【技术实现步骤摘要】
一种多步协同表面活化低温混合键合方法
本专利技术属于晶圆键合
，涉及一种含有Cu电极和SiO2绝缘层的混合图形样品的直接键合方法，具体涉及一种多步协同表面活化低温混合键合方法。
技术介绍
三维集成技术通过将半导体单元在垂直方向上进行堆叠，极大地缩短了互连长度，从而降低信号延迟与寄生电容，减小噪声，并有效提高芯片功能密度。发展先进的三维集成技术是满足便携式电子设备的超薄，超轻，高性能和低功耗需求的行业趋势。在三维集成技术中，晶圆键合技术是实现多个芯片堆叠的关键。目前晶圆（或芯片）上电极之间的键合往往需要钎料凸点(Solderbump)的介入，但由于目前凸点尺寸减小已趋于极限，无法进一步提高芯片电极的集成密度。若能够省略钎料凸点，将晶圆(或芯片)上的Cu电极和SiO2绝缘层同时键合的混合键合技术(Hybridbonding)是目前制造小型化多功能电子设备，实现高密度互连的最具潜力、最优解决方案。区别于传统键合技术中只采用一种键合材料的同质键合，混合键合样品具有平面化的介电材料和隔离的金属。对于介电材料，二氧化硅(S...
【技术保护点】
1.一种多步协同表面活化低温混合键合方法，其特征在于：所述方法的具体步骤如下：/n步骤一：将含有Cu电极和SiO
【技术特征摘要】
1.一种多步协同表面活化低温混合键合方法，其特征在于：所述方法的具体步骤如下：
步骤一：将含有Cu电极和SiO2绝缘层图案的混合键合样品室温下浸泡于甲酸溶液中，而后在去离子水中超声清洗；
步骤二：采用等离子体对清洗后的Cu/SiO2混合键合样品进行活化；
步骤三：将经等离子体活化后的Cu/SiO2混合键合样品对准贴合后进行热压键合；
步骤四：对热压键合后的Cu/SiO2混合键合样品进行保温，最终得到混合键合样品对。
2.根据权利要求1所述的一种多步协同表面活化低温混合键合方法，其特征在于：步骤一中，所述甲酸溶液体积浓度为50%，浸泡时间为5~30min。
3.根据权利要求1所述的一种多步协同表面活化低温混合键合方法，其特征在于：步骤一中，所述超声清洗使用去离子水清洗30~60s，并利用氮气吹干所述样品表面。
4.根据权利要求1所述的一种多步协同表面活化低温混合键合方法，其特征在于：步骤一中，超声清洗频率为...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晨曦，康秋实，周诗承，鲁添，何洪文，李珩，戚晓芸，胡天麒，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：黑龙;23
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