一种光微影图案化系统包括:一光罩,其具有图案化特征;一薄膜,其具有多个开口;一辐射源,其用以发射辐射以反射及/或投射该些图案化特征;及一或多个反射镜,其用以将所反射及/或投射的图案化特征引导至一晶圆上。该薄膜用以保护该光罩免受颗粒及浮动污染物的影响。该多个开口占该薄膜的侧表面面积的5%至99.9%。该薄膜可在该些图案化特征的一侧上附接至该光罩、置放在该辐射源与该晶圆之间的一光路旁侧,或置放在反射镜与该辐射源之间的一光路中。该薄膜中的该多个开口由多种条形材料形成,或形成为一蜂巢状结构或一网状结构。
Optical micrograph system
【技术实现步骤摘要】
光微影图案化系统
本揭露是关于一种半导体制造的装置与系统,特别是关于一种半导体制造使用的光微影图案化系统、薄胶膜及成像系统。
技术介绍
对于诸如深紫外线(DeepUltra-Violet;DUV)光微影的现代光微影工具,薄膜用于保护光罩以免受落下的颗粒及漂浮的污染物影响。薄膜具有用于放射线透射的透明隔膜,且通常附接至框架,该框架定位成与光罩的图案侧相距特定距离。由于薄膜与作为成像表面的图案侧间隔开,因此薄膜的隔膜上的任何颗粒不会在焦平面上,且因此不会在晶圆上产生清晰的影像。对于在约13.5nm波长下操作的极紫外(ExtremeUltra-Violet;EUV)光微影,寻找可用作透明薄膜的合适材料具有挑战性。当前用于透明薄膜的材料在通过薄膜时会消耗EUV辐射约30%的能量。因此,迫切需要一种可用于EUV光微影中的改良薄膜。
技术实现思路
本揭露的实施例为光微影图案化系统。该系统包括:具有图案化特征的光罩;具有多个开口的薄膜,该薄膜用以保护光罩免受颗粒及漂浮污染物的影响;用以发射辐射以反射及/或投射图案化特征的辐射源;及一或多个反射镜,其用以将反射及/或投影的图案化特征引导至晶圆上。附图说明当结合附图阅读时,自以下详细描述将最佳地理解本揭露。须强调,根据行业中的标准实践,各种特征未按比例绘制,且仅用于说明目的。实际上,为了清楚起见,各种特征的尺寸可能任意增大或减小。图1示意性地说明根据本揭露的实施例的安置在光微影遮罩上的薄膜。图2A、图2B及图2C说明根据本揭露的各种实施例的薄膜的实例例。图3A、图3B、图3C及图3D说明根据本揭露的各种实施例中安置在光罩上的薄膜的不同组态。图4A说明根据本揭露的实施例的薄膜。图4B说明根据本揭露的实施例的光源。图4C为基于晶圆上的薄膜的影像指示薄膜的透射光的强度的模拟图。图4D为基于晶圆上的薄膜的影像指示薄膜的透射光的强度的另一模拟图。图5A说明根据本揭露的实施例的薄膜。图5B说明根据本揭露的实施例的光源。图5C为基于晶圆上的薄膜的影像指示薄膜的透射光的强度的模拟图。图5D为基于晶圆上的薄膜的影像指示薄膜的透射光的强度的另一模拟图。图6A说明根据本揭露的实施例的薄膜。图6B说明根据本揭露的实施例的光源。图6C为基于晶圆上的薄膜的影像指示薄膜的透射光的强度的模拟图。图6D为基于晶圆上的薄膜的影像指示薄膜的透射光的强度的另一模拟图。图7A说明根据本揭露的实施例的薄膜。图7B说明根据本揭露的实施例的光源。图7C为基于晶圆上的薄膜的影像指示薄膜的透射光的强度的模拟图。图7D为基于晶圆上的薄膜的影像指示薄膜的透射光的强度的另一模拟图。图8A说明根据本揭露的实施例的薄膜。图8B说明根据本揭露的实施例的光源。图8C为基于晶圆上的薄膜的影像指示薄膜的透射光的强度的模拟图。图8D为基于晶圆上的薄膜的影像指示薄膜的透射光的强度的另一模拟图。图9A说明根据本揭露的实施例的薄膜。图9B说明根据本揭露的实施例的光源。图9C为基于晶圆上的薄膜的影像指示薄膜的透射光的强度的模拟图。图9D为基于晶圆上的薄膜的影像指示薄膜的透射光的强度的另一模拟图。图10说明根据本揭露的实施例的使用带有薄膜的反射性遮罩的实例成像系统。图11A为根据本揭露的一些实施例构造的具有激光产生电浆(laserproducedplasma;LPP)EUV辐射源的EUV光微影系统的示意图。图11B为根据本揭露的实施例的EUV光微影系统曝光工具的示意图。【符号说明】100...薄膜102...基板105...腔室106...反射性多层(ML)108...覆盖层110...吸收堆叠112...盲层120...框架150...光微影遮罩200a...薄膜200b...薄膜200c...薄膜205a...条形材料205b...蜂巢状结构205c...网状结构215a...开口215b...开口215c...开口300a...薄膜300b...薄膜(多层薄膜)300c...薄膜300d...薄膜305a...条形材料305b...条形材料305c...条形材料305d...条形材料315a...开口315b...开口315c...开口315d...开口320...框架320-1...框架320-2...框架350...光罩400...薄膜450...光罩500...薄膜550...光罩600...薄膜650...光罩700...薄膜750...光罩800...薄膜850...光罩900...薄膜950...光罩1000...成像系统1100...薄膜1110...吸收堆叠1120...框架1150反射性遮罩1155...焦平面1200...薄膜1250...光路1255...影像平面1320...反射镜1340...反射镜1400...晶圆1450...光阻层2000...EUV光微影系统2100...EUV辐射源设备2105...腔室2110...收集器2115...目标液滴产生器2120...液滴捕集器2130...第一缓冲气体供应源2135...第二缓冲气体供应源2140...出口2150...碎屑收集机构或装置2200...曝光工具2205a...光学件2205b...光学件2205c...图案化光学件205d...缩小投影光学件2205e...缩小投影光学件2210...基板2300...激发激光源设备2310...激光产生器2320...激光引导光学件2330...聚焦设备2600a...薄膜结构2600b...薄膜结构2600c...薄膜结构BF...基础地板DP...目标液滴(锡液滴)DP1...阻尼器DP2...阻尼器MF...主地板LR1...激光LR2...激光(激光脉冲)Pa...间距Pb...间距Pc...间距PP1...基座板PP2...基座板Wa...宽度Wb...宽度Wc...宽度具体实本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种光微影图案化系统,其特征在于,包括:/n具有图案化特征的光罩;/n具有多个开口的薄膜,该薄膜用以保护该光罩防止微粒及漂浮的污染物影响;/n辐射源,其用以发射辐射以反射及/或投射图案化特征;及/n一或多个反射镜,其用以将所反射及/或投影的图案化特征引导至一晶圆。/n
【技术特征摘要】
20181130 US 62/774,137;20191126 US 16/697,1381.一种光微影图案化系统,其特征在于,包括:
...
【专利技术属性】
技术研发人员:张世明,陈秋翔,刘如淦,陈铭锋,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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