背面照射型固态摄像器件、背面照射型固态摄像器件的制造方法、摄像装置和电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及能够降低制造成本的背面照射型固态摄像器件、背面照射型固态摄像器件的制造方法、摄像装置和电子设备。已经被单片化的存储电路和逻辑电路被水平地布局，并用氧化膜嵌埋以被平坦化，并且以在固态摄像元件的下方包含在平面方向中的方式被层积。本发明专利技术能够应用于摄像装置。

Manufacturing method, imaging device and electronic equipment of back irradiation solid-state imaging device and back irradiation solid-state imaging device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背面照射型固态摄像器件、背面照射型固态摄像器件的制造方法、摄像装置和电子设备
本专利技术涉及背面照射型固态摄像器件、背面照射型固态摄像器件的制造方法、摄像装置和电子设备，并且特别地，涉及能够降低制造成本的背面照射型固态摄像器件、背面照射型固态摄像器件的制造方法、摄像装置和电子设备。
技术介绍
固态摄像器件以高清、4k×2k超级高清和超慢动作功能的形式实现高图像质量，与此同时，像素数量增加，并且获得高帧频和高灰度。由于传输速率是通过像素数量×帧频×灰度来计算的，因此，例如在4k×2k＝8M像素、240f/s的帧频和14位(bit)灰度的情况下，传输速率为8M×240f/s×14bit＝26Gbps。在固态摄像元件的下一级进行信号处理之后，由于色彩坐标的RGB信号被输出，因此需要26G×3＝78Gbps的高速传输。如果以较少的连接端子数量进行高速传输，则每一个连接端子的信号速率会变高，并且高速传输路径的阻抗匹配的难度会增大。此外，由于不仅时钟频率增加，而且损耗也会增加，所以功耗增加。为了避免这种情况，增加连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背面照射型固态摄像器件，其包括：/n第一半导体元件，所述第一半导体元件包括被构造为以像素为单位产生像素信号的摄像元件；/n第二半导体元件，在所述第二半导体元件中，通过嵌埋构件嵌埋所述像素信号的信号处理所需的信号处理电路；以及/n配线，所述配线将所述第一半导体元件和所述第二半导体元件电气连接，/n所述第一半导体元件和所述第二半导体元件通过氧化膜接合而堆叠。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171030 JP 2017-208864;20180328 JP 2018-0624771.一种背面照射型固态摄像器件，其包括：
第一半导体元件，所述第一半导体元件包括被构造为以像素为单位产生像素信号的摄像元件；
第二半导体元件，在所述第二半导体元件中，通过嵌埋构件嵌埋所述像素信号的信号处理所需的信号处理电路；以及
配线，所述配线将所述第一半导体元件和所述第二半导体元件电气连接，
所述第一半导体元件和所述第二半导体元件通过氧化膜接合而堆叠。


2.根据权利要求1所述的背面照射型固态摄像器件，其中
所述第一半导体元件大于所述第二半导体元件。


3.根据权利要求1所述的背面照射型固态摄像器件，其中
所述第一半导体元件小于所述第二半导体元件。


4.根据权利要求1所述的背面照射型固态摄像器件，其中
所述信号处理电路包括第一信号处理电路和第二信号处理电路，并且
在所述第二半导体元件中，所述第一信号处理电路和所述第二信号处理电路在水平方向上并列地布置，并且通过所述嵌埋构件嵌埋。


5.根据权利要求1所述的背面照射型固态摄像器件，其中
所述信号处理电路包括第一信号处理电路和第二信号处理电路，
所述配线包括第一配线和第二配线，
在所述第二半导体元件中，通过所述嵌埋构件嵌埋所述第一信号处理电路，
所述固态摄像器件包括第三半导体元件，在所述第三半导体元件中，通过所述嵌埋构件嵌埋所述第二信号处理电路，
所述第一配线将所述第一半导体元件和所述第二半导体元件彼此电气连接，
所述第二配线将所述第二半导体元件和所述第三半导体元件彼此电气连接，并且
所述第二半导体元件和所述第三半导体元件通过氧化膜接合而堆叠。


6.根据权利要求1所述的背面照射型固态摄像器件，其中
所述配线通过CuCu接合而接合。


7.根据权利要求1所述的背面照射型固态摄像器件，其中
所述配线经由通孔电气连接。


8.根据权利要求7所述的背面照射型固态摄像器件，其中
所述配线经由从所述摄像元件的摄像表面侧形成的通孔电气连接。


9.根据权利要求7所述的背面照射型固态摄像器件，其中
所述配线经由从所述摄像元件的摄像表面的相反侧的表面形成的通孔电气连接。


10.根据权利要求1所述的背面照射型固态摄像器件，其中
所述嵌埋构件包括氧化膜。


11.根据权利要求1所述的背面照射型固态摄像器件，其中
所述嵌埋构件包含有机材料。


12.根据权利要求11所述的背面照射型固态摄像器件，其中
在所述第二半导体元件中，以使所述信号处理电路之间的间隙最小化的方式布局所述信号处理电路，并且所述信号处理电路被包含所述有机材料的所述嵌埋构件嵌埋。


13.根据权利要求1所述的背面照射型固态摄像器件，其中
在所述第二半导体元件中，除了所述信号处理电路以外，通过所述嵌埋构件还嵌埋有虚设电路，所述虚设电路由半导体元件构成并且包括伪线。


14.根据权利要求1所述的背面照射型固态摄像器件，其中
在所述第二半导体元件的与堆叠有所述第一半导体元件的表面相反的表面上，堆叠有散热构件，所述散热构件包括热导率高于预定热导率的构件并且用于散热。


15.根据权利要求14所述的背...

【专利技术属性】
技术研发人员：高地泰三，山本雄一，斋藤卓，胁山悟，大塚洋一，驹井尚纪，泷本香织，饭岛匡，羽根田雅希，长田昌也，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP