接合体、自带散热器的绝缘电路基板及散热器制造技术

铝合金部件(31)由Mg浓度被设在0.4质量％以上且7.0质量％以下的范围内而Si浓度被设为小于1质量％的铝合金构成，铝合金部件(31)与铜部件(13B)被固相扩散接合，在铝合金部件(31)与铜部件(13B)的接合界面形成有化合物层(40)，所述化合物层(40)由配设于铝合金部件(31)侧且由Cu和Al的金属间化合物的θ相构成的第一金属间化合物层(41)、配设于铜部件(13B)侧且由Cu和Al的金属间化合物的γ2相构成的第二金属间化合物层(42)及在第一金属间化合物层(41)与第二金属间化合物层(42)之间形成的Cu‑Al‑Mg层(43)构成。

Connector, insulated circuit base plate with radiator and radiator

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】接合体、自带散热器的绝缘电路基板及散热器
本专利技术涉及一种接合有由铝合金构成的铝合金部件和由铜或铜合金构成的铜部件的接合体、在绝缘层的一个表面上形成有电路层的绝缘电路基板上接合有散热器的自带散热器的绝缘电路基板、在散热器主体上形成有铜部件层的散热器。本申请主张基于2017年10月27日于日本申请的专利申请2017-208318号及2018年10月22日于日本申请的专利申请2018-198468号的优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
在LED或功率模块等半导体装置中，被设为在由导电材料构成的电路层上接合有半导体元件的结构。在为了控制风力发电、电动汽车及混合动力汽车等而使用的大电力控制用功率半导体元件中，由于发热量较多，因此作为搭载该半导体元件的基板，自以往广泛使用具备例如由氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)等构成的陶瓷基板及在该陶瓷基板的一个表面上接合导电性优异的金属板而形成的电路层的绝缘电路基板。另外，作为功率模块用基板，还提供一种在陶瓷基板的另一表面上形成金属层的功率模块用基板。例如，在专利文献1所示的功率模本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接合体，其接合有由铝合金构成的铝合金部件和由铜或铜合金构成的铜部件，所述接合体的特征在于，/n所述铝合金部件由Mg浓度被设在0.4质量％以上且7.0质量％以下的范围内而Si浓度被设为小于1质量％的铝合金构成，所述铝合金部件与所述铜部件被固相扩散接合，/n在所述铝合金部件与所述铜部件的接合界面具备所述铝合金部件的金属原子和所述铜部件的Cu原子扩散而形成的化合物层，/n该化合物层由配设于所述铝合金部件侧且由Cu和Al的金属间化合物的θ相构成的第一金属间化合物层、配设于所述铜部件侧且由Cu和Al的金属间化合物的γ2相构成的第二金属间化合物层及在这些第一金属间化合物层与第二金属间化合物层之间形...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171027 JP 2017-208318;20181022 JP 2018-1984681.一种接合体，其接合有由铝合金构成的铝合金部件和由铜或铜合金构成的铜部件，所述接合体的特征在于，
所述铝合金部件由Mg浓度被设在0.4质量％以上且7.0质量％以下的范围内而Si浓度被设为小于1质量％的铝合金构成，所述铝合金部件与所述铜部件被固相扩散接合，
在所述铝合金部件与所述铜部件的接合界面具备所述铝合金部件的金属原子和所述铜部件的Cu原子扩散而形成的化合物层，
该化合物层由配设于所述铝合金部件侧且由Cu和Al的金属间化合物的θ相构成的第一金属间化合物层、配设于所述铜部件侧且由Cu和Al的金属间化合物的γ2相构成的第二金属间化合物层及在这些第一金属间化合物层与第二金属间化合物层之间形成的Cu-Al-Mg层构成。


2.根据权利要求1所述的接合体，其特征在于，在所述铝合金部件的接合面形成有镁氧化物膜。


3.根据权利要求2所述的接合体，其特征在于，所述镁氧化物膜具有结晶性粒状体。


4.一种自带散热器的绝缘电路基板，其具备绝缘层、形成于该绝缘层的一个表面上的电路层、形成于所述绝缘层的另一表面上的金属层及配置于该金属层的与所述绝缘层相反的一侧的表面上的散热器，所述自带散热器的绝缘电路基板的特征在于，
所述金属层中与所述散热器的接合面由铜或铜合金构成，
所述散热器中与所述金属层的接合面由Mg浓度被设在0.4质量％以上且7.0质量％以下的范围内而Si浓度被设为小于1质量％的铝合金构成，
所述散热器与所述金属层被固相扩...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺崎伸幸，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP