存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元制造方法及图纸

技术编号:24455204 阅读:31 留言:0更新日期:2020-06-10 15:20
本发明专利技术的范例实施例提供一种存储器控制方法,其用于可复写式非易失性存储器模块。所述方法包括:从可复写式非易失性存储器模块中的第一物理单元读取第一数据;经由解码电路解码所述第一数据;根据经解码的第一数据更新可靠度信息;从可复写式非易失性存储器模块中的第二物理单元读取第二数据;以及经由解码电路根据经更新的可靠度信息解码所述第二数据。藉此,可基于可复写式非易失性存储器模块的存储特性提升解码电路的性能。此外,本发明专利技术的范例实施例也提供存储器存储装置与存储器控制电路单元。

Memory control method, memory storage device and memory control circuit unit

【技术实现步骤摘要】
存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元
本专利技术涉及一种存储器控制技术,尤其涉及一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。
技术介绍
数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速,使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritablenon-volatilememorymodule)(例如,快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小,以及无机械结构等特性,所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。基于各种因素,从存储器存储装置中读取的数据可能会包含错误比特。因此,在将数据传送给主机系统之前,读取的数据可被解码以尝试更正数据中的错误比特。一般来说,在成功解码某一读取数据后,解码成功的数据可能会被短暂地存储在缓冲存储器中。在将此数据传送至主机系统后,此数据随即会被从缓冲存储器中删除。换言之,在传统的解码程序中,解码成功的数据并不会被用于进一步的分析以尝试改善往后的解码效率。在使用一段时间后,存储器存储装置可能因为数据解码效率太差而无法继续使用。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器控制方法,其特征在于,用于可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个物理单元,所述存储器控制方法包括:/n从所述多个物理单元中的第一物理单元读取第一数据;/n经由解码电路解码所述第一数据;/n根据经解码的所述第一数据更新可靠度信息;/n从所述多个物理单元中的第二物理单元读取第二数据;以及/n经由所述解码电路根据经更新的所述可靠度信息解码所述第二数据。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器控制方法,其特征在于,用于可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个物理单元,所述存储器控制方法包括:
从所述多个物理单元中的第一物理单元读取第一数据;
经由解码电路解码所述第一数据;
根据经解码的所述第一数据更新可靠度信息;
从所述多个物理单元中的第二物理单元读取第二数据;以及
经由所述解码电路根据经更新的所述可靠度信息解码所述第二数据。


2.根据权利要求1所述的存储器控制方法,其中根据经解码的所述第一数据更新所述可靠度信息的步骤包括:
根据经解码的所述第一数据中的第一比特值更新对应于第一电压范围的可靠度信息,
其中所述第一比特值为0与1的其中之一。


3.根据权利要求2所述的存储器控制方法,其中根据经解码的所述第一数据中的所述第一比特值更新对应于所述第一电压范围的所述可靠度信息的步骤包括:
获得经解码的所述第一数据中对应于所述第一电压范围的所述第一比特值的第一数目;以及
根据所述第一数目更新对应于所述第一电压范围的所述可靠度信息。


4.根据权利要求3所述的存储器控制方法,其中根据所述第一数目更新对应于所述第一电压范围的所述可靠度信息的步骤包括:
获得经解码的所述第一数据中对应于所述第一电压范围的第二比特值的第二数目,其中所述第二比特值为0与1的其中之另一;以及
根据所述第一数目与所述第二数目更新对应于所述第一电压范围的所述可靠度信息。


5.根据权利要求1所述的存储器控制方法,其中根据经解码的所述第一数据更新所述可靠度信息的步骤包括:
根据经解码的所述第一数据识别所述第一物理单元中的第一存储单元所存储的第一比特的真值,其中所述第一存储单元的电压位于第一电压范围内,且所述第一存储单元存储所述第一数据的部分数据;以及
根据所述真值更新对应于所述第一电压范围的可靠度信息。


6.根据权利要求1所述的存储器控制方法,其中根据经解码的所述第一数据更新所述可靠度信息的步骤包括:
获得所述第一物理单元中的第一存储单元的总数,其中所述第一存储单元的电压位于第一电压范围内,且所述第一存储单元存储所述第一数据的部分数据;以及
根据所述总数更新对应于所述第一电压范围的可靠度信息。


7.根据权利要求1所述的存储器控制方法,其中所述第一物理单元与所述第二物理单元皆属于所述可复写式非易失性存储器模块中的第一物理抹除单元。


8.根据权利要求1所述的存储器控制方法,其中所述第一物理单元属于所述可复写式非易失性存储器模块中的第一物理抹除单元,所述第二物理单元属于所述可复写式非易失性存储器模块中的第二物理抹除单元,且所述第一物理抹除单元与所述第二物理抹除单元彼此独立。


9.一种存储器存储装置,其特征在于,包括:
连接接口单元,用以连接至主机系统;
可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个物理单元;以及
存储器控制电路单元,连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块,
其中所述存储器控制电路单元用以发送第一读取指令序列以指示从所述多个物理单元中的第一物理单元读取第一数据,
所述存储器控制电路单元还用以解码所述第一数据,
所述存储器控制电路单元还用以根据经解码的所述第一数据更新可靠度信息,
所述存储器控制电路单元还用以发送第二读取指令序列以指示从所述多个物理单元中的第二物理单元读取第二数据,并且
所述存储器控制电路单元还用以根据经更新的所述可靠度信息解码所述第二数据。


10.根据权利要求9所述的存储器存储装置,其中所述存储器控制电路单元根据经解码的所述第一数据更新所述可靠度信息的操作包括:
根据经解码的所述第一数据中的第一比特值更新对应于第一电压范围的可靠度信息,
其中所述第一比特值为0与1的其中之一。


11.根据权利要求10所述的存储器存储装置,其中所述存储器控制电路单元根据经解码的所述第一数据中的所述第一比特值更新对应于所述第一电压范围的所述可靠度信息的操作包括:
获得经解码的所述第一数据中对应于所述第一电压范围的所述第一比特值的第一数目;以及
根据所述第一数目更新对应于所述第一电压范围的所述可靠度信息。


12.根据权利要求11所述的存储器存储装置,其中所述存储器控制电路单元根据所述第一数目更新对应于所述第一电压范围的所述可靠度信息的操作包括:
获得经解码的所述第一数据中对应于所述第一电压范围的第二比特值的第二数目,其中所述第二比特值为0与1的其中之另一;以及
根据所述第一数目与所述第二数目更新对应于所述第一电压范围的所述可靠...

【专利技术属性】
技术研发人员:林纬刘安城许祐诚杨宇翔
申请(专利权)人:群联电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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