一种蓝光/红光双色LED芯片封装结构及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种蓝光/红光双色LED芯片封装结构及制备方法，其中封装结构包括：衬底；LED外延片，生成于所述衬底的表面；MoS

A blue / red LED chip packaging structure and preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种蓝光/红光双色LED芯片封装结构及制备方法
本专利技术涉及半导体器件领域，具体涉及一种蓝光/红光双色LED芯片封装结构及制备方法。
技术介绍
室内种植农业具有生长环境可控、无农药、土地利用效率高等等优点，是未来农业发展的重要趋势。然而由于室内农业本身的特性，植物难以得到大量的自然光照，这使得光照条件的控制成为制约室内农业向大规模产业化发展的重要因素，发展可以高效率实现电能-光能-生物能转化的光源是其中的重中之重。研究显示，波长为400～520nm(蓝光)以及610～720nm(红光)的光线对于光合作用贡献最大，对于其他波段的光则吸收较少。因此，结合二者的优势，设计一种基于半导体材料的红光/蓝光LED照明器件将大大降低室内种植农业的成本，提高农作物光合作用效率，有助于推动室内种植农业进一步推广。现有技术中的多色发光器件主要靠在半导体蓝光LED器件封装过程中涂覆荧光粉实现，然而荧光粉透光系数低，蓝光几乎完全被荧光粉吸收并再转化为荧光粉发光，在这个转化过程中会大大增加能量的损耗。
技术实现思路
因此，本专利技术要解决的技术问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蓝光/红光双色LED芯片封装结构，其特征在于，包括：/n衬底；/nLED外延片，生成于所述衬底的表面；/nMoS

【技术特征摘要】
1.一种蓝光/红光双色LED芯片封装结构，其特征在于，包括：
衬底；
LED外延片，生成于所述衬底的表面；
MoS2发光涂层，沉积于所述LED外延片表面或LED发光窗口上，所述MoS2发光涂层用于将蓝光转换成红光。


2.根据权利要求1所述的蓝光/红光双色LED芯片封装结构，其特征在于，根据MoS2发光涂层的厚度，确定蓝光与红光的转换比例。


3.根据权利要求1所述的蓝光/红光双色LED芯片封装结构，其特征在于，所述LED外延片包括：缓冲层、n型掺杂层、有源层及p型掺杂层，依次形成于衬底表面。


4.根据权利要求3所述的蓝光/红光双色LED芯片封装结构，其特征在于，所述缓冲层为非掺杂GaN层，用于缓解所述LED外延片与所述衬底之间的热失配。


5.根据权利要求3所述的蓝光/红光双色LED芯片封装结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘新科，罗江流，贲建伟，贺威，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：广东;44