无桥式整流无直流偏磁BUCK倍电流拓扑制造技术

本发明专利技术公开了无桥式整流无直流偏磁BUCK倍电流拓扑，采用两片单片机为弱电控制核心，包括单片机MCU1启动供电回路、单片机MCU2启动供电回路、交流电源供电回路、单片机MCU1的自供电电路、单片机MCU2的自供电电路、反向串联BUCK电路和输出电路；本发明专利技术的BUCK倍电流拓扑取消桥式整流和高压电解电容以实现全固态电路、智能控制、高功率因数、恒流精度高、可靠性高、电路简洁、成本低，无直流偏磁。

【技术实现步骤摘要】
无桥式整流无直流偏磁BUCK倍电流拓扑
本专利技术属于LED灯恒流电源
，具体涉及无桥式整流无直流偏磁BUCK倍电流拓扑。技术背景传统BUCK拓扑，是DC/DC变换常用方法之一，适用于输入直流高压小电流电源，转换为低压大电流电源输出。由于传统采用桥式整流和高压电解电容，功率因数PF较低，可靠性较低；存在贮能电感直流偏磁的问题；不容易实现大功率产品往轻、薄、短、小发展以符合市场经济提升性价比要求。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：提供一种取消桥式整流和高压电解电容，以实现全固态电路、智能控制、高功率因数、恒流精度高、可靠性高、电路简洁、成本低的无桥式整流无直流偏磁BUCK倍电流拓扑。本专利技术采用如下技术解决上述技术问题：无桥式整流无直流偏磁BUCK倍电流拓扑，包括单片机MCU1启动供电回路、单片机MCU2启动供电回路、交流电源供电回路、单片机MCU1的自供电电路、单片机MCU2的自供电电路、反向串联BUCK电路和输出电路；单片机MCU1启动供电回路：单片机MCU1未启动前的交流电源正半波，电流从交流电源的电源端～L流出，依次流经熔断保险丝F、启动电阻Rj1、稳压二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
无桥式整流无直流偏磁BUCK倍电流拓扑，其特征在于，包括单片机MCU1启动供电回路、单片机MCU2启动供电回路、交流电源供电回路、单片机MCU1的自供电电路、单片机MCU2的自供电电路、反向串联BUCK电路和输出电路；单片机MCU1启动供电回路：单片机MCU1未启动前的交流电源正半波，电流从交流电源的电源端～L流出，依次流经熔断保险丝F、启动电阻Rj 1、稳压二极管DZ1的负极和正极、电力电子变压器TR的初级绕组N11的同名端和异名端、电力电子变压器TR的初级绕组N12的同名端和异名端、二极管D2，回到交流电源的电源端～N；单片机MCU1的电源端VCC1经降压电阻RV1连接在该回路的启动电阻R...

【技术特征摘要】
1.无桥式整流无直流偏磁BUCK倍电流拓扑，其特征在于，包括单片机MCU1启动供电回路、单片机MCU2启动供电回路、交流电源供电回路、单片机MCU1的自供电电路、单片机MCU2的自供电电路、反向串联BUCK电路和输出电路；单片机MCU1启动供电回路：单片机MCU1未启动前的交流电源正半波，电流从交流电源的电源端～L流出，依次流经熔断保险丝F、启动电阻Rj1、稳压二极管DZ1的负极和正极、电力电子变压器TR的初级绕组N11的同名端和异名端、电力电子变压器TR的初级绕组N12的同名端和异名端、二极管D2，回到交流电源的电源端～N；单片机MCU1的电源端VCC1经降压电阻RV1连接在该回路的启动电阻Rj1和稳压二极管DZ1的负极之间以获取单片机MCU1的工作电压；稳压二极管DZ1的负极连接高电压小电流电力电子开关S11的栅极，正极连接单片机MCU1的接地端GND1，稳压二极管DZ1的稳定电压为15伏，使高电压小电流电力电子开关S11的栅极对单片机MCU1的接地端GND1箝位15伏稳压；单片机MCU2启动供电回路：单片机MCU2未启动前的交流电源正半波，电流从交流电源的电源端～N流出，依次流经启动电阻Rj2、稳压二极管DZ2的负极和正极、电力电子变压器TR的初级绕组N12的异名端和同名端、电力电子变压器TR的初级绕组N11的异名端和同名端、二极管D1、熔断保险丝F，回到交流电源的电源端～L；单片机MCU2的电源端VCC2经降压电阻RV2连接在该回路的启动电阻Rj2和稳压二极管DZ2的负极之间以获取工作电压；稳压二极管DZ2的负极连接高电压小电流电力电子开关S22的栅极，正极连接单片机MCU2的接地端GND2，稳压二极管DZ2的稳定电压为15伏，使高电压小电流电力电子开关S22的栅极对单片机MCU2的接地端GND2箝位15伏稳压；交流电源供电回路：包括正半波闭合回路和负半波闭合回路；正半波闭合回路受控于单片机MCU1在交流电源正半波时导通，电流从交流电源的电源端～L流出，依次流经熔断保险丝F、高电压小电流电力电子开关S11、低电压大电流电力电子开关S1、取样电阻rs1、电力电子变压器TR的初级绕组N11的同名端和异名端、电力电子变压器TR的初级绕组N12的同名端和异名端、二极管D2，回到交流电源的电源端～N；单片机MCU1的电流取样端CS1对取样电阻rs1进行电流取样，输出端OUT1连接低电压大电流电力电子开关S1的栅极，单片机MCU1根据电流取样值以正弦波脉宽调制程序控制输出端OUT1的输出以驱动低电压大电流电力电子开关S1的通断，高电压小电流电力电子开关S11的源极驱动受控于低电压大电流电力电子开关S1；负半波闭合回路受控于单片机MCU2在交流电源负半波时导通，电流从交...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俐劼，王桂光，王希天，王建超，
申请(专利权)人：深圳市美吉星集成科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44