【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体发光纳米颗粒专利
本专利技术涉及半导体的领域且涉及量子产率提高且陷阱发射(trapemission)减少的新型量子点、一种获得其的方法及该新型半导体的进一步应用。
技术介绍
量子点(QD)为直径在纳米范围内(约2至20nm)的半导性颗粒，该半导性颗粒如此小以使得晶体的光学及电子特性改变。量子点的特殊特征为其随着粒径而改变其色彩。为了产生例如蓝色QD，不需要除红色QD所用以外的其他材料，其仅必须用不同粒径及/或不同组成来产生。除了诸如显示器的典型应用之外，现也在诸如太阳能电池或处理器的许多其他领域中使用QD。量子点可发荧光且将光子转换成其他波长以及发光。然而，无庸置疑地，其突出特性为改善显示器中的背景光照的能力。LCDTV使用白色背景光且接着过滤蓝光、绿光及红光以显示色彩。具有磷光层的蓝光LED通常被用于此所谓的“背光”。QD背光优于基于磷光体的“白光LED”背光的最强技术优势为窄FWHM(＜50nm)，其实现了广色域，例如增加所显示色彩的量。一些磷光体膜可给出高达＞90％的EQE，其与QD膜的EQE相当...
【技术保护点】
1.一种半导体纳米级发光材料，其包含核、任选的一个或多个壳层及涂覆于该核或该壳层的最外表面上的配体或由核、任选的一个或多个壳层及涂覆于该核或该壳层的最外表面上的配体组成，/n其中该配体为一种或多种金属膦酸盐及/或其衍生物，且/n其中该金属膦酸盐遵循以下根据式(I)、(II)、(III)、(IV)及/或(V)的结构之一/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171013 EP 17196436.41.一种半导体纳米级发光材料，其包含核、任选的一个或多个壳层及涂覆于该核或该壳层的最外表面上的配体或由核、任选的一个或多个壳层及涂覆于该核或该壳层的最外表面上的配体组成，
其中该配体为一种或多种金属膦酸盐及/或其衍生物，且
其中该金属膦酸盐遵循以下根据式(I)、(II)、(III)、(IV)及/或(V)的结构之一
其中R选自由烷基、烯基、炔基、芳基及烷基芳基组成的组，且其中R包含至少2个且不超过20个碳原子，且
其中X选自由羟基、酯及醚组成的组。
2.根据权利要求1的材料，其中该金属膦酸盐遵循以下根据式(I)、(II)、(III)、(IV)及/或(V)的结构之一，且
其中R进一步包含选自由以下组成的组的至少一个官能团：羟基、羰基、羧基、醚、酯、氨基、硫代、甲硅烷基、磺酸基及卤素。
3.根据权利要求1或2的材料，其中用于该金属膦酸盐的金属阳离子选自由以下组成的组：Mg、Ca、Ba、Cu、Fe、Zn或其混合物。
4.根据权利要求1至3中任一项的材料，其中用于该金属膦酸盐的金属阳离子为Mg及/或Zn。
5.根据权利要求1至4中任一项的材料，其中用于该金属膦酸盐的金属阳离子为Zn。
6.根据权利要求1至5中任一项的材料，其中所述半导体纳米级发光材料包含核及任选的一个或多个壳层或由该核及任选的一个或多个壳层组成，
其中所述核由一种、两种或更多种根据式(VI)的化合物形成，
[A1B1](VI)
其中
[A1]代表选自由以下组成的组的金属：锌、镉、铟或其混合物；
[B1]代表选自由以下组成的组的非金属：硫、硒、磷或其混合物。
7.根据权利要求6的半导体纳米级发光材料，其中[A1B1]代表选自由以下组成的组的一种、两种或更多种化合物：CdS、CdSe、CdSeS、CdZnS、ZnS、ZnSe、ZnSeS及InP。
8.根据权利要求6的半导体纳米级发光材料，其中
[A1]代表铟；且
[B1]代表磷。
9.根据权利要求1至7中任一项的材料，其中所述半导体纳米级发光材料的所述壳由一种、两种或更多种根据式(VII)的化合物形成
[A2B2](VII)
其中
[A2]代表选自由以下组成的组的金属：锌、镉或其混合物；
[B2]代表选自由以下组成的组的非金属：硫、硒或其混合物。
10.根据权利要求9的材料，其中[A2B2]代表选自由以下组成的组的一种、两种或更多种化合物：CdS、CdSe、CdSeS、CdZnS、ZnS、ZnSe及ZnSeS、ZnSeSTe。
11.根据权利要求10的材料，其中所述半导体纳米级发光材料包含该核[A1B1]及至少一个壳[A2B2]的核壳结构，所述核/壳结构[A1B1]/[A2B2]选自由以下组成的组：CdSeS/CdZnS、CdSeS，CdS/ZnS、CdSeS/CdS，ZnSCdSe/ZnS、InP/ZnS、In...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·塞姆尤诺夫，E·沙维夫，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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