【技术实现步骤摘要】
量子点、其制造方法、组合物和图案化膜以及显示装置本申请要求于2018年11月23日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0146748号韩国专利申请的优先权和由此产生的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
公开了量子点、包括该量子点的组合物和复合物以及包括该量子点的电子装置。
技术介绍
不同于体(bulk)材料，量子点(即，纳米尺寸半导体纳米晶体)通过控制纳米晶体的尺寸和组成而可以具有不同的能带隙。量子点可以呈现出电致发光性质和光致发光性质。量子点的光致发光性质可以应用于(例如用于)各种领域。就环境观点(例如关注点)而言，期望开发能够实现(例如呈现)改善的光致发光性质的非镉基量子点。
技术实现思路
实施例提供了包括呈现出改善的光致发光性质(例如蓝光吸收)的非镉基量子点的组合物。实施例提供了包括非镉基量子点的量子点聚合物复合物。实施例提供了包括量子点聚合物复合物的堆叠结构和电子装置。实施例提供了前述非镉基量子点。在实施...
【技术保护点】
1.一种量子点，所述量子点包括：/n种子，包括第一半导体纳米晶体，第一半导体纳米晶体包括第一II-VI族化合物；/n量子阱，围绕种子，量子阱包括第二半导体纳米晶体，第二半导体纳米晶体包括IIIA族金属和V族元素，其中，所述IIIA族金属不包括铝；以及/n壳，设置在量子阱上，壳包括第三半导体纳米晶体，第三半导体纳米晶体包括第二II-VI族化合物，/n其中，量子点不包括镉，/n第二半导体纳米晶体的能带隙比第一半导体纳米晶体的能带隙小，/n第二半导体纳米晶体的能带隙比第三半导体纳米晶体的能带隙小，并且/n量子点的紫外-可见吸收光谱曲线在450纳米至600纳米的波长范围内不具有拐点。/n
【技术特征摘要】
20181123 KR 10-2018-01467481.一种量子点，所述量子点包括：
种子，包括第一半导体纳米晶体，第一半导体纳米晶体包括第一II-VI族化合物；
量子阱，围绕种子，量子阱包括第二半导体纳米晶体，第二半导体纳米晶体包括IIIA族金属和V族元素，其中，所述IIIA族金属不包括铝；以及
壳，设置在量子阱上，壳包括第三半导体纳米晶体，第三半导体纳米晶体包括第二II-VI族化合物，
其中，量子点不包括镉，
第二半导体纳米晶体的能带隙比第一半导体纳米晶体的能带隙小，
第二半导体纳米晶体的能带隙比第三半导体纳米晶体的能带隙小，并且
量子点的紫外-可见吸收光谱曲线在450纳米至600纳米的波长范围内不具有拐点。
2.根据权利要求1所述的量子点，其中，第一II-VI族化合物、第二II-VI族化合物或它们的组合包括锌硫属元素化物。
3.根据权利要求1所述的量子点，其中，第一半导体纳米晶体和第三半导体纳米晶体具有彼此不同的组成。
4.根据权利要求1所述的量子点，其中，
第一半导体纳米晶体包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合，并且
第三半导体纳米晶体包括ZnSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合。
5.根据权利要求1所述的量子点，其中，量子阱包括铟和磷。
6.根据权利要求5所述的量子点，其中，量子阱还包括锌、铝或它们的组合。
7.根据权利要求5所述的量子点，其中，量子阱还包括铝和氧。
8.根据权利要求5所述的量子点，其中，在量子点中，铟和磷的总摩尔量小于或等于20％。
9.根据权利要求5所述的量子点，其中，量子点的磷与铟之比大于或等于1:1。
10.根据权利要求6所述的量子点，其中，量子点的锌与铟之比大于或等于20:1。
11.根据权利要求6所述的量子点，其中，
种子包括锌和硒，并且壳包括锌、硒和硫，并且
量子点的锌与硒和硫之和的摩尔比大于或等于1:1。
12.根据权利要求6所述的量子点，其中，量子阱包括多个层，并且所述多个层中的相邻层具有彼此不同的组成。
13.根据权利要求12所述的量子点，其中，量子阱中的与种子相邻的层包括磷化锌、磷化锌铟、氧化铝磷或它们的组合。
14.根据权利要求12所述的量子点，其中，量子阱中的与壳相邻的层包括磷化铟。
15.根据权利要求1所述的量子点，其中，
量子点发射绿光，并且
量子点的紫外-可见吸收光谱曲线在450纳米至580纳米的波长范围内不具有拐点。
16.根据权利要求1所述的量子点，其中，
量子点发射绿光，并且
在量子点的紫外-可见吸收光谱曲线中，450纳米波长...
【专利技术属性】
技术研发人员：李钟敏，朴英奭，金泽勋，田信爱，J·A·金，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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