单晶硅片二次制绒制备多孔金字塔结构用添加剂及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种单晶硅片二次制绒制备多孔金字塔结构用添加剂，其各组分的质量百分含量为：聚苯乙烯磺酸钠0.1%～10%，聚乙二醇2%～20%，氟碳表面活性剂1%～5%，无机盐20%～30%，余量为水。在单晶硅片二次制绒的制绒液中添加本发明专利技术的添加剂，能使单晶硅片表面形成多孔金字塔结构。且本发明专利技术制备单晶硅片多孔金字塔结构的方法成本更低，工艺更简单。

Preparation of porous pyramid structure additive by secondary fluxing of single crystal silicon wafer and its application

【技术实现步骤摘要】
单晶硅片二次制绒制备多孔金字塔结构用添加剂及其应用
本专利技术涉及光伏领域，具体涉及一种单晶硅片二次制绒制备多孔金字塔结构用添加剂及其应用。
技术介绍
现有单晶硅片常制备金字塔结构的绒面，为了进一步提高绒面的陷光效果，多孔金字塔结构成为了新的研究方向。申请号为201110252280.1的中国专利公开了一种用于太阳电池的多孔金字塔型硅表面陷光结构制备方法，其主要是对一次制绒后具备金字塔结构的单晶硅片进行贵金属纳米粒子催化刻蚀处理，使单晶硅片表面形成多孔金字塔结构。申请号为201310467811.8的中国专利公开了一种多孔金字塔减反射结构制备方法，其主要是对一次制绒后具备金字塔结构的单晶硅片进行反应离子刻蚀处理，使单晶硅片表面形成多孔金字塔结构。申请号为201010611615.X的中国专利公开了一种基于单晶硅衬底上多孔金字塔结构的制造方法，其主要是对一次制绒后具备金字塔结构的单晶硅片进行等离子体浸没离子注入处理，使单晶硅片表面形成多孔金字塔结构。上述各种制备多孔金字塔结构的方法都存在成本高、工艺复杂的缺陷，故需本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.单晶硅片二次制绒制备多孔金字塔结构用添加剂，其特征在于，其各组分的质量百分含量为：聚苯乙烯磺酸钠0.1%～10%，聚乙二醇2%～20%，氟碳表面活性剂1%～5%，无机盐20%～30%，余量为水。/n

【技术特征摘要】
1.单晶硅片二次制绒制备多孔金字塔结构用添加剂，其特征在于，其各组分的质量百分含量为：聚苯乙烯磺酸钠0.1%～10%，聚乙二醇2%～20%，氟碳表面活性剂1%～5%，无机盐20%～30%，余量为水。


2.根据权利要求1所述的单晶硅片二次制绒制备多孔金字塔结构用添加剂，其特征在于，其各组分的质量百分含量为：聚苯乙烯磺酸钠2%～3%，聚乙二醇5%～8%，氟碳表面活性剂2%～3%，无机盐20%～25%，余量为水。


3.根据权利要求1或2所述的单晶硅片二次制绒制备多孔金字塔结构用添加剂，其特征在于，所述聚乙二醇选自聚乙二醇-200、聚乙二醇-300、聚乙二醇-800中的一种或几种。


4.根据权利要求1或2所述的单晶硅片二次制绒制备多孔金字塔结构用添加剂，其特征在于，所述无机盐选自NaCl、Na2CO3、KCl、K2CO3中的一种或几种。


5.单晶硅片二次制绒制备多孔金字塔结构用制绒液，其特征在于，其含有碱溶液和权利要求1至4中任意一项所述的添加剂，添加剂与碱溶液的质量比为1～3:100，碱溶液为无机碱的水...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡聿明，杨洋，章圆圆，
申请(专利权)人：常州时创能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32