【技术实现步骤摘要】
电路结构
本技术涉及一种电路结构,其具有电容器。电容器在功率电子器件中主要使用在变流器的中间电压电路中或者用作滤波电容器。在两种情况下既需要电容器的尽可能低电感的结构也需要每个电容器的低电感的连接技术。
技术介绍
DE102015105347A1公开了一种装置,该装置构造有直流电压母线结构和功率半导体构件,其中,功率半导体构件具有分别带有接触区段的、面式构造的第一和第二直流电压联接导体,其中,直流电压联接导体在其到相应的接触区段的走向中具有第一宽度和第一横截面积并且在该走向中在其各自的那里的法向矢量的方向上彼此紧密相邻地布置,并且其中,直流电压联接导体沿电流方向在侧向在相应的接触区段旁具有夹紧区段,其中,直流电压母线结构具有分别带有接触区段的第一和第二部分母线,其中,部分母线在它们到相应的接触区段的走向中具有第一宽度和第一横截面积,并且在该走向中在其各自的那里的法向矢量的方向上彼此紧密相邻布置,并且其中,部分母线沿电流方向在侧向在相应的接触区段旁具有夹紧区段。至少一个直流电压联接导体的接触区段符合极性地与相关的部分母线的接触区段以如下方式电连接,即,直流电压联接导体的夹紧区段与部分母线的夹紧区段上下叠置、力锁合地(kraftschlüssig)相互连接并且因此相应的接触区段直接面式地上下相叠。DE102012202765B3公开了一种具有电路结构的半导体模块。该半导体模块包括衬底和电容器,其中,衬底包括绝缘元件和布置在该绝缘体上的导电的结构化的线路层,其中,第一和第二半导体开关以及第一和第二二极管布置在结构化 ...
【技术保护点】
1.电路结构(1),所述电路结构包括:/n衬底,所述衬底构造有第一直流电压导体迹线和第二直流电压导体迹线,以进行电互连;以及/n连接装置,其中,所述连接装置具有至少一个导电的膜,其中,所述连接装置与所述衬底导电连接;以及/n电容器(3),所述电容器具有联接装置(5),以进行联接,其中,所述联接装置(5)具有面式构造的第一直流电压联接导体和面式构造的第二直流电压联接导体(5a、5b),所述第一直流电压联接导体和所述第二直流电压联接导体彼此平行地从所述电容器(3)出来并且在随后的进一步的走向中彼此平行布置,并且其中,所述联接装置(5)和所述连接装置在接触区域(15)中彼此导电地按压接触,其中,所述第一直流电压联接导体和所述第二直流电压联接导体(5a、5b)与所述第一直流电压导体迹线和所述第二直流电压导体迹线通过所述连接装置分别极性正确地导电连接。/n
【技术特征摘要】
20180427 DE 202018102388.81.电路结构(1),所述电路结构包括:
衬底,所述衬底构造有第一直流电压导体迹线和第二直流电压导体迹线,以进行电互连;以及
连接装置,其中,所述连接装置具有至少一个导电的膜,其中,所述连接装置与所述衬底导电连接;以及
电容器(3),所述电容器具有联接装置(5),以进行联接,其中,所述联接装置(5)具有面式构造的第一直流电压联接导体和面式构造的第二直流电压联接导体(5a、5b),所述第一直流电压联接导体和所述第二直流电压联接导体彼此平行地从所述电容器(3)出来并且在随后的进一步的走向中彼此平行布置,并且其中,所述联接装置(5)和所述连接装置在接触区域(15)中彼此导电地按压接触,其中,所述第一直流电压联接导体和所述第二直流电压联接导体(5a、5b)与所述第一直流电压导体迹线和所述第二直流电压导体迹线通过所述连接装置分别极性正确地导电连接。
2.按照权利要求1所述的电路结构(1),其特征在于,所述电路结构(1)具有带第一分按压体(16)和第二分按压体(20)的压力产生装置,其中,所述联接装置(5)和所述连接装置在所述接触区域(15)中布置在所述第一分按压体(16)与所述第二分按压体(20)之间,并且所述第一分按压体(16)压向所述第二分按压体(20)并且由此导致所述连接装置与所述联接装置(5)的导电的按压接触。
3.按照权利要求2所述的电路结构(1),其特征在于,在所述第一分按压体(16)与所述连接装置之间布置有弹性元件(19)。
4.按照权利要求2或3所述的电路结构(1),其特征在于,所述第一分按压体(16)具有金属嵌体(17)。
5.按照权利要求2或3所述的电路结构(1),其特征在于,所述第一直流电压联接导体和所述第二直流电压联接导体(5a、5b)在运行中具有第一电位和第二电位,其中,所述连接装置具有导电的第一膜(11)和导电的第二膜(12)以及布置在它们之间的不导电的绝缘膜(13),其中,所述连接装置在所述接触区域(15)中布置在所述第一直流电压联接导体与所述第二直流电压联接导体(5a、5b)之间,以构造出所述连接装置与所述第一直流电压联接导体和所述第二直流电压联接导体(5a、5b)的导电连接,其中,所述连接装置以及所述第一直流电压联接导体和所述第二直流电压联接导体(5a、5b)在所述接触区域(15)中布置在所述第一分按压体(16)与所述第二分按压体(20)之间。
6.按照权利要求5所述的电路结构(1),其特征在于,所述衬底布置在底板(10)上,其中,所述第二分按压体(20)通过所述底板(10)来构造,或者其中,所述第二分按压体(20)构造出壳体的至少一部分。
7.按照权利要求6所述的电路结构(1),其特征在于,所述第二分按压体(20)通过从所述底板(10)朝着所述第一分按压体(16)的方向突出的突出部(21)来构造。
8.按照权利要求6所述的电路结构...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗兰·比特纳,尼古拉斯·布拉尼,于尔根·斯蒂格,亚历山大·魏纳,
申请(专利权)人:赛米控电子股份有限公司,
类型:新型
国别省市:德国;DE
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