一种用于制造太阳能电池片的石墨舟的清洁方法技术

技术编号:24389727 阅读:60 留言:0更新日期:2020-06-06 01:53
本申请提供了一种用于制造太阳能电池片的石墨舟的清洁方法,将带有杂质的石墨舟放入真空烧结炉内进行真空高温烧结,真空高温烧结中石墨舟上附着的杂质变成气体与石墨舟分离,杂质变成的气体被真空泵抽走输送至尾气处理系统进行尾气净化处理,从而烧去石墨舟表面的异物薄膜等杂质;本申请可以在较短的时间内将石墨舟清洁干净,整个过程中没有HF酸等化学制剂的使用,无环境污染隐患,减少了工厂环保压力,对操作人员没有伤害,提高了清洁效率和清洁效果;无须拆解石墨舟,避免了拆解过程中对石墨舟的损伤;且处理环节少,清洁时间短,生产效率更高。

A cleaning method of graphite boat used for manufacturing solar cells

【技术实现步骤摘要】
一种用于制造太阳能电池片的石墨舟的清洁方法
本专利技术涉及管式PECVD
,尤其是涉及一种用于制造太阳能电池片的石墨舟的清洁方法。
技术介绍
太阳能电池片分为晶硅类和非晶硅类,其中晶硅类电池片又可以分为单晶电池片和多晶电池片。太阳能电池片的生产工艺流程为:硅片检测→表面制绒及酸洗→扩散制PN结→去磷硅玻璃→等离子刻蚀及酸洗→PECVD镀减反射膜→丝网印刷正负电极→快速烧结等。上述其中,PECVD镀减反射膜:抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜;工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜;PECVD即等离子增强型化学气相沉积,它的技术原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体SiH4和NH3,温度约为430℃,气压约为20Pa,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜;一般情况下,使用这种等离子增强型化学气相沉积方法沉积的薄膜厚度在70nm左右,这样厚度的薄膜具有光学本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造太阳能电池片的石墨舟的清洁方法,其特征在于,包括以下依次进行的步骤:/n1)将石墨舟放入真空烧结炉中,摆放整齐以用于同时烧结多个石墨舟;/n2)真空烧结炉开始抽真空,控制当真空烧结炉内为冷态时的炉内真空度≤0.1Pa,当真空烧结炉内为热态时的炉内真空度≤10Pa,将真空烧结炉的炉腔温度升至1350℃~1500℃,然后在1350℃~1500℃保温0.5h~1.5h,进行真空烧结,真空烧结过程中石墨舟上附着的杂质变成气体与石墨舟分离,杂质变成的气体被真空泵抽走输送至尾气处理系统进行尾气净化处理;/n3)保温时间结束后,断电停止真空烧结炉的加热,使得石墨舟随炉降温至200℃~300℃...

【技术特征摘要】
1.一种用于制造太阳能电池片的石墨舟的清洁方法,其特征在于,包括以下依次进行的步骤:
1)将石墨舟放入真空烧结炉中,摆放整齐以用于同时烧结多个石墨舟;
2)真空烧结炉开始抽真空,控制当真空烧结炉内为冷态时的炉内真空度≤0.1Pa,当真空烧结炉内为热态时的炉内真空度≤10Pa,将真空烧结炉的炉腔温度升至1350℃~1500℃,然后在1350℃~1500℃保温0.5h~1.5h,进行真空烧结,真空烧结过程中石墨舟上附着的杂质变成气体与石墨舟分离,杂质变成的气体被真空泵抽走输送至尾气处理系统进行尾气净化处理;
3)保温时间结束后,断电停止真空烧结炉的加热,使得石墨舟随炉降温至200℃~300℃;
4)开炉取出石墨舟,然后在常温...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈岩姜明理薛雁恺朱敏慧
申请(专利权)人:山东伟基炭科技有限公司
类型:发明
国别省市:山东;37

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