【技术实现步骤摘要】
吸光分析装置
本专利技术涉及一种基于吸光度对分析对象气体进行分析的吸光分析装置。
技术介绍
在半导体的制造工艺中,对半导体基板(硅晶片)表面进行各种微细加工和/或处理。此时,使用蚀刻气体、外延生长用的反应气体、CVD(化学气相沉积)用的反应气体等各种工艺气体。已知如果这些工艺气体中含有水分,则工艺气体与水分、或基板表面与水分发生反应而生成不需要的副产物,其结果制造的半导体的成品率显著下降。因此,如专利文献1所示,在从作为真空容器的腔室排出各种气体的排气流路中的一部分设置作为光学单元的吸光分析装置,对排出气体中包含的气体的水分含量、应从腔室内排除的杂质等进行监测。然而,这样的吸光分析装置仅对从腔室排出的气体进行监测,因此,即使吸光分析装置未检测出杂质,也有可能在腔室内残留非常少量的杂质。此外,在想要基于吸光度来判定是否存在上述那样的非常少量的杂质的情况下,如果水分凝结于构成例如光学单元的窗口材料,则有可能产生测定误差,并产生错误判定。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特 ...
【技术保护点】
1.一种吸光分析装置,其特征在于,具备:/n光射出模块,以遮盖流入或产生分析对象气体的容器的第一开口的方式安装,并将光向所述容器内射出;以及/n光检测模块,检测从所述光射出模块射出并通过了所述容器内的光,/n所述光射出模块具备:/n底座凸缘,在所述容器的外表面安装于所述第一开口的周围;/n窗口材料,其外侧面相对于与所述容器内接触的内侧面倾斜预定角度;/n密封部件,被夹在所述底座凸缘与所述窗口材料的内侧面之间;以及/n按压体,具备固定于所述底座凸缘的固定面和将所述窗口材料的外侧面向所述底座凸缘侧按压的倾斜面。/n
【技术特征摘要】
20181205 JP 2018-2278881.一种吸光分析装置,其特征在于,具备:
光射出模块,以遮盖流入或产生分析对象气体的容器的第一开口的方式安装,并将光向所述容器内射出;以及
光检测模块,检测从所述光射出模块射出并通过了所述容器内的光,
所述光射出模块具备:
底座凸缘,在所述容器的外表面安装于所述第一开口的周围;
窗口材料,其外侧面相对于与所述容器内接触的内侧面倾斜预定角度;
密封部件,被夹在所述底座凸缘与所述窗口材料的内侧面之间;以及
按压体,具备固定于所述底座凸缘的固定面和将所述窗口材料的外侧面向所述底座凸缘侧按压的倾斜面。
2.根据权利要求1所述的吸光分析装置,其特征在于,在所述按压体的固定面固定于所述底座凸缘的状态下,所述窗口材料挤压所述密封部件,并且所述窗口材料的内侧面与所述底座凸缘分离。
3.根据权利要求2所述的吸光分析装置,其特征在于,
所述底座凸缘具备:
贯通孔,供所述按压体的一部分和所述窗口材料配置在其内部;
支撑部,从所述贯通孔的内周面向内侧突出,支撑所述密封部件;以及
安装面,安装所述按压体的固定面,
在所述按压体的固定面固定于所述底座凸缘的安装面的状态下,所述窗口材料与所述贯通孔的内周面和所述支撑部分离。
4.根据权利要求1所述的吸光分析装置,其特征在于,所述光射出模块还具备设置于所述窗口材料的侧面的...
【专利技术属性】
技术研发人员:波田美那子,林大介,
申请(专利权)人:株式会社堀场STEC,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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