一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材及其制备方法，铂溅射靶材呈现（111）晶面高定向取向，致密度不低于99.5%，晶粒尺寸为5~20

A platinum sputtering target with high grain orientation and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材及其制备方法
本专利技术属于金属塑性变形
，进一步属于贵金属溅射靶材
，具体涉及用于电子信息产业的晶粒高定向取向，高致密度的铂溅射靶材及其制备方法。
技术介绍
在半导体制造中，铂靶主要用于分立器件肖特基二极管、集成电路硅化物等领域。为形成高质量的薄膜，铂靶的制备极为关键，通常对铂溅射靶材的要求是是高纯度(≥4N)、高致密度(达到理论密度的99％以上)，以及细小的晶粒(≤200μm)，从而在溅射过程获得具有低缺陷密度、厚度均匀的铂薄膜。随着现代微电子器件的细小化及结构复杂化，需要溅射薄膜的层数逐渐增加，相应的溅射工艺变得愈加复杂，耗时延长。因此，如果能提高薄膜溅射沉积速率将有利于提高生产效率，极大地节约成本。为此，可以分为两个方向的改进，其一是对于镀膜设备的改进如对溅射磁场的改良设计等；其二对于溅射靶材微观结构的改进例如晶粒取向的控制等。溅射磁场的改良设计相对比较复杂，而对靶材微观结构调整相对简单。如论文“纯铂在塑性加工过程的微观结构演变及力学性能研究”(贵金属，2019，第40卷第3期，11-1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材，其特征在于所述铂溅射靶材呈现（111）晶面高定向取向，其致密度不低于99.5%，晶粒尺寸5~20 μm。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材，其特征在于所述铂溅射靶材呈现（111）晶面高定向取向，其致密度不低于99.5%，晶粒尺寸5~20μm。


2.根据权利要求1所述的晶粒高定向取向的铂溅射靶材，其特征在于所述的（111）晶面与（200）晶面积分强度比不低于3。


3.一种根据权利要求1或2所述的晶粒高定向取向的铂溅射靶材的制备方法，其特征在于具体包括以下步骤：
（1）感应熔炼：选择4N及以上纯度的铂原料，采用中频感应熔炼方式获得铂铸锭，待铂完全融化后进行浇铸；
（2）内部缺陷检测：采用超声波探伤获得铂铸锭内部缺陷信息，尤其是最大缺陷在厚度方向的跨度（L）信息；
（3）真空热压：将铂铸锭进行真空热压，消除铸造缺陷，真空热压温度T为1000~1400oC，压头下压距离不低于L×（1+αT），αT为在T温度时的铂线膨胀系数，热压过程中通过模具的设置，固定铂在长度和宽度方向尺寸不变，控制铂沿厚度方向变形，以确保消除所有缺陷；
（4）液氮...

【专利技术属性】
技术研发人员：闻明，许彦婷，郭俊梅，管伟明，谭志龙，王传军，沈月，普志辉，刘牛，杨海，
申请(专利权)人：贵研铂业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：云南;53