【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蚀刻组合物相关申请的交叉引用本申请主张于2017年10月19日申请的美国临时申请案序号第62/574,279号案的优先权，其内容通过引用完整并入本文中。
本专利技术涉及在诸如金属导体(例如，铜)、阻挡材料、绝缘材料(例如，低k介电材料)的其他暴露或底层材料存在下，选择性蚀刻钽和/或氮化钽的组合物及方法。
技术介绍
半导体产业正快速降低微电子装置、硅芯片、液晶显示器、MEMS(微机电系统)、印刷布线板等中的电子电路及电子组件的尺寸及增加其密度。其内的集成电路系被分层或堆叠，且不断地降低每一电路层间的绝缘层的厚度及使特征尺寸愈来愈小。随着特征尺寸变小，图案变得更小，且装置性能参数变得更紧实且更稳健。因此，由于更小的特征尺寸，先前可被容忍的各种问题不再能被容忍或变得更有问题。在制造先进集成电路中，为使与更高密度有关的问题达最小且使性能达最佳，高k绝缘子及低k的绝缘子及各种阻挡层材料已被使用。钽(Ta)及氮化钽(TaN)被用于半导体装置、液晶显示器、MEMS(微机电系统)、印刷布线板等，且作为用于贵金...
【技术保护点】
1.一种蚀刻组合物，包含：/na)氢氟酸；/nb)至少一种第一溶剂，所述第一溶剂包含羧酸；/nc)至少一种氧化剂；及/nd)至少一种络合剂，所述络合剂选自由聚羧酸及羟基羧酸所组成的组。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171019 US 62/574,2791.一种蚀刻组合物，包含：
a)氢氟酸；
b)至少一种第一溶剂，所述第一溶剂包含羧酸；
c)至少一种氧化剂；及
d)至少一种络合剂，所述络合剂选自由聚羧酸及羟基羧酸所组成的组。
2.如权利要求1所述的组合物，其中，所述氢氟酸的量为所述组合物的约0.1重量％至约5重量％。
3.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种第一溶剂包含R-COOH，其中，R为H或C1-C6烷基。
4.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种第一溶剂包含甲酸、乙酸、三氟乙酸、丙酸、乳酸、丁酸、戊酸或己酸。
5.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种第一溶剂的量为所述组合物的约70重量％至约99.9重量％。
6.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种氧化剂包含硝酸、KMnO4、H2O2、H5IO5或NaClO4。
7.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种氧化剂的量为所述组合物的约0.01重量％至约0.5重量％。
8.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种络合剂包含乙二酸、柠檬酸或2-羟基苯甲酸。
9.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种络合剂的量为所述组合物的约0.1重量％至约10重量％。
10.如权利要求1所述的组合物，进一步包含至少一种六氟硅酸盐化合物。
11.如权利要求10所述的组合物，其中，所述至少一种六氟硅酸盐化合物包括H2SiF6、Na2SiF6、K2SiF6或(NH4)2SiF6。
12.如权利要求10所述的组合物，其中，所述至少一种六氟硅酸盐的量为所述组合物的约0.1重量％至约5重量％。
13.如权利要求1所述的组合物，进一步包含至少一种磺酸。
14.如权利要求13所述的组合物，其中，所述至少一种磺酸包含对甲苯磺酸、甲磺酸或十二烷基苯磺酸。
15.如权利要求13所述的组合物，其中，所述至少一种磺酸的量为所述组合物的约0.1重量％至约10重量％。
16.如权利要求1所述的组合物，进一步包含至少一种第二溶剂，所述第二溶剂选自由有机溶剂及无机溶...
【专利技术属性】
技术研发人员：水谷笃史，
申请(专利权)人：富士胶片电子材料美国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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