图像传感器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种图像传感器，该图像传感器可以包括多个电荷耦合器件(CCD)，该多个电荷耦合器件与被成像对象的移动同步地转移电荷。为了增大图像传感器的动态范围，图像传感器可以包括被配置为随着电荷转移通过电荷耦合器件而对电荷进行非破坏性采样的电路。浮栅可以包括在图像传感器中，并且可以具有与聚积在浮栅下方的电荷成比例的电压。每个浮栅可以通过金属互连层耦接到附加衬底中的相应读出电路。

image sensor

【技术实现步骤摘要】
图像传感器
本技术整体涉及图像传感器，且更具体地讲，涉及时间延迟积分图像传感器。
技术介绍
图像传感器常常在电子设备，诸如移动电话、相机和计算机中用来捕获图像。图像传感器包括响应于入射光而生成电荷的光敏区域。可以使用时间延迟积分(TDI)图像传感器来捕获移动对象的图像。在TDI图像传感器中，可以使电荷与成像的移动对象的运动同步地跨图像传感器转移。在常规TDI图像传感器中，图像传感器的动态范围受到电荷转移沟道的电荷容量的限制。因此期望提供改进的TDI图像传感器。
技术实现思路
本技术旨在提供一种具有非破坏性读出能力的时间延迟积分(TDI)图像传感器。根据第一方面，提供一种图像传感器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；多个浮栅，所述多个浮栅邻近所述半导体衬底的所述第一表面形成；多个读出电路，其中所述多个浮栅中的每个浮栅耦接到所述多个读出电路中的相应读出电路；和多个附加栅极，所述多个附加栅极邻近所述半导体衬底的所述第一表面形成，其中所述多个附加栅极的相应子集插置在每对相邻的浮栅之间。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：/n半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；/n多个浮栅，所述多个浮栅邻近所述半导体衬底的所述第一表面形成；/n多个读出电路，其中所述多个浮栅中的每个浮栅耦接到所述多个读出电路中的相应读出电路；和/n多个附加栅极，所述多个附加栅极邻近所述半导体衬底的所述第一表面形成，其中所述多个附加栅极的相应子集插置在每对相邻的浮栅之间。/n

【技术特征摘要】
20181015 US 16/160,4231.一种图像传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；
多个浮栅，所述多个浮栅邻近所述半导体衬底的所述第一表面形成；
多个读出电路，其中所述多个浮栅中的每个浮栅耦接到所述多个读出电路中的相应读出电路；和
多个附加栅极，所述多个附加栅极邻近所述半导体衬底的所述第一表面形成，其中所述多个附加栅极的相应子集插置在每对相邻的浮栅之间。


2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，每个浮栅的电压取决于在所述半导体衬底中邻近所述浮栅处聚积的电荷量。


3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述图像传感器还包括：
栅极氧化物，所述栅极氧化物形成在所述第一表面上，其中所述多个浮栅形成在所述栅极氧化物上。


4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述半导体衬底为第一半导体衬底，所述图像传感器还包括：
第二半导体衬底，其中所述多个读出电路形成在所述第二半导体衬底中；
多个金属互连层，其中每个金属互连层耦接在相应的浮栅和相应的读出电路之间，其中每个读出电路包括：
源极跟随器晶体管，所述源极跟随器晶体管耦接到相应的金属互连层；
重置晶体管，所述重置晶体管耦接到所述相应的金属互连层；
偏置电压源端子；和
行选择晶体管，其中所述源极跟随器晶体管耦接在所述偏置电压源端子和所述行选择晶体管之间。


5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述半导体衬底包括第一导电类型的掩埋沟道，所述第一导电类型的掩埋沟道邻近所述半导体衬底的第二导电类型的所述第一表面。


6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，所述图像传感器还包括：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·帕克斯，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国;US