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本发明涉及蚀刻组合物，可用于例如作为多步骤半导体制造方法中的中间步骤，从半导体衬底选择性移除钽(Ta)和/或氮化钽(TaN)。...
该专利属于富士胶片电子材料美国有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过富士胶片电子材料美国有限公司授权不得商用。

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