【技术实现步骤摘要】
一种S波段的高增益放大电路
本技术涉及一种S波段的高增益放大电路。
技术介绍
随着射频领域的飞速发展，目前对射频模块的要求越来越高，不仅仅要小型化，还要满足信号传输的各种要求，如高线性、高增益等等，甚至要求具有在指定频率范围内的通用性。但是功率放大器作为高技术含量的产品，目前并没有多少公司具备在架构上面对其进行改进的能力，一般的公司也难以做出满足各种高要求的产品。与之对应的，是目前各种高性能产品的高昂价格，但是在实际应用中，并不是所有的产品都需要如此高的性能，通常来说，在适用的前提下更低的成本才是首要目标。对于S波段来说，S波段的频率为2-4GHz，ZIGBEE，无线路由，无线鼠标等也使用这个范围的频率，因此对S波段的放大电路，在不提高成本的前提下实现高增益是值得研究的方向。
技术实现思路
本技术所要解决的，就是针对上述问题，提出一种低成本用于S波段的高增益放大电路。本技术采用的技术方案是：一种S波段的高增益放大电路，如图1所示，包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5...
【技术保护点】
1.一种S波段的高增益放大电路，其特征在于，包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第一电感L1、第一功放管、第二功放管、PMOS管和NPN三极管；第一电感L1的一端接输入信号，第一电感L1的另一端通过第一电阻R1后接第一功放管的栅极，第一电阻R1与第一功放管栅极的连接点通过第一电容C1接地；第一功放管的源极通过并联的第二电阻R2和第二电容C2后接地，第一功放管的漏极接PMOS管的漏极，PMOS管的源极接电源，PMO...
【技术特征摘要】
1.一种S波段的高增益放大电路，其特征在于，包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第一电感L1、第一功放管、第二功放管、PMOS管和NPN三极管；第一电感L1的一端接输入信号，第一电感L1的另一端通过第一电阻R1后接第一功放管的栅极，第一电阻R1与第一功放管栅极的连接点通过第一电容C1接地；第一功放管的源极通过并联的第二电阻R2和第二电容C2后接地，第一功放管的漏极接PMOS管的漏极，PMOS管的源极接电源，PMOS管的栅极接偏置电压；第一功放管的漏极通过第三电容C3后接第二功放管的栅极，第三电...
【专利技术属性】
技术研发人员：何备，覃超，田文跃，陈佑鑫，陈虹宇，岳博，
申请(专利权)人：成都宏讯微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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