一种接口保护电路装置制造方法及图纸

一种接口保护电路装置，其可起到接口线路保护的作用，可避免端口器件损坏或电机控制模块整体性能降低的问题产生，其包括主电路，主电路包括电容C1、晶体管Q1、电阻R1、晶体管Q3、电阻R3、R4、R5、R7、R8、R9、R10、磁珠L1、电容C2，其特征在于，其还包括一级保护电路、二极管保护电路，一级保护电路包括晶体管Q2、电阻R2，二级保护电路包括晶体管Q4、电阻R6、电容C3，其还包括信号输出端VOUT、信号输入端VIN、反馈信号输入端FB_VIN。

An interface protection circuit device

【技术实现步骤摘要】
一种接口保护电路装置
本技术涉及汽车电子控制系统
，具体为一种接口保护电路装置。
技术介绍
随着人类环保意识的增强，新能源汽车行业也逐步兴起，汽车电子控制系统中的电机控制模块种类也越来越多，汽车行驶的安全性、稳定性很大部分取决于汽车电子控制系统性能的稳定性，因此对电机控制模块的性能及安全性要求也非常严格，但是在对汽车电机控制模块进行各种实验操作和性能测试时，经常会出现因线束过多或操作不当而导致接口错误故障，当接口线路出现对电源或对地短路时，易造成回路电流过大，从而损坏端口器件，影响模块整体性能。
技术实现思路
针对现有技术中存在的接口线路易出现对电源或对地短路故障，造成回路电流过大，使端口器件损坏、电机控制模块整体性能降低的问题，本技术提供了一种接口保护电路装置，其可起到接口线路保护的作用，可避免端口器件损坏或电路模块整体性能降低的问题产生。一种接口保护电路装置，其包括主电路，所述主电路包括电容C1、晶体管Q1、电阻R1、晶体管Q3、电阻R3、R4、R5、R7、R8、R9、R10、磁珠L1、电容C2，其特征在于，其还包括一级保护电路、二极管保护电路，所述一级保护电路包括晶体管Q2、电阻R2，所述二极管保护电路包括晶体管Q4、电阻R6、电容C3，其还包括信号输出端VOUT、信号输入端VIN、反馈信号输入端FB_VIN，所述信号输出端VOUT分别连接所述电容C2的一端、磁珠L1的一端，所述磁珠L1的另一端分别连接所述电阻R4的一端、晶体管Q3的集电极，所述晶体管Q3的发射极分别连接所述电阻R3的一端、所述晶体管Q2的基极，所述晶体管Q2的发射极、电阻R3的另一端、电阻R2的一端均连接电压源VPP，所述晶体管Q2的集电极分别连接所述晶体管Q3的基极、所述电阻R2的另一端、电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端连接晶体管Q1的集电极，所述晶体管Q1的基极分别连接所述电阻R7、R8的一端，所述电阻R7的另一端分别连接电容C1的一端、所述信号输入端VIN，所述电容C1的另一端接地，所述晶体管Q1的发射极、电阻R8的另一端接地，所述电阻R4的另一端分别连接所述电阻R5的一端、电阻R9的一端，所述电阻R9的另一端分别连接所述电阻R10的一端、晶体管Q4的基极，所述晶体管Q4的集电极分别连接所述电阻R6的一端、电容C3的一端、所述反馈信号输入端FB_VIN，所述晶体管Q4的发射极、电阻R10的另一端接地，所述电阻R6的另一端连接电压源VCC，所述电阻R5的另一端接地。其进一步特征在于，所述信号输出端VOUT连接ECU外部电路单元，所述信号输入端VIN、反馈信号输入端FB_VIN分别连接MCU控制单元；所述MCU控制单元包括单片机U；所述电压源VPP的电压为：24V；所述电压源VCC的电压为：5V。采用本技术的上述结构可以达到如下有益效果：当接口线路未出现短路故障时，晶体管Q3正常导通，此时信号输入端VIN的信号为高电平，信号输出端VOUT的信号为高电平，反馈信号输入端FB_VIN的信号为低电平，此时主电路正常导通；当接口线路出现短路故障时，一级保护电路、二极管保护电路均动作，使晶体管Q3关断，此时信号输入端VIN的信号为低电平时，信号输出端VOUT的信号为低电平，反馈信号输入端FB_VIN的信号为高电平，从而断开了主电路回路，起到了接口短路保护的作用，同时有效降低了因操作不当致使信号输出端VOUT的线路对电源或对地短路时，而导致回路电流过大造成晶体管Q3烧坏的问题出现，二极管保护电路的设置能够间接地关断晶体管Q1，进而有效关断晶体管Q3,从而提高了本装置的接口保护性能。附图说明图1为本技术的电路原理图。具体实施方式见图1，一种接口保护电路装置，其包括主电路，主电路包括电容C1、晶体管Q1、电阻R1、晶体管Q3、电阻R3、R4、R5、R7、R8、R9、R10、磁珠L1、电容C2，其特征在于，其还包括一级保护电路、二极管保护电路，一级保护电路包括晶体管Q2、电阻R2，二极管保护电路包括晶体管Q4、电阻R6、电容C3，其还包括信号输出端VOUT、信号输入端VIN、反馈信号输入端FB_VIN，信号输出端VOUT分别连接电容C2的一端、磁珠L1的一端，磁珠L1的另一端分别连接电阻R4的一端、晶体管Q3的集电极，晶体管Q3的发射极分别连接电阻R3的一端、晶体管Q2的基极，晶体管Q2的发射极、电阻R3的另一端、电阻R2的一端均连接电压源VPP，晶体管Q2的集电极分别连接晶体管Q3的基极、电阻R2的另一端、电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接晶体管Q1的集电极，晶体管Q1的基极分别连接电阻R7、R8的一端，电阻R7的另一端分别连接电容C1的一端、信号输入端VIN，电容C1的另一端接地，晶体管Q1的发射极、电阻R8的另一端接地，电阻R4的另一端分别连接电阻R5的一端、电阻R9的一端，电阻R9的另一端分别连接电阻R10的一端、晶体管Q4的基极，晶体管Q4的集电极分别连接电阻R6的一端、电容C3的一端、反馈信号输入端FB_VIN，晶体管Q4的发射极、电阻R10的另一端接地，电阻R6的另一端连接电压源VCC，电阻R5的另一端接地，信号输出端VOUT连接ECU外部电路单元，信号输入端VIN、反馈信号输入端FB_VIN分别连接MCU控制单元，MCU控制单元包括单片机U；本实施例中电压源VPP的电压为24V，电压源VCC的电压为5V，单片机U可采用现有的任意一款型号的单片机，信号输入端VIN、反馈信号输入端FB_VIN分别连接单片机U的I/O口，三极管Q1~Q4均可采用现有技术。其具体工作原理如下所述：将本技术应用于汽车电机控制模块中的接口线路故障检测中，当接口线路未出现短路故障时，晶体管Q3正常导通，此时信号输入端VIN为高电平，信号输出端VOUT的信号为高电平，反馈信号输入端VIN的信号为低电平，此时主电路正常导通，此时若信号输出端VOUT发生接地短路故障，主电路中的电流迅速增大，若不及时关断晶体管Q3，则可能超过晶体管Q3的导通电流导致晶体管Q3烧损的问题出现，甚至可能导致主电路中其它的电子元件损坏，因此，此时需设置用于晶体管Q3迅速关断的接口短路故障保护电路装置；当接口线路出现短路故障时，一级保护电路3、二极管保护电路4均动作，此时信号输入端VIN为低电平，信号输出端VOUT的信号为低电平，反馈信号输入端VIN的信号为高电平，一级保护电路3作用时，即当晶体管Q3发射极电流（用IQ3(e)表示）过大时，晶体管Q2导通，此时晶体管Q3的BE结压降（用VQ3(be)表示）小于晶体管Q3的导通压降（用VQ3(ON)表示），即VQ3(be)<VQ3(ON)，晶体管Q3关断，从而使ECU外部电路单元2与MCU控制单元1之间的主电路断开，各电子元件中无导通电流流过，从而达到保护接口电路作用。二级保护4作用时，当信号输入端VIN与反馈信号输入端VIN的信号一致时，即同为高电平或同为低电平时，可判定信号输出端VOUT对电源或对地短路，经MCU本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接口保护电路装置，其包括主电路，所述主电路包括电容C1、晶体管Q1、电阻R1、晶体管Q3、电阻R3、R4、R5、R7、R8、R9、R10、磁珠L1、电容C2，其特征在于，其还包括一级保护电路、二极管保护电路，所述一级保护电路包括晶体管Q2、电阻R2，所述二极管保护电路包括晶体管Q4、电阻R6、电容C3，其还包括信号输出端VOUT、信号输入端VIN、反馈信号输入端FB_VIN，所述信号输出端VOUT分别连接所述电容C2的一端、磁珠L1的一端，所述磁珠L1的另一端分别连接所述电阻R4的一端、晶体管Q3的集电极，所述晶体管Q3的发射极分别连接所述电阻R3的一端、所述晶体管Q2的基极，所述晶体管Q2的发射极、电阻R3的另一端、电阻R2的一端均连接电压源VPP，所述晶体管Q2的集电极分别连接所述晶体管Q3的基极、所述电阻R2的另一端、电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端连接晶体管Q1的集电极，所述晶体管Q1的基极分别连接所述电阻R7、R8的一端，所述电阻R7的另一端分别连接电容C1的一端、所述信号输入端VIN，所述电容C1的另一端接地，所述晶体管Q1的发射极、电阻R8的另一端接地，所述电阻R4的另一端分别连接所述电阻R5的一端、电阻R9的一端，所述电阻R9的另一端分别连接所述电阻R10的一端、晶体管Q4的基极，所述晶体管Q4的集电极分别连接所述电阻R6的一端、电容C3的一端、所述反馈信号输入端FB_VIN，所述晶体管Q4的发射极、电阻R10的另一端接地，所述电阻R6的另一端连接电压源VCC，所述电阻R5的另一端接地。/n...

【技术特征摘要】
1.一种接口保护电路装置，其包括主电路，所述主电路包括电容C1、晶体管Q1、电阻R1、晶体管Q3、电阻R3、R4、R5、R7、R8、R9、R10、磁珠L1、电容C2，其特征在于，其还包括一级保护电路、二极管保护电路，所述一级保护电路包括晶体管Q2、电阻R2，所述二极管保护电路包括晶体管Q4、电阻R6、电容C3，其还包括信号输出端VOUT、信号输入端VIN、反馈信号输入端FB_VIN，所述信号输出端VOUT分别连接所述电容C2的一端、磁珠L1的一端，所述磁珠L1的另一端分别连接所述电阻R4的一端、晶体管Q3的集电极，所述晶体管Q3的发射极分别连接所述电阻R3的一端、所述晶体管Q2的基极，所述晶体管Q2的发射极、电阻R3的另一端、电阻R2的一端均连接电压源VPP，所述晶体管Q2的集电极分别连接所述晶体管Q3的基极、所述电阻R2的另一端、电阻R1的一端，所述电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员：高金奎，王东，郑兵强，
申请(专利权)人：无锡麦道电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32