一种澳系睡莲休眠块茎的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种澳系睡莲休眠块茎的制备方法，属于澳系睡莲繁育技术领域，所述制备方法，包括以下步骤：1)将澳系睡莲种苗移植到装有基质的容器中，固定于水中进行第一阶段培养，水位高出澳系睡莲种苗4～6cm；温度为30～36℃，最终培养水位为高出种植盆40cm；2)调整水位至高出种植盆8～12cm，进行第二阶段培养，温度为23～27℃；3)调整水位至高出种植盆4～6cm，进行第三阶段培养，温度为16～23℃；4)所述第三阶段培养后，不再保持水位，水自然蒸发至叶片枯死，收集休眠块茎。所述方法能够有效促进澳系睡莲快速形成休眠块茎，促进澳系睡莲的种苗繁育，并进行推广应用。

A preparation method of Australian water lily dormant tuber

【技术实现步骤摘要】
一种澳系睡莲休眠块茎的制备方法
本专利技术属于澳系睡莲繁育
，尤其涉及一种澳系睡莲休眠块茎的制备方法。
技术介绍
澳系睡莲是睡莲科睡莲属下的Anecphya亚属植物，具有花梗挺立，单朵花期长，花色丰富等特点，是非常具有切花潜力的睡莲品类。随着国内睡莲育种水平的不断提升，睡莲用于切花市场的需求越来越大，澳系睡莲的推广应用变得越来越迫切。休眠块茎是澳系睡莲最主要的繁殖方式，但是现有的休眠块茎的制备方法休眠块茎形成率低，耗时长。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种澳系睡莲休眠块茎的制备方法，所述方法能够有效促进澳系睡莲快速形成休眠块茎，促进澳系睡莲的种苗繁育，并进行推广应用。为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供了以下技术方案：本专利技术提供了一种澳系睡莲休眠块茎的制备方法，包括以下步骤：1)将澳系睡莲种苗移植到装有基质的容器中，固定于水中进行第一阶段培养，所述第一阶段培养的水位高出澳系睡莲种苗4～6cm，所述第一阶段培养的水位为高出种植盆39～41cm；所述第一阶段培养的时间为40～45d；2)调整水位至高出种植盆8～12cm，进行第二阶段培养，所述第二阶段培养的时间为25～50d；3)调整水位至高出种植盆4～6cm，进行第三阶段培养，所述第三阶段培养的时间为10～15d；4)所述第三阶段培养后，不再保持水位，水自然蒸发至叶片枯死，收集休眠块茎。优选的，步骤1)中所述澳系睡莲种苗埋入基质的深度为3～10cm。r>优选的，所述基质自容器底部向上依次包括下层基质和上层基质；所述下层基质包括土壤和缓释肥，所述下层基质中土壤和缓释肥的质量比为(50～150):1；所述上层基质包括土壤。优选的，所述下层基质和上层基质的体积比为1:(0.8～1.2)。优选的，所述缓释肥为氮磷钾复合缓释肥。优选的，步骤1)中所述第一阶段培养的温度为30～36℃。优选的，步骤2)中所述第二阶段培养的温度为23～27℃。优选的，步骤3)中所述第三阶段培养的温度为16～23℃。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的澳系睡莲休眠块茎的制备方法，通过三个阶段的培养，肥量、水位、培养温度的变化促进澳系睡莲快速形成休眠块茎，提高澳系睡莲休眠块茎成功率，促进澳系睡莲成较大休眠块茎，促进新苗生成数量。根据实施例的记载，促休眠块茎成功率最高可达97.8％。具体实施方式本专利技术提供了一种澳系睡莲休眠块茎的制备方法，包括以下步骤：1)将澳系睡莲种苗移植到装有基质的容器中，固定于水中进行第一阶段培养，所述第一阶段培养的水位高出澳系睡莲种苗4～6cm，所述第一阶段培养的水位为高出种植盆39～41cm；所述第一阶段培养的温度为30～35℃；2)调整水位至高出种植盆8～12cm，进行第二阶段培养，所述第二阶段培养的温度为23～27℃；3)调整水位至高出种植盆4～6cm，进行第三阶段培养，所述第三阶段培养的温度为16～23℃；4)所述第三阶段培养后，不再保持水位，水自然蒸发至叶片枯死，收集休眠块茎。在本专利技术中，所述的水位如无特殊说明，均以种植容器上端为0开始计算，即所述水位为水高出种植容器的深度。在本专利技术中，将澳系睡莲种苗移植到装有基质的容器中，固定于水中进行第一阶段培养。本专利技术对所述澳系睡莲种苗的成熟度没有特殊要求，在本专利技术中，当所述澳系睡莲种苗具有成熟浮叶时，优选的采用直径16～20cm的容器，更优选为18cm；当所述澳系睡莲种苗具有幼嫩浮叶时，优选的采用直径8～12cm的容器，更优选为10cm。在本专利技术中，所述容器优选的采用无孔花盆。在本专利技术中，所述基质自容器底部向上优选的依次包括下层基质和上层基质；所述下层基质优选的包括土壤和缓释肥，所述下层基质中土壤和缓释肥的质量比优选为(50～150):1，更优选为100:1。在本专利技术中，所述缓释肥优选为氮磷钾复合缓释肥，更优选为史丹利的颗粒缓释复合肥(氮：磷：钾＝25:14:12)。在本专利技术中，所述上层基质包括土壤。在本专利技术中，所述下层基质和上层基质的体积比优选为1:(0.8～1.2)，更优选为1:1；在本专利技术中，所述下层基质和上层基质中的土壤优选为普通园土；双层基质可以有效防止培养水体的富营养化。在本专利技术中，所述澳系睡莲种苗埋入基质的深度优选为3～10cm，所述移植过程中，优选的将新芽露在基质外。在本专利技术中，所述第一阶段培养的温度为30～36℃，优选为35℃；所述第一阶段培养的水位高出澳系睡莲种苗4～6cm，优选为5cm；所述第一阶段培养的水位为高出种植盆39～41cm，优选为40cm；所述第一阶段培养的时间优选为40～45d，所述第一阶段培养后所述澳系睡莲种苗长出新根系、新叶片，长势旺盛且稳定。本专利技术在所述第一阶段培养结束后，调整水位至高出种植盆8～12cm，进行第二阶段培养。在本专利技术中，所述第二阶段培养水位优选为10cm；所述第二阶段培养的温度为23～27℃，优选为25℃。在本专利技术中，所述第二阶段培养的时间优选为25～50d，更优选为26～30d。在本专利技术中，所述第二阶段培养的目的是缩小展幅，促进澳系睡莲进入休眠期。在本专利技术中，当所述澳系睡莲的叶片变小，植株展幅变小时，调整水位至高出种植盆4～6cm，进行第三阶段培养。在本专利技术中，所述水位优选为5cm。在本专利技术中，所述第三阶段培养的时间为10～25d，优选为15～20d；所述第三阶段培养的温度优选为16～23℃，更优选为20℃。本专利技术在所述第三阶段培养结束后，不再保持水位，水自然蒸发至叶片枯死，收集休眠块茎。在本专利技术中，收集到所述休眠块茎后，优选的进行清洗和保存；本专利技术对所述清洗的方法没有特殊限定，采用本领域常规的清洗方法即可。在本专利技术中，所述休眠块茎的保存条件优选为洗净后保存于20～25℃清水中。下面结合实施例对本专利技术提供的技术方案进行详细的说明，但是不能把它们理解为对本专利技术保护范围的限定。实施例1基质组成：园土和史丹利的颗粒缓释复合肥(氮：磷：钾＝25:14:12)。下层基质包括质量比为100:1的园土和史丹利的颗粒缓释复合肥；上层基质：园土。容器：无孔花盆。将下层基质和上层基质依次置于无孔花盆中，体积比为1:1。1)将澳系睡莲种苗移植到装有基质的容器中，埋入基质的深度为3～10cm，不要将新芽埋在基质中，固定于水中进行第一阶段培养，保持水位高出澳系睡莲种苗5cm，直至最终培养水位为高出种植盆40cm，温度为35℃，培养40～45d。2)调整并保持水位至高出种植盆10cm，进行第二阶段培养，温度为25℃，培养天数为25～30d；3)调整并保持水位至高出种植盆5cm，进行第三阶段培养，20℃，培养15～20d。4)在第三阶段培养后，不再保持水位，水自然蒸发至叶片枯死，收集休眠块茎。定植后长势情况、休眠块茎直径、休眠块茎种植情况见表1。表1定植后长势情况、休眠块茎直径、休眠块茎种植情况<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种澳系睡莲休眠块茎的制备方法，包括以下步骤：/n1)将澳系睡莲种苗移植到装有基质的容器中，固定于水中进行第一阶段培养，所述第一阶段培养的水位高出澳系睡莲种苗4～6cm，所述第一阶段培养的水位为高出种植盆39～41cm；所述第一阶段培养的时间为40～45d；/n2)调整水位至高出种植盆8～12cm，进行第二阶段培养，所述第二阶段培养的时间为25～50d；/n3)调整水位至高出种植盆4～6cm，进行第三阶段培养，所述第三阶段培养的时间为10～15d；/n4)所述第三阶段培养后，不再保持水位，水自然蒸发至叶片枯死，收集休眠块茎。/n

【技术特征摘要】
1.一种澳系睡莲休眠块茎的制备方法，包括以下步骤：
1)将澳系睡莲种苗移植到装有基质的容器中，固定于水中进行第一阶段培养，所述第一阶段培养的水位高出澳系睡莲种苗4～6cm，所述第一阶段培养的水位为高出种植盆39～41cm；所述第一阶段培养的时间为40～45d；
2)调整水位至高出种植盆8～12cm，进行第二阶段培养，所述第二阶段培养的时间为25～50d；
3)调整水位至高出种植盆4～6cm，进行第三阶段培养，所述第三阶段培养的时间为10～15d；
4)所述第三阶段培养后，不再保持水位，水自然蒸发至叶片枯死，收集休眠块茎。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述澳系睡莲种苗埋入基质的深度为3～10cm。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛立彦，龙凌云，唐毓玮，黄秋伟，苏群，於艳萍，池昭锦，丁丽琼，李慧敏，谢振兴，欧克纬，黄显雅，宾振钧，
申请(专利权)人：广西壮族自治区亚热带作物研究所广西亚热带农产品加工研究所，
类型：发明
国别省市：广西;45