改善ICP腔体制程气体分布不均的结构及气体均匀组件制造技术

本实用新型专利技术涉及了改善ICP腔体制程气体分布不均的结构及气体均匀组件，包括上分流板、下分流板以及外壳，外壳为上端设置有开口的壳状结构，且外壳底部均匀开设有外壳通孔，上分流板以及下分流板均设置于外壳内，且上分流板设置于下分流板的上方；上分流板外缘均匀开设有上分流板通孔，所述上分流板上端设置有气流通道，所述气流通道设置有进气口与出气口，所述气流通道的进气口朝上设置，所述气流通道的出气口朝向上分流板通孔设置，用于均匀地向各分流板通孔输送气流；所述下分流板上环形阵列设置有下分流板通孔，所述下分流板通孔孔径自上分流板中心到边缘方向逐渐减小。该气体均匀组件能有效地将气流均匀分散开，从而提高晶圆生产质量。

Improving the structure of uneven gas distribution and gas uniformity assembly in ICP cavity process

【技术实现步骤摘要】
改善ICP腔体制程气体分布不均的结构及气体均匀组件
本技术涉及晶圆制造领域，尤其涉及改善ICP腔体制程气体分布不均的结构及气体均匀组件。
技术介绍
ICP电感耦合蚀刻机的制程气体由厂务端提供，经机台端GasBox后，通过腔体上盖的进气口进入反应室。反应室有两个射频，分别为上电极的SourceRF和下电极的PlatenRF。SourceRF经MatchingBox阻抗匹配器后与反应室内的金属线圈连接，线圈内部会形成交变电磁场，从而促使制程气体在线圈区域附近解离产生等离子体，下电极PlatenRF经阻抗匹配器后与静电吸盘ESC相连接，主要为等离子提供向下轰击的能量。气体进入反应室的分布均匀性直接影响产生等离子的分布状态。当等离子在PlantenRF的作用下向下轰击晶圆表面，并与晶圆表面发生反应时，由于受等离子分布状况的影响会使制程出来的晶圆表面各部位蚀刻率产生偏差。如图1所示，目前ICP腔体所采用供气方式为在腔盖中部开一小圆孔，气体通过该小圆孔进入反应室，该通气方式易使制程气体向腔体各处扩散量分布不均，并呈中部气体浓度高，外围气体浓本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气体均匀组件，其特征在于：包括上分流板、下分流板以及外壳，所述外壳为上端设置有开口的壳状结构，且外壳底部均匀开设有外壳通孔，所述上分流板以及下分流板均设置于外壳内，且上分流板设置于下分流板的上方；/n所述上分流板外缘均匀开设有上分流板通孔，所述上分流板上端设置有气流通道，所述气流通道设置有进气口与出气口，所述气流通道的进气口朝上设置，所述气流通道的出气口朝向上分流板通孔设置，用于均匀地向各分流板通孔输送气流；/n所述下分流板上环形阵列设置有下分流板通孔，所述下分流板通孔孔径自上分流板中心到边缘方向逐渐减小。/n

【技术特征摘要】
1.一种气体均匀组件，其特征在于：包括上分流板、下分流板以及外壳，所述外壳为上端设置有开口的壳状结构，且外壳底部均匀开设有外壳通孔，所述上分流板以及下分流板均设置于外壳内，且上分流板设置于下分流板的上方；
所述上分流板外缘均匀开设有上分流板通孔，所述上分流板上端设置有气流通道，所述气流通道设置有进气口与出气口，所述气流通道的进气口朝上设置，所述气流通道的出气口朝向上分流板通孔设置，用于均匀地向各分流板通孔输送气流；
所述下分流板上环形阵列设置有下分流板通孔，所述下分流板通孔孔径自上分流板中心到边缘方向逐渐减小。


2.根据权利要求1所述的气体均匀组件，其特征在于：所述气流通道进气口与上分流板的中心位置相对应。


3.根据权利要求1或2所述的气体均匀组件，其特征在于：所述气流通道包括两个以上的弧形突起结构，所述弧形突起结构连接于上分流板的上端面，各弧形突起结构背向相对设置形成气流通道进气口，相邻弧形突起结构之间的缝隙形成大小相同的气流通道出气口。


4.根据权利要求3所述的气体均匀组件，其特征在于：所述弧形突起结构的个数为四个。


5.根据权利要求3所述的气体均匀组件，其特征在于：所述弧形突起结构的形状、大小...

【专利技术属性】
技术研发人员：林茂春，翁智杰，田智杰，车应军，黄建顺，
申请(专利权)人：福建省福联集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35