【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有可切换电流偏置电路的放大器
本公开总体上涉及可切换电流偏置电路，并且更具体地涉及用于具有相对高的隔离电压并且可使用相对低的电压互补金属氧化物半导体(CMOS)控制电路来控制的氮化镓(GaN)放大器的可切换电流偏置电路。
技术介绍
如本领域中已知的，GaN异质结电子迁移率晶体管(HEMT)器件正以数十伏至数百伏的范围内的隔离(漏极供电)电压进入许多射频(RF)放大器和功率电子应用。在这些应用中，可能需要将HEMT的静态偏置状况设置为若干状况之一；例如，在放大应用中，可能需要在A、A/B、B类与待机(关)偏置状况之间切换。同样有必要在存在HEMT工艺变化的情况下实现偏置分类或静态电流状况。另外，在多偏置场景中，期望用于设置高电压HEMT的偏置点的电压命令信号来自接口电路，例如低电压CMOS电路。典型地，这些信号为2.5伏或更低，并且底层电路无法承受GaNHEMT的高供电电压。
技术实现思路
根据本公开，提供了一种电路，其具有：(A)晶体管；(B)用于为晶体管设置偏置电流的偏置电路，该偏置电流具有根据馈送到...
【技术保护点】
1.一种电路，包括：/n晶体管；/n偏置电路，其用于为所述晶体管设置偏置电流，所述偏置电流具有根据馈送到所述偏置电路的参考电流的电流电平；以及/n偏置电流电平控制器，其包括：/n多个开关，所述开关中的每一个包括：以共源共栅配置连接的MOS FET和GaN FET；以及/n电流源电路，其包括多个电流源，所述电流源中的每一个连接在电压源与所述多个开关中的对应一个之间，所述电流源电路响应于馈送到所述MOS FET的栅极的二进制控制信号而将由所述电流源产生的电流组合，组合电流提供馈送到所述偏置电路的参考电流。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171215 US 15/843,9221.一种电路，包括：
晶体管；
偏置电路，其用于为所述晶体管设置偏置电流，所述偏置电流具有根据馈送到所述偏置电路的参考电流的电流电平；以及
偏置电流电平控制器，其包括：
多个开关，所述开关中的每一个包括：以共源共栅配置连接的MOSFET和GaNFET；以及
电流源电路，其包括多个电流源，所述电流源中的每一个连接在电压源与所述多个开关中的对应一个之间，所述电流源电路响应于馈送到所述MOSFET的栅极的二进制控制信号而将由所述电流源产生的电流组合，组合电流提供馈送到所述偏置电路的参考电流。
2.一种电路，包括：
放大器，其包括：
晶体管，其具有源极电极和漏极电极，所述源极电极和所述漏极电极中的一个耦合到参考电位；所述源极电极和所述漏极电极中的另一个耦合到比参考电位更正的电位；以及栅极电极，其用于耦合到输入信号；
偏置电路，其用于为所述放大器设置偏置电流，所述偏置电流在所述放大器的所述源极电极与所述漏极电极之间传递，所述偏置电流具有根据馈送到所述偏置电路的参考电流的电流电平；以及
偏置电流电平控制器，其包括：
多个开关，所述开关中的每一个包括：以共源共栅配置连接的MOSFET和GaNFET，所述MOSFET和所述GaNFET耦合到所述参考电位；以及
电流切换电路，其包括多个电流源，所述电流源中的每一个连接在电压源与所述多个开关中的对应一个之间，所述电流切换电路响应于馈送到所述多个电流源中的对应一个的所述MOSFET的栅极的数字字的多个位中的对应一个而将由所述多个电流源产生的电流组合，组合电流提供馈送到所述偏置电路的参考电流。
3.根据权利要求1所述的可切换电流电路，其中，所述位中的每一个具有低电压电平或高电压电平中的选定一个，并且其中，所述电压源具有大于所述高电压电平的电压。
4.一种用于晶体管的可切换电流偏置电路，包括：
多个，N个共源共栅配置的开关，所述多个，N个共源共栅连接的开关中的每一个由N位数字字中的对应一个馈送，所述开关中的每一个包括：以共源共栅配置连接在地和输出端子之间的MOSFET和GaNFET；
电流源电路，其包括多个，N个电流源，所述N个电流源中的每一个连接至所述N个共源共栅配置的开关中的对应一个的输出端子；
其中，所述N个共源共栅配置的开关中的每一个根据馈送到所述N个共源共栅配置的开关中的这样一个的位来选择性地控制所述N个电流源中的对应一个的“开”或“关”状况；
其中，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·P·贝当古，V·S·卡佩尔，S·M·拉迪萨瓦尔，
申请(专利权)人：雷声公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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