冷烧结混合材料，其包含：/n聚合物组分；和/n陶瓷组分；/n至少部分包埋在所述冷烧结混合材料中的导体；和/n附接至所述导体的通孔，/n其中所述冷烧结混合材料的相对密度为约80％至约99％。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170825 US 62/550,4171.一种基板，其包含：
冷烧结混合材料，其包含：
聚合物组分；和
陶瓷组分；
至少部分包埋在所述冷烧结混合材料中的导体；和
附接至所述导体的通孔，
其中所述冷烧结混合材料的相对密度为约80％至约99％。


2.根据权利要求1所述的基板，其中所述聚合物组分选自聚酰亚胺、聚酰胺、聚酯、聚氨酯、聚砜、聚酮、聚缩甲醛、聚碳酸酯、聚醚、聚苯醚、聚醚酰亚胺、玻璃化转变温度大于200℃的聚合物、其共聚物或其混合物。


3.根据权利要求1或2中任一项所述的基板，其中所述聚合物组分选自支链聚合物、聚合物共混物、共聚物、无规共聚物、嵌段共聚物、交联聚合物、交联聚合物与非交联聚合物的共混物、大环、超分子结构、聚合物离聚物、动态交联聚合物、液晶聚合物、溶胶-凝胶或其混合物。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板，其中所述聚合物组分为所述冷烧结混合材料的约5重量％至约60重量％。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板，其中所述聚合物组分为所述冷烧结混合材料的约20重量％至约40重量％。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板，其中所述陶瓷组分包含一种或多于一种陶瓷颗粒。


7.根据权利要求6所述的基板，其中所述一种或多于一种陶瓷颗粒成型为球体、晶须、棒、纤丝、纤维或片。


8.根据权利要求6或7中任一项所述的基板，其中所述一种或多于一种陶瓷颗粒选自氧化物、氟化物、氯化物、碘化物、碳酸盐、磷酸盐、玻璃、钒酸盐、钨酸盐、钼酸盐、碲酸盐、硼酸盐或其混合物。


9.根据权利要求6至8中任一项所述的基板，其中所述一种或多于一种陶瓷颗粒选自BaTiO3、Mo2O3、WO3、V2O3、V2O5、ZnO、Bi2O3、CsBr、Li2CO3、CsSO4、LiVO3、Na2Mo2O7、K2Mo2O7、ZnMoO4、Li2MoO4、Na2WO4、K2WO4、Gd2(MoO4)3、Bi2VO4、AgVO3、Na2ZrO3、LiFeP2O4、LiCoP2O4、KH2PO4、Ge(PO4)3、Al2O3、MgO、CaO、ZrO2、ZnO–B2O3–SiO2、PbO–B2O3–SiO2、3ZnO–2B2O3、SiO2、27B2O3–35Bi2O3–6SiO2–32ZnO、Bi24Si2O40、BiVO4、Mg3(VO4)2、Ba2V2O7、Sr2V2O7、Ca2V2O7、Mg2V2O7、Zn2V2O7、Ba3TiV4O15、Ba3ZrV4O15、NaCa2Mg2V3O12、LiMg4V3O12、Ca5Zn4(VO4)6、LiMgVO4、LiZnVO4、BaV2O6、Ba3V4O13、Na2BiMg2V3O12、CaV2O6、Li2WO4、LiBiW2O8、Li2Mn2W3O12、Li2Zn2W3O12、PbO–WO3、Bi2O3–4MoO3、Bi2Mo3O12、Bi2O-2.2MoO3、Bi2Mo2O9、Bi2MoO6、1.3Bi2O3–MoO3、3Bi2O3–2MoO3、7Bi2O3–MoO3、Li2Mo4O13、Li3BiMo3O12、Li8Bi2Mo7O28、Li2O–Bi2O3–MoO3、Na2MoO4、Na6MoO11O36、TiTe3O8、TiTeO3、CaTe2O5、SeTe2O5、BaO–TeO2、BaTeO3、Ba2TeO5、BaTe4O9、Li3AlB2O6、Bi6B10O24、Bi4B2O9、或其混合物。


10.根据权利要求1至9中任一项所述的基板，其中所述陶瓷组分为所述冷烧结混合材料的约50重量％至约95重量％。


11.根据权利要求1至10中任一项所述的基板，其中所述基板包含多个所述冷烧结混合材料层。


12.根据权利要求1至11中任一项所述的基板，其中相对密度为约90％至约95％。


13.一种制备基板的方法，所述方法包括：
将第一量的混合物沉积在第一背衬层上，所述混合物包含：
聚合物组分；
陶瓷组分；和
黏合剂；
至少部分地干燥所述第一量的混合物以在所述第一背衬层上形成至少部分干燥的第一量的混合物；
移除所述第一背衬层；
在所述至少部分干燥的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：尼尔·普法伊芬贝格尔，托马斯·L·埃文斯，克莱夫·兰德尔，郭晶，
申请(专利权)人：沙特基础工业全球技术公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL