【技术实现步骤摘要】
光微影图案化系统
本揭露是关于一种半导体制造的装置与系统,特别是关于一种半导体制造使用的光微影图案化系统、薄胶膜及成像系统。
技术介绍
对于诸如深紫外线(DeepUltra-Violet;DUV)光微影的现代光微影工具,薄膜用于保护光罩以免受落下的颗粒及漂浮的污染物影响。薄膜具有用于放射线透射的透明隔膜,且通常附接至框架,该框架定位成与光罩的图案侧相距特定距离。由于薄膜与作为成像表面的图案侧间隔开,因此薄膜的隔膜上的任何颗粒不会在焦平面上,且因此不会在晶圆上产生清晰的影像。对于在约13.5nm波长下操作的极紫外(ExtremeUltra-Violet;EUV)光微影,寻找可用作透明薄膜的合适材料具有挑战性。当前用于透明薄膜的材料在通过薄膜时会消耗EUV辐射约30%的能量。因此,迫切需要一种可用于EUV光微影中的改良薄膜。
技术实现思路
本揭露的实施例为光微影图案化系统。该系统包括:具有图案化特征的光罩;具有多个开口的薄膜,该薄膜用以保护光罩免受颗粒及漂浮污染物的影响;用以发射辐射以反射及/或投射图案化特征 ...
【技术保护点】
1.一种光微影图案化系统,其特征在于,包括:/n具有图案化特征的光罩;/n具有多个开口的薄膜,该薄膜用以保护该光罩防止微粒及漂浮的污染物影响;/n辐射源,其用以发射辐射以反射及/或投射图案化特征;及/n一或多个反射镜,其用以将所反射及/或投影的图案化特征引导至一晶圆。/n
【技术特征摘要】
20181130 US 62/774,137;20191126 US 16/697,1381.一种光微影图案化系统,其特征在于,包括:
...
【专利技术属性】
技术研发人员:张世明,陈秋翔,刘如淦,陈铭锋,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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