一种适用于浪涌抑制芯片的输出检测电路制造技术

本发明专利技术公开一种适用于浪涌抑制芯片的输出检测电路，属于电子技术领域。所述适用于浪涌抑制芯片的输出检测电路包括电阻R1～R9、R12～R16、三极管Q1～Q9、Q14～Q18、电容C1、二极管D1和锁存比较器；能够在无需厚栅氧器件的情况下，利用施加在三极管发射极与基极间的压差实现了对输入端VIN电压V

An output detection circuit for surge suppression chip

【技术实现步骤摘要】
一种适用于浪涌抑制芯片的输出检测电路
本专利技术属于电子
，涉及模拟集成电路，特别涉及一种适用于浪涌抑制芯片的输出检测电路。
技术介绍
随着半导体集成电路工艺水平的飞速发展，各种电子设备实现过程中均需考虑浪涌抑制现象。尤其考虑开关电源芯片架构的实现特性，输出滤波电容为其输入端不可缺少的元件。开关电源对上级输入表现为容性阻抗特性，因而在其启动瞬间将存在浪涌电流现象，此时产生的电流值远大于额定工作限流值。启动瞬间浪涌电流的产生，使得在选型电源保护器件时需预留足够的余量和响应时间，否则电源输入部分器件会因过大的浪涌电流而提前老化，甚至立刻损坏。与过大浪涌电流同时存在的还有浪涌电压，其同样会造成开关电源输入端器件的老化以及失效，因此在各种军用直流供电使用场合中，依据环境适应性规定要求对直流设备电源其需具备大于50ms/80V的高压浪涌耐压特性。浪涌抑制芯片具有结构简单、响应速度快和损耗低等特点，依据不同应用条件，浪涌抑制芯片的工作电压范围可在几伏至上百伏之间波动。为使芯片工作状态可控，浪涌抑制芯片需增加输出检测功能，用于判断芯片输出状态是否正常。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于浪涌抑制芯片的输出检测电路，其特征在于，包括电阻R1～R9、R12～R16、三极管Q1～Q9、Q14～Q18、电容C1、二极管D1和锁存比较器；/n电阻R1第一端接输入端VIN，第二端短接三极管Q1发射极；电阻R2第一端接三极管Q2发射极，第二端接三极管Q3集电极；电阻R3第一端接三极管Q3发射极，第二端接GND；/n电阻R4第一端接三极管Q4集电极，第二端接三极管Q5发射极；电阻R5第一端接三极管Q5集电极，第二端接电阻R6第一端；电阻R6第一端接三极管Q6基极，第二端接三极管Q6集电极；/n电阻R7第一端接输出端OUT，第二端接三极管Q7发射极；电阻R8第一端接三极管Q7集电...

【技术特征摘要】
1.一种适用于浪涌抑制芯片的输出检测电路，其特征在于，包括电阻R1～R9、R12～R16、三极管Q1～Q9、Q14～Q18、电容C1、二极管D1和锁存比较器；
电阻R1第一端接输入端VIN，第二端短接三极管Q1发射极；电阻R2第一端接三极管Q2发射极，第二端接三极管Q3集电极；电阻R3第一端接三极管Q3发射极，第二端接GND；
电阻R4第一端接三极管Q4集电极，第二端接三极管Q5发射极；电阻R5第一端接三极管Q5集电极，第二端接电阻R6第一端；电阻R6第一端接三极管Q6基极，第二端接三极管Q6集电极；
电阻R7第一端接输出端OUT，第二端接三极管Q7发射极；电阻R8第一端接三极管Q7集电极，第二端接三极管Q8集电极；
电阻R12第一端接三极管Q14发射极，第二端接GND；电阻R13第一端接三极管Q14集电极，第二端接三极管Q16基极；电阻R14第一端接电容C1第一端，第二端接GND；电阻R15第一端接三极管Q4集电极，第二端接三极管Q17集电极；电阻R16第一端接三极管Q18基极，第二端接GND。


2.如权利要求1所述的适用于浪涌抑制芯片的输出检测电路，其特征在于，所述锁存比较器包括三极管Q10～Q13和电阻R10、R11；
电阻R10第一端接三极管Q11基极，第二端接三极管Q13集电极；
电阻R11第一端接三极管Q11集电极，第二端接三极管Q13基极；
三极管Q11集电极接三极管Q10集电极，三极管Q13集电极接三极管Q12集电极；
三极管Q11发射极和三极管Q...

【专利技术属性】
技术研发人员：奚冬杰，徐晴昊，李现坤，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32