放射线图像探测器制造技术

技术编号:24415246 阅读:45 留言:0更新日期:2020-06-06 11:09
本发明专利技术实施例提供一种放射线图像探测器。放射线图像探测器包括:基板;位于基板上的光学图像探测器,光学图像探测器包括复数个周期性排列的光敏像素的阵列;光敏像素包括光电转换层,光电转换层用于将可见光转换为电荷;光电转换层包括有效区域和无效区域,有效区域的面积总和小于光电转换层的70%的面积,无效区域包括光电转换层上有效区域以外的区域;放射线转换层,位于光学图像探测器的远离基板一侧,将放射线转换成可见光;光敏像素还包括导光结构层,位于放射线转换层和光电转换层之间,将可见光汇聚到有效区域。本发明专利技术能够在保证光电转换产出额的前提下有效减小暗电流。

Radiograph detector

【技术实现步骤摘要】
放射线图像探测器
本专利技术涉及探测器
,尤其涉及一种放射线图像探测器。
技术介绍
平板式X射线图像探测器已经被广泛应用于数字化医疗诊断和放射线治疗的实时监控。与传统的X光胶片相比,这种平板式图像探测器具有快捷、低成本、低曝光量、高图像质量等优点,并且便于数据的存储,发送和运算,能够融入数字化医疗系统中。图1为相关技术的一种放射线图像探测器示意图,如图1所示包括有放射线转换层103'和可见光图像探测器102',其中,可见光图像探测器102'包括多个光电转换器件(图中仅示意出一个),光电转换器件包括光电二极管,光电二极管包括p型掺杂层Z1'、n型掺杂层Z2'和半导体薄膜G'。为了能够高效率地收集在光电二极管体内产生的光生电荷,并且保有足够的动态范围,也就是说在电荷存储中不至于饱和,通常在光电二极管的两端(图中第一电极C1'和第二电极C2'上)要施加足够高的反向电压。如图1所示的,在顶部的P型掺杂层Z1'施加一个比如-5V到-10V的电压,对于大剂量的放射线照射的场合,需要施加甚至-15V的电压。对于制作良好的半导体薄膜G',比如通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种放射线图像探测器,其特征在于,包括:/n基板;/n位于所述基板上的光学图像探测器,所述光学图像探测器包括复数个周期性排列的光敏像素的阵列;/n其中,所述光敏像素包括光电转换层,所述光电转换层用于将可见光转换为电荷;/n所述光电转换层包括有效区域和无效区域,所述有效区域的面积总和小于所述光电转换层的70%的面积,所述无效区域包括所述光电转换层上所述有效区域以外的区域;/n放射线转换层,位于所述光学图像探测器的远离所述基板一侧,将放射线转换成可见光;/n所述光敏像素还包括导光结构层,位于所述放射线转换层和所述光电转换层之间,将所述可见光汇聚到所述有效区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种放射线图像探测器,其特征在于,包括:
基板;
位于所述基板上的光学图像探测器,所述光学图像探测器包括复数个周期性排列的光敏像素的阵列;
其中,所述光敏像素包括光电转换层,所述光电转换层用于将可见光转换为电荷;
所述光电转换层包括有效区域和无效区域,所述有效区域的面积总和小于所述光电转换层的70%的面积,所述无效区域包括所述光电转换层上所述有效区域以外的区域;
放射线转换层,位于所述光学图像探测器的远离所述基板一侧,将放射线转换成可见光;
所述光敏像素还包括导光结构层,位于所述放射线转换层和所述光电转换层之间,将所述可见光汇聚到所述有效区域。


2.根据权利要求1所述的放射线图像探测器,其特征在于,所述光敏像素还包括第一电极,第二电极,第一掺杂层,第二掺杂层;
所述第一电极和所述第一掺杂层相连,所述第一掺杂层和所述光电转换层靠近放射线转换层一侧的表面相接触形成的第一接触面;
所述第二电极和所述第二掺杂层相连,所述第二掺杂层和所述光电转换层远离放射线转换层的一侧的表面相接触形成的第二接触面;
所述第一接触面和所述第二接触面中至少有一个为有效接触面,所述有效接触面在所述光电转换层上的正投影完全覆盖了所述有效区域并小于或等于所述光电转换层面积的70%。


3.根据权利要求2所述的放射线图像探测器,其特征在于,
在所述有效接触面一侧的所述光电转换层的表面除了所述有效接触面以外均覆盖绝缘层。


4.根据权利要求3所述的放射线图像探测器,其特征在于,
所述绝缘层包括至少一个通孔,所述第一电极或所述第二电极在所述通孔处和相应的所述掺杂层相连。


5.根据权利要求3所述的放射线图像探测器,其特征在于,
所述绝缘层包括至少一个通孔,所述第一掺杂层或所述第二掺杂层在所述通孔处和所述光电转换层相接触形成所述有效接触面。


6.根据权利要求2所述的放射线图像探测器,其特征在于,
至少一个所述掺杂层包括金属和半导体的合金结,所述合金结包含所述第一电极或所述第二电极的金属原子或分子和所述光电转换层的半导体的原子或分子。


7.根据权利要求2所述的放射线图像探测器,其特征在于,
所述第一电极包括可以透过所述可见光的透明电极,所述透明电极包括金属氧化物,所述金属氧化物包括SnO2或者ITO。
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【专利技术属性】
技术研发人员:顾铁黄忠守
申请(专利权)人:上海奕瑞光电子科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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