【技术实现步骤摘要】
光波导结构
本专利技术涉及一种光学结构,且特别是涉及一种光波导结构。
技术介绍
硅光子技术是未来降低高速计算机和数据中心耗电量的关键技术。硅光子芯片的光信号需要传导至光纤达到双向信号传导的目的,而如何克服硅波导和光纤间巨大的尺寸差异以及实现高密度通道数且同时光耦合对准,需要平面单模光波导排线高超的桥接设计。常见光纤的外径约为125微米,而硅波导的宽度约小于0.5微米,如果硅波导以光纤间距对准将会占用大量的芯片面积,损失数倍以上的输出端与输入端数量。因此,平面单模光波导排线为了同时连接高密度的硅波导通道与低密度的光纤排线,可以有扇形布线提供桥接。此平面单模光波导排线若是柔性可弯曲,则可以提供多种类型的对位封装选择,从而降低芯片封装成本。有机光波导材料则为柔性可弯曲光波导排线的制造提供可能的解决方案。在制造上,平面单模光波导排线必须提供与光纤和硅波导的对位封装结构设计。光纤端是通过精密制造的光纤连接头对准封装,而硅波导端的对位封装方法至今仍然是全球硅光子科研或相关企业的研究重点。技术困难点在于硅波导的尺寸和平面光波导通道 ...
【技术保护点】
1.一种光波导结构,其特征在于,包括:/n底层;/n中间波导层,配置于该底层上;以及/n上包覆层,配置于该中间波导层上,且覆盖该中间波导层,其中该中间波导层的折射率大于该底层的折射率,且大于该上包覆层的折射率,该光波导结构具有第一末端区与第二末端区,在该第一末端区中的该中间波导层具有宽度随着靠近该第二末端区而递减的第一末端,在该第二末端区中的该上包覆层具有宽度随着远离该第一末端区而递减的第二末端。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20181204 TW 1071434101.一种光波导结构,其特征在于,包括:
底层;
中间波导层,配置于该底层上;以及
上包覆层,配置于该中间波导层上,且覆盖该中间波导层,其中该中间波导层的折射率大于该底层的折射率,且大于该上包覆层的折射率,该光波导结构具有第一末端区与第二末端区,在该第一末端区中的该中间波导层具有宽度随着靠近该第二末端区而递减的第一末端,在该第二末端区中的该上包覆层具有宽度随着远离该第一末端区而递减的第二末端。
2.如权利要求1所述的光波导结构,其中该第一末端区与该第二末端区之间存在间距。
3.如权利要求2所述的光波导结构,其中该间距落在0.1微米至200微米的范围内。
4.如权利要求1所述的光波导结构,其中该底层为基板或配置于基板上的光波导层。
5.如权利要求1所述的光波导结构,其中该中间波导层的材料包括硅或硅的化合物。
技术研发人员:李文钦,李明昌,
申请(专利权)人:财团法人工业技术研究院,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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