一种半导体的涂布设备及涂布方法技术

一种半导体的涂布设备及涂布方法，半导体的涂布方法包括：将晶圆放置于涂布平台；将旋涂材料提供至所述晶圆表面，使所述晶圆在第一涂布阶段内旋转，第一涂布阶段的时间为不少于2s；使所述晶圆在第二涂布阶段内继续旋转，第二涂布阶段的时间为不大于30s；及使所述晶圆在第三涂布阶段内继续旋转至涂布完毕；其中，所述第二涂布阶段的转速为1000rpm‑2500rpm。

A coating equipment and coating method of semiconductor

【技术实现步骤摘要】
一种半导体的涂布设备及涂布方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及半导体的涂布设备及涂布方法。
技术介绍
在半导体制程中，包括在晶圆上形成微米厚度等级的薄膜层，通常采取的方式是利用涂布机以旋转离心的方式将液态旋涂材料，例如光阻剂，均匀地在晶片表面上形成薄膜层。图1示出了一种现有的涂布机，其包括用于放置并旋转晶圆100的涂布平台1和用来将旋涂溶液提供至晶圆表面的流体供应系统2。涂布时，将旋涂溶液经由流体供应系统倒到晶圆表面中心位置，并旋转涂布平台，旋涂溶液通过旋转产生的离心力均匀涂布在晶圆表面形成薄膜层。然而，旋转过程中，由于粘合力的作用，旋涂溶液容易积累在晶圆100的最外缘(晶边)，随着积累厚度的逐渐增大，最终会在晶圆的最外缘形成脊状的凸起200，即为晶边悬突效应。在后续的抛光过程中，这些凸起会首先接触抛光垫，而被切断，导致晶圆表面的断裂处出现划痕，由此影响产品的良率。因此，如何对现有的涂布设备进行改进，以提高晶圆厚度的均匀性和表面平整度，提高产品的良率，实为半导体制造领域亟待解决的问题。专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体的涂布方法，其特征在于，包括：/n将晶圆放置于涂布平台；/n将旋涂材料提供至所述晶圆表面，使所述晶圆在第一涂布阶段内旋转，第一涂布阶段的时间为不少于2s；/n使所述晶圆在第二涂布阶段内继续旋转，第二涂布阶段的时间为不大于30s；及/n使所述晶圆在第三涂布阶段内继续旋转至涂布完毕；/n其中，所述第二涂布阶段的转速为1000rpm-2500rpm。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体的涂布方法，其特征在于，包括：
将晶圆放置于涂布平台；
将旋涂材料提供至所述晶圆表面，使所述晶圆在第一涂布阶段内旋转，第一涂布阶段的时间为不少于2s；
使所述晶圆在第二涂布阶段内继续旋转，第二涂布阶段的时间为不大于30s；及
使所述晶圆在第三涂布阶段内继续旋转至涂布完毕；
其中，所述第二涂布阶段的转速为1000rpm-2500rpm。


2.如权利要求1所述的半导体涂布方法，其特征在于，晶圆在所述第一涂布阶段的转速为大于0rpm且小于1800rpm。


3.如权利要求2所述的半导体涂布方法，其特征在于，所述第一涂布阶段包括加速阶段和减速阶段，所述加速阶段的转速V1的范围为0rpm＜V1≤1800rpm，所述减速阶段的转速V2的范围为1000rpm≤V2＜V1。


4.如权利要求1所述的半导体涂布方法，其特征在于，所述第二涂布阶段包括匀速阶段和加速阶段，所述匀速阶段的时间25s～28s，所述加速阶段的时间为2-5s。


5.如权利要求4所述的半导体涂布方法，其特征在于，所述匀速阶段转速V3不小于1000rpm，所述加速阶段的最大转速V4不大于2000rpm。


6.如权利要求1所述的半导体涂布方法，其特征在于，所述第二涂布阶段包括加速阶段、匀速阶段以及减速阶段，所述加速阶段持续时间为2-3s，所述匀速阶段持续时间为25-26s，所述减速阶段持续时间为1-3s。


7.如权利要求6所述的半导体涂布方法，其特征在于，所述加速阶段包括第一加速期、第二加速期以及衔...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴天成，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34