发光元件制造技术

提供一种发光元件。发光元件包括：基板，具有第一面以及与所述第一面对向的第二面；发光结构物，布置在基板的第一面上；以及第一光阻断膜，在基板的第二面上，暴露布置有所述发光结构物的发光区域的至少一部分，基板的第二面具有与发光区域至少一部分重叠的凹凸面。

Light emitting element

【技术实现步骤摘要】
发光元件
本技术涉及发光元件，更详细地，涉及包括多个发光部的发光元件。
技术介绍
发光二极管作为无机光源，被多样地用于诸如显示装置、车辆用灯具、一般照明等多种领域。发光二极管具有寿命长、功耗低且响应速度快的优点，因此正快速地替代现有光源。近来，由于发光二极管变得轻薄小型化而应用于诸如移动电话的各种显示装置的背光源，因此出现了诸如相邻发光单元之间产生颜色混合等问题。
技术实现思路
本技术所要解决的课题在于提供一种提高了光效率及光提取的发光元件。本技术所要解决的课题并不局限于以上提到的课题，未提到的其他课题能够通过下文的记载而被本领域技术人员明确地理解。为了实现期望解决的一课题，根据本技术的实施例的发光元件可以包括：基板，具有第一面以及与所述第一面对向的第二面；发光结构物，布置在所述基板的第一面上；以及第一光阻断膜，在所述基板的第二面上，暴露布置有所述发光结构物的发光区域的至少一部分，所述基板的第二面具有至少一部分与所述发光区域重叠的凹凸面。根据实施例，所述基板的所述凹凸面区间的厚度可以小于除所述凹凸面以外的区间的厚度。根据实施例，所述基板的第二面还可以包括通过所述凹凸面而形成的侧壁，所述第一光阻断膜向所述基板的侧壁延伸而覆盖所述凹凸面的端部，从而定义所述发光结构物的光提取面。根据实施例，所述光提取面可以具有小于所述凹凸面的宽度，并且具有小于所述发光区域的宽度。根据实施例，所述凹凸面可以包括多个凹凸，所述光提取面的凹凸和被所述第一光阻断膜覆盖的凹凸的粗糙度彼此不同。根据实施例，所述第一光阻断膜可以沿所述基板的侧壁而形成为同一宽度。根据实施例，所述基板的侧壁可以倾斜地形成，所述第一光阻断膜在所述基板的第二面具有向所述基板的内部逐渐变小的宽度，并且具有垂直的侧面。根据实施例，所述凹凸面布置在所述发光区域内，并且可以具有小于所述发光区域的宽度。根据实施例，所述凹凸面覆盖所述发光区域，并且可以具有等于或者大于所述发光区域的宽度。根据实施例，所述发光元件还可以包括：第二光阻断膜，在所述基板的第一面围绕所述发光结构物的外侧。根据实施例，所述基板的第一面在所述发光区域可以具有凸起部，在所述发光区域以外的区域具有凹陷部。根据实施例，所述发光元件还可以包括：第二光阻断膜，填充所述凹陷部并且围绕所述发光结构物的外侧。根据实施例，在所述基板的第一面填充所述凹陷部的所述第二光阻断膜部分可以和在所述基板的第二面覆盖所述凹凸面的端部的所述第一光阻断膜部分重叠。根据实施例，所述凹凸面可以包括多个第一孔，所述第一孔至少形成在与所述发光区域对应的区域。根据实施例，所述第一光阻断膜可以向所述基板的第二面延伸以填充所述第一孔并覆盖所述发光区域的至少一部分，从而定义所述发光结构物的光提取面。根据实施例，所述光提取面可以具有小于所述发光区域的宽度。根据实施例，形成在所述光提取面的第一孔可以被空气填充。根据实施例，形成在所述光提取面的第一孔可以被所述第一光阻断膜填充。根据实施例，所述发光元件还可以包括：第二光阻断膜，在所述基板的第一面上围绕所述发光结构物的外侧。根据实施例，在所述基板的第一面可以包括多个第二孔，所述第二光阻断膜填充所述第二孔的至少一部分。其他实施例的具体内容包括于详细说明和附图。根据本技术的实施例的发光元件，可以通过第一光阻断膜和第二光阻断膜防止从相邻的发光结构物产生的光混合而提高色彩再现性。并且，可以通过在基板仅使形成凹凸面的区间的厚度变薄，其他区间则维持基板的厚度，从而使基板支撑多个发光结构物，并且在外部冲击下也不会损伤。可以通过凹凸面而使从发光结构物产生的光被散射而提高光效率。并且，可以通过使光阻断膜覆盖凹凸面的端部，从而定义光提取面以提高发光元件的明暗比。附图说明图1a和图1b是用于说明根据本技术的一实施例的发光元件的平面图。图1c、图1d以及图1e是将图1a沿A-A'截取的剖面图。图2a是用于说明根据本技术的另一实施例的发光元件的平面图。图2b是将图2a沿A-A'截取的剖面图。图3a是用于说明根据本技术的一实施例的发光元件的剖面图。图3b是将图3a的发光元件沿A-A'和B-B'截取的剖面图。图4a、图4b、图5a以及图5b是用于说明根据本技术的一实施例的凹凸面和第二光阻断膜的结构的剖面图。图6a是用于说明根据本技术的另一实施例的发光元件的平面图。图6b是将图6a的发光元件沿A-A'截取的剖面图。图7a是用于说明根据本技术的又一实施例的发光元件的平面图。图7b和图7c是将图7a的发光元件沿A-A'截取的剖面图。图8a和图8b是放大图6b的发光元件的B的图。图9至图13是用于说明根据本技术的一实施例的发光元件的制造方法的剖面图。具体实施方式为了充分理解本技术的构成及效果，参照附图对本技术的优选实施例进行说明。然而，本技术并不局限于以下公开的实施例，可以实现为多种形态，并且能够进行多样的变更。并且，在本技术的实施例中使用的术语除非被另外定义，否则可以被解释为对相应
中具有通常知识的人员通常已知的含义。以下参照附图详细说明根据本技术的实施例的发光元件。图1a和图1b是用于说明根据本技术的一实施例的发光元件的平面图，图1c、图1d以及图1e是将图1a沿A-A'截取的剖面图。图2a是用于说明根据本技术的另一实施例的发光元件的平面图，图2b是将图2a沿A-A'截取的剖面图。图3a是用于说明根据本技术的一实施例的发光元件的剖面图，图3b是将图3a的发光元件沿A-A'和B-B'截取的剖面图。图4a、图4b、图5a以及图5b是用于说明根据本技术的一实施例的凹凸面和第二光阻断膜的结构的剖面图。参照图1a、图1b、图1c、图1d、图1e、图2a、图2b、图3a以及图3b，发光元件可以包括：基板100；以及发光结构物LED，包括层叠在基板100上的第一发光部LE1、第二发光部LE2以及第三发光部LE3。此外，图1a是从第三发光部LE3观察的平面图，图1b是从基板100方向观察的平面图。图2a是从基板100方向观察的平面图。图3a和图3b是更详细地示出一发光元件的图。基板100作为能够使氮化镓类半导体层生长的基板，可以包括蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铝(AlN)、氧化镓(Ga2O3)或硅。并且，基板100可以是被图案化(patterned)的蓝宝石基板。根据一实施例，基板100可以包括使可见光透过的物质。基板100可以包括：第一面SF1；以及第二面SF2，与第一面SF1对向。多个发光结构物LED可以彼此相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，包括：/n基板，具有第一面以及与所述第一面对向的第二面；/n发光结构物，布置在所述基板的第一面上；以及/n第一光阻断膜，在所述基板的第二面上，暴露布置有所述发光结构物的发光区域的至少一部分，/n所述基板的第二面具有至少一部分与所述发光区域重叠的凹凸面。/n

【技术特征摘要】
20181107 US 62/756,935;20191104 US 16/672,6761.一种发光元件，其特征在于，包括：
基板，具有第一面以及与所述第一面对向的第二面；
发光结构物，布置在所述基板的第一面上；以及
第一光阻断膜，在所述基板的第二面上，暴露布置有所述发光结构物的发光区域的至少一部分，
所述基板的第二面具有至少一部分与所述发光区域重叠的凹凸面。


2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述基板的所述凹凸面区间的厚度小于除所述凹凸面以外的区间的厚度。


3.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述基板的第二面还包括通过所述凹凸面而形成的侧壁，
所述第一光阻断膜向所述基板的侧壁延伸而覆盖所述凹凸面的端部，从而定义所述发光结构物的光提取面。


4.如权利要求3所述的发光元件，其特征在于，
所述光提取面具有小于所述凹凸面的宽度，并且具有小于所述发光区域的宽度。


5.如权利要求3所述的发光元件，其特征在于，
所述凹凸面包括多个凹凸，
所述光提取面的凹凸和被所述第一光阻断膜覆盖的凹凸的粗糙度彼此不同。


6.如权利要求3所述的发光元件，其特征在于，
所述第一光阻断膜沿所述基板的侧壁而形成为同一宽度。


7.如权利要求3所述的发光元件，其特征在于，
所述基板的侧壁倾斜地形成，
所述第一光阻断膜在所述基板的第二面具有向所述基板的内部逐渐变小的宽度，并且具有垂直的侧面。


8.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述凹凸面布置在所述发光区域内，并且具有小于所述发光区域的宽度。


9.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述凹凸面覆盖所述发光区...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贞勳，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国;KR