【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】开关电路以及充电设备的充电电路
本专利技术涉及充电领域，尤其涉及一种开关电路以及充电设备的充电电路。
技术介绍
一方面，对于大功率充电器，用户可能需要在开始充电前侦测端口情况，还需要了解电池的健康情况，因此充电器上需要安装电子开关。另一方面，对于在多通道输出的充电器管家产品，用户可能需要在充电过程中开通若干路输出，并关断若干路输出，因此需要在充电器的每路输出上安装电子开关。因此，如何提供一种开关电路以满足上述需求成为了一个亟待解决的问题。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种开关电路以及充电设备的充电电路，当应用于充电领域时，使得用户可以随时了解充电情况，还可以使得充电设备实现多路输出。第一方面，本申请实施例提供了一种开关电路，所述开关电路包括控制子电路和至少一路开关子电路；所述控制子电路包括电性隔离的第一控制支路和第二控制支路，所述第一控制支路用于控制所述第二控制支路的通断，进而控制所述至少一路开关子电路的通断；所述开关子电路包括至少一路开关支路，所述至少一路开关支路在所述第二控...
【技术保护点】
1.一种开关电路，其特征在于，所述开关电路包括控制子电路和至少一路开关子电路；/n所述控制子电路包括电性隔离的第一控制支路和第二控制支路，所述第一控制支路用于控制所述第二控制支路的通断，进而控制所述至少一路开关子电路的通断；/n所述开关子电路包括至少一路开关支路，所述至少一路开关支路在所述第二控制支路的控制下导通或者关断。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种开关电路，其特征在于，所述开关电路包括控制子电路和至少一路开关子电路；
所述控制子电路包括电性隔离的第一控制支路和第二控制支路，所述第一控制支路用于控制所述第二控制支路的通断，进而控制所述至少一路开关子电路的通断；
所述开关子电路包括至少一路开关支路，所述至少一路开关支路在所述第二控制支路的控制下导通或者关断。
2.根据权利要求1所述的开关电路，其特征在于，所述至少一路开关子电路为：
在所述第二控制支路的控制下导通或者关断的一路开关子电路；
或者，在所述第二控制支路的控制下导通或者关断的至少两路相互并联的开关子电路。
3.根据权利要求1或2所述的开关电路，其特征在于，所述至少一路开关支路为：
在所述第二控制支路的控制下导通或者关断的一路开关支路；
或者，在所述第二控制支路的控制下导通或者关断的至少两路相互并联的开关支路。
4.根据权利要求1～3任一项所述的开关电路，其特征在于，当所述第二控制支路导通时，所述开关子电路导通；当所述第二控制支路关断时，所述开关子电路关断。
5.根据权利要求1～4任一项所述的开关电路，其特征在于，所述第二控制支路包括隔离电源；
当所述第二控制支路导通时，所述隔离电源输出驱动电压至所述开关子电路，使得所述开关子电路导通；
当所述第二控制支路关断时，所述隔离电源不输出驱动电压，使得所述开关子电路关断。
6.根据权利要求1～5任一项所述的开关电路，其特征在于，所述开关支路包括第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管N-MOSFET和第二N-MOSFET，所述第一N-MOSFET的栅极和源极分别与所述第二N-MOSFET的栅极和源极电性连接。
7.根据权利要求6所述的开关电路，其特征在于，所述第一N-MOSFET包括第一寄生二极管，所述第一寄生二极管的正极和负极分别与所述第一N-MOSFET的源极和漏极电性连接；所述第二N-MOSFET包括第二寄生二极管，所述第二寄生二极管的正极和负极分别与所述第二N-MOSFET的源极和漏极电性连接和漏极。
8.根据权利要求7所述的开关电路，其特征在于，所述第一控制支路包括光耦合器，所述光耦合器包括发光二极管和光敏三极管，所述光敏三极管的集电极与所述隔离电源电性连接，所述光敏三极管的发射极与所述第一N-MOSFET的栅极电性连接；
当所述发光二极管导通时，所述光敏三极管的集电极与发射极之间导通，使得所述第二控制支路导通；
当所述发光二极管截止时，所述光敏三极管的集电极与发射极之间关断，使得所述第二控制支路关断。
9.根据权利要求7所述的开关电路，其特征在于，所述隔离电源的正极与所述光敏三极管的集电极电性连接，所述隔离电源的负极与所述第一N-MOSFET的漏极电性连接。
10.根据权利要求6所述的开关电路，其特征在于，所述第一控制支路包括磁隔离器，所述磁隔离器包括输入端、输出端和使能端，所述输入端与所述隔离电源电性连接，所述输出端与所述第一N-MOSFET的栅极电性连接；
当所述使能端为高电平时，所述输入端与所述输出端之间导通，使得所述第二控制支路导通；
当所述使能端为低电平时，所述输入端与所述输出端之间断开，使得所述第二控制支路关断。
11.根据权利要求10所述的开关电路，其特征在于，所述输入端设置有初级线圈，所述输出端设置有次级线圈，其中，所述初级线圈的匝数小于所述次级线圈的匝数；
当所述使能端为高电平时，所述隔离电源输出驱动电压为所述初级线圈供电，使得所述次级线圈产生感应电动势，从而所述输出端输出感应电压。
12.根据权利要求10所述的开关电路，其特征在于，所述输出端的正极与所述第一N-MOSFET的栅极电性连接，所述输出端的负极与所述第一N-MOSFET的漏极电性连接。
13.一种充电设备的充电电路，所述充电设备用于对X路电池充电，X为正整数，其特征在于，所述充电电路包括X路开关电路，所述开关电路包括控制子电路和一路开关子电路；
所述控制子电路包括电性隔离的第一控制支路和第二控制支路，所述第一控制支路用于控制所述第二控制支路的通断，进而控制所述开关子电路的通断；
所述开关子电路包括至少一路开关支路，所述至少一路开关支路在所述第二控制支路的控制下导通或者关断。
14.根据权利要求13所述的充电电路，其特征在于，所述至少一路开关支路为：
在所述第二控制支路的控制下导通或者关断的一路开关支路；
或者，在所述第二控制支路的控制下导通或者关断的至少两路相互并联的开关支路。
15.根据权利要求13或14所述的充电电路，其特征在于，当所述第二控制支路导通时，所述开关子电路导通；当所述第二控制支路关断时，所述开关子电路关断。
16.根据权利要求13～15任一项所述的充电电路，其特征在于，所述第二控制支路包括隔离电源；
当所述第二控制支路导通时，所述隔离电源输出驱动电压至所述开关子电路，使得所述开关子电路导通；
当所述第二控制支路关断时，所述隔离电源不输出驱动电压，使得所述开关子电路关断。
17.根据权利要求13～16任一项所述的充电电路，其特征在于，所述开关支路包括第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管N-MOSFET和第二N-MOSFET，所述第一N-MOSFET的栅极和源极分别与所述第二N-MOSFET的栅极和源极电性连接；
所述第一N-MOSFET的漏极与所述充电设备的正极电性连接，第i路开关电路中的第二N-MOSFET的漏极与第i路电池的正极电性连接，i为不大于X的正整数。
18.根据权利要求17所述的充电电路，其特征在于，所述第一N-MOSFET包括第一寄生二极管，所述第一寄生二极管的正极和负极分别与所述第一N-MOSFET的源极和漏极电性连接；所述第二N-MOSFET包括第二寄生二极管，所述第二寄生二极管的正极和负极分别与所述第二N-MOSFET的源极和漏极电性连接和漏极，从而防止所述电池的电流反灌。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：张彩辉，林宋荣，
申请(专利权)人：深圳市大疆创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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