一种基于片上系统的保护电路技术方案

本实用新型专利技术涉及一种基于片上系统的保护电路；短路时，第二三极管的集电极被拉低，第一三极管的基极收到低电平并开始导通，之后第二三极管的基极电压被第一三极管和第二电容配合给拉高，使得第二三极管截止其集电极无电能输出，并同时形成自锁；之后即使外部的负载被断开第二三极管的集电极也不会有电能输出，只能将电源断开该基于片上系统的保护电路才能恢复到正常的工作状态；实现电路简单，成本低，体积小，在短路发生后可恢复，适用性广泛。

A protection circuit based on system on chip

【技术实现步骤摘要】
一种基于片上系统的保护电路
本技术涉及短路保护
，更具体地说，涉及一种基于片上系统的保护电路。
技术介绍
现有的片上系统的保护电路大多使用熔断器进行过流及短路保护，一旦过流或短路情况发生，熔断器就会被烧断而不可恢复，需要人工进行更换再进行使用，已经不能满足人们的使用需求。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种电路简单，成本低，体积小，在短路发生后可恢复的基于片上系统的保护电路。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种基于片上系统的保护电路，包括第一三极管和第二三极管；其中，所述第一三极管和所述第二三极管的发射机均与电源的正极连接，所述第一三极管的基极与发射机并联有第一电容，所述第二三极管的基极与发射机并联有第二电容；所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的基极连接且还连接有第一电阻，所述第一电阻的另一端接地；所述第一三极管的基极连接有第二电阻，所述第二电阻的另一端与所述第二三极管的集电极连接且还连接有第三电阻，所述第三电阻的另一端接地；所述第二三极管的集电极为所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于片上系统的保护电路，包括第一三极管和第二三极管；其特征在于，所述第一三极管和所述第二三极管的发射机均与电源的正极连接，所述第一三极管的基极与发射机并联有第一电容，所述第二三极管的基极与发射机并联有第二电容；所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的基极连接且还连接有第一电阻，所述第一电阻的另一端接地；所述第一三极管的基极连接有第二电阻，所述第二电阻的另一端与所述第二三极管的集电极连接且还连接有第三电阻，所述第三电阻的另一端接地；所述第二三极管的集电极为所述基于片上系统的保护电路的输出端。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于片上系统的保护电路，包括第一三极管和第二三极管；其特征在于，所述第一三极管和所述第二三极管的发射机均与电源的正极连接，所述第一三极管的基极与发射机并联有第一电容，所述第二三极管的基极与发射机并联有第二电容；所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的基极连接且还连接有第一电阻，所述第一电阻的另一端接地；所述第一三极管的基极连接有第二电阻，所述第二电阻的另一端与所述第二三极管的集电极连接且还连接有第三电阻，所述第三电阻的另一端接地；所述第二三极管的集电极为所述基于片上系统的保护电路的输出端。


2.根据权利要求1所述的基于片上系统的保护电路，其特征在于，所述电源的正极还连接有第一二极管和第三三极管；所述第一二极管的负极与所述电源的正极连接，所述第三三极管的发射机与...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁亚伟，涂友冬，
申请(专利权)人：深圳市智微智能科技开发有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44