体声波谐振器模块制造技术

本发明专利技术提供一种体声波谐振器模块，所述体声波谐振器模块包括：模块基板；体声波谐振器，利用连接端子连接到所述模块基板，并且设置为与所述模块基板间隔开；以及密封部，对所述体声波谐振器进行密封。所述体声波谐振器包括设置在所述模块基板的上表面对面的谐振部。在所述谐振部与所述模块基板的所述上表面之间设置有空间。

Bulk acoustic resonator module

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器模块本申请要求分别于2018年11月30日和2019年4月10日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0152385号和第10-2019-0042081号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
以下描述涉及一种体声波谐振器模块。
技术介绍
近来，随着移动通信装置、化学装置和生物装置等的快速发展，对于在这样的装置中使用的小且轻量的滤波器、振荡器、谐振元件和声波谐振质量传感器等的需求正在增长。这种声波谐振器可被构造为用于实现这种小且轻量的滤波器、振荡器、谐振元件、声波谐振质量传感器等的装置，并且可实现为薄膜体声波谐振器(FBAR)。FBAR可以以最少的成本批量生产并且可被构造为具有超小尺寸。此外，FBAR可实现高品质因数(QF)值(QF值是滤波器的主要特性)，并且FBAR可甚至用于微波频带中。例如，FBAR可用于个人通信系统(PCS)的频带和数字无线系统(DCS)的频带中。一般而言，FBAR具有包括通过将第一电极、压电体和第二电极依次堆叠在基板上形成的谐振部的结构。FBAR的操作原理如下。首先，当电能被施加到第一电极和第二电极以在压电层中产生电场时，该电场在压电层中引起压电现象，使得谐振部振动预定距离。结果，在振动和谐振发生所沿的同一方向上产生体声波。也就是说，FBAR是使用体声波(BAW)的元件，且压电体的有效机电耦合系数(kt2)增大，使得声波元件的频率特性被改善且还可能获得宽的带宽。专利
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍，并且下面在具体实施方式中进一步描述所述构思。本
技术实现思路
既不意在限定所要求保护的主题的主要特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。在一个总体方面，一种体声波谐振器模块包括：模块基板；体声波谐振器，利用连接端子连接到所述模块基板，并且设置为与所述模块基板间隔开；以及密封部，对所述体声波谐振器进行密封。所述体声波谐振器包括设置在所述模块基板的上表面对面的谐振部。在所述谐振部与所述模块基板的所述上表面之间设置有空间。所述体声波谐振器还可包括：谐振器基板；绝缘层，设置在所述谐振器基板的表面上；膜层，与所述绝缘层一起形成腔，所述谐振部设置在所述腔上，并且所述谐振部包括以堆叠构造布置的第一电极、压电层和第二电极；保护层，设置在所述谐振部中的所述第一电极、所述压电层和所述第二电极上；以及疏水层，设置在所述保护层上。所述疏水层与水的接触角度可以是90°或更大。所述疏水层可包括氟(F)和硅(Si)中的任意一种或两种。所述疏水层可围绕所述腔和所述膜层。所述保护层可包括第一保护层和第二保护层，所述第一保护层利用二氧化硅基绝缘材料或氮化硅基绝缘材料形成，所述第二保护层利用氧化铝基绝缘材料、氮化铝基绝缘材料、氧化镁基绝缘材料、氧化钛基绝缘材料、氧化锆基绝缘材料和氧化锌基绝缘材料中的任意一种形成。所述体声波谐振器与所述模块基板之间的距离可以是10μm至30μm。在所述模块基板的所述上表面中可形成有沟槽，并且所述连接端子的将所述体声波谐振器连接到所述模块基板的部分可设置在所述沟槽中。所述模块基板的所述上表面与所述体声波谐振器的下表面的边缘之间的距离是0μm至20μm。所述沟槽的水平长度可小于所述体声波谐振器的水平长度。所述沟槽的深度可以是20μm至30μm。所述体声波谐振器模块还可包括：阻挡构件，设置在所述体声波谐振器与所述模块基板之间。所述阻挡构件可与所述连接端子的至少一个表面接触。所述阻挡构件可与所述模块基板的所述上表面间隔开。在所述模块基板的所述上表面中可形成有沟槽，并且所述阻挡构件可设置在所述沟槽中。所述阻挡构件可利用导电材料制成，并且可与所述连接端子间隔开。所述体声波谐振器模块还可包括：阻挡构件，设置在所述连接端子的外侧且形成为覆盖所述连接端子的侧表面。所述体声波谐振器模块还可包括：电子装置，安装在所述模块基板上，并且设置为与所述体声波谐振器相邻。所述体声波谐振器还可包括谐振器基板。所述谐振部可包括堆叠在形成在所述谐振器基板上的腔上的第一电极、压电层和第二电极。所述体声波谐振器模块还可包括：阻挡构件，设置在所述体声波谐振器与所述模块基板之间、所述连接端子的外侧并且至少部分地覆盖所述谐振器基板的侧表面。通过以下具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。附图说明图1是示出根据实施例的安装有声波谐振器的体声波谐振器模块的示意性截面图。图2是示出根据实施例的声波谐振器的平面图。图3是沿图2的线I-I'截取的截面图。图4是沿图2的线II-II'截取的截面图。图5是沿图2的线III-III'截取的截面图。图6是示出根据实施例的声波谐振器依据声波谐振器的第二电极结构的谐振性能的曲线图。图7是示出在其上未形成疏水层的保护层上吸附的羟基的视图。图8是示出形成在保护层上的疏水层的视图。图9是示出关于根据实施例的声波谐振器的随着湿度和时间的频率变化(其中，疏水层形成在保护层上)以及根据比较示例的声波谐振器的随着湿度和时间的频率变化(其中，在保护层上未形成疏水层)的曲线图。图10是示出根据实施例的用作疏水层的粘附层的前驱体的分子结构的示意图。图11是示出根据实施例的疏水层的分子结构的示意图。图12至图15是示出根据实施例的声波谐振器的制造方法的视图。图16是示出根据实施例的疏水层形成在保护层上的工艺的示意图。图17和图18是示出根据实施例的声波谐振器的示意性截面图。图19示出在图1中示出的声波谐振器模块的变型示例。图20是示出根据实施例的体声波谐振器模块的示意性截面图。图21示出在图20中示出的声波谐振器模块的变型示例。图22是示出根据实施例的体声波谐振器模块的示意性截面图。图23是示出图22的部分A的局部放大图。图24至图29是示出在图22中示出的声波谐振器模块的变型示例的截面图。图30和图31是根据实施例的滤波器的示意性电路图。在所有的附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明及便利起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。具体实施方式提供以下具体实施方式以帮助读者获得对这里所描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容后，这里所描述的方法、设备和/或系统的各种变换、修改及等同物将是显而易见的。例如，这里所描述的操作顺序仅仅是示例，其并不局限于这里所阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本申请的公开内容后将是显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。这里所描述的特征可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种体声波谐振器模块，包括：/n模块基板；/n体声波谐振器，利用连接端子连接到所述模块基板，并且设置为与所述模块基板间隔开；以及/n密封部，对所述体声波谐振器进行密封，/n其中，所述体声波谐振器包括设置在所述模块基板的上表面对面的谐振部，并且在所述谐振部与所述模块基板的所述上表面之间设置有空间。/n

【技术特征摘要】
20181130 KR 10-2018-0152385;20190410 KR 10-2019-001.一种体声波谐振器模块，包括：
模块基板；
体声波谐振器，利用连接端子连接到所述模块基板，并且设置为与所述模块基板间隔开；以及
密封部，对所述体声波谐振器进行密封，
其中，所述体声波谐振器包括设置在所述模块基板的上表面对面的谐振部，并且在所述谐振部与所述模块基板的所述上表面之间设置有空间。


2.根据权利要求1所述的体声波谐振器模块，其中，所述体声波谐振器还包括：
谐振器基板；
绝缘层，设置在所述谐振器基板的表面上；
膜层，与所述绝缘层一起形成腔，所述谐振部设置在所述腔上，并且所述谐振部包括以堆叠构造布置的第一电极、压电层和第二电极；
保护层，设置在所述谐振部中的所述第一电极、所述压电层和所述第二电极上；以及
疏水层，设置在所述保护层上。


3.根据权利要求2所述的体声波谐振器模块，其中，所述疏水层与水的接触角度是90°或更大。


4.根据权利要求2所述的体声波谐振器模块，其中，所述疏水层包括氟和硅中的任意一种或两种。


5.根据权利要求2所述的体声波谐振器模块，其中，所述疏水层围绕所述腔和所述膜层。


6.根据权利要求2所述的体声波谐振器模块，其中，所述保护层包括第一保护层和第二保护层，所述第一保护层利用二氧化硅基绝缘材料或氮化硅基绝缘材料形成，所述第二保护层利用氧化铝基绝缘材料、氮化铝基绝缘材料、氧化镁基绝缘材料、氧化钛基绝缘材料、氧化锆基绝缘材料和氧化锌基绝缘材料中的任意一种形成。


7.根据权利要求1所述的体声波谐振器模块，其中，所述体声波谐振器与所述模块基板之间的距离是10μm至30μm。


8.根据权利要求1所述的体声波谐振器模块，其中，在所述模块基板的所述上表面中形成有沟槽，并且所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴昇旭，李泰京，罗圣勳，李在昌，郑载贤，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR