【技术实现步骤摘要】
一种高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷及其制备方法
本专利技术涉及一种反铁电陶瓷及其制备方法，更具体地，涉及一种高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷及其制备方法。
技术介绍
高储能密度陶瓷是制作高储能电介质电容器的关键材料之一，高储能密度陶瓷的能量存储密度和储能效率决定了电容器的能量存储密度和储能效率，进而决定了电容器在混合动力电动车辆、医疗设备、脉冲功率系统等工业领域的应用潜力。目前储能介电陶瓷材料主要有线性陶瓷、铁电陶瓷以及反铁电陶瓷三类，其中反铁电陶瓷具有双电滞回线，并且在外加电场超过相变电场后，反铁电陶瓷的极化强度会突增，且反铁电陶瓷理论上剩余极化为零，具有良好的储能效率；AN基AgNbO3陶瓷材料以较低的烧结温度和优异的反铁电性逐渐成为了近年来备受瞩目的新型无铅介电材料，然而，纯AN陶瓷的储能密度较低，目前一般是通过掺杂改性来提高AN基陶瓷的反铁电性，进而提高储能性能，例如，在Nb所在的B位单独掺杂Ta5+，就可以提高AN体系的反铁电性，增大储能，AgNb0.9Ta0.1O3陶瓷的储能密度可达3.3J/cm3。在Ag所在的A位和...
【技术保护点】
1.一种高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷，其特征在于，所述无铅反铁电陶瓷化学式为Ag
【技术特征摘要】
1.一种高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷，其特征在于，所述无铅反铁电陶瓷化学式为Ag1-3xLaxNb0.9Ta0.1O3，其中x为摩尔百分比，x的取值满足电中性。
2.根据权利要求1所述的高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷，其特征在于，所述x的取值为：0<x≤0.04。
3.根据权利要求2所述的高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷，其特征在于，所述无铅反铁电陶瓷储能密度为3.6J/cm3～4.6J/cm3，储能效率为56％～65％。
4.一种权利要求1所述的高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)按化学式Ag1-3xLaxNb0.9Ta0.1O3中的计量比称取原料，将原料进行球磨混合、烘干、过筛、压片，再将原料预烧结4～6小时，得到粗坯；
(2)将粗坯研碎，再进行二次球磨、烘干、过筛、造粒、单轴压制成型后，进行冷等静压制成型，得到素坯；
(3)将素坯排胶后进行烧结，得到陶瓷片；
(4)将陶瓷片打磨、抛光为陶瓷薄片，刷上银电极后，再进行煅烧、冷却。
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【专利技术属性】
技术研发人员：郭艳艳，范庆宇，张瑾，赵江，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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