半导体发光材料制造技术

提出了一种具有配体的半导体纳米发光材料。

Semiconductor luminescent material

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体发光材料
本专利技术涉及半导体领域，并涉及具有改善的量子产率的新的量子点、获得它们的方法以及所述新的半导体的进一步用途。
技术介绍
量子点(QD)是直径在纳米范围(约2至20nm)内的半导体颗粒，其非常小以至于晶体的光学和电子性质改变。量子点的一个特殊特征是它们的颜色随粒径而变化。为了产生例如蓝色量子点，不需要像红色量子点那样的其它材料，它们仅必须以不同的粒度产生。除了典型的应用如显示器之外，量子点现在还用于许多其它领域，如太阳能电池或处理器。量子点可以发荧光并将光子转换成其他波长以及发射光。然而，它们的突出特性无疑是改善显示器中背景照明的能力。LCDTV使用白色背景光，然后过滤蓝光、绿光和红光以显示颜色。具有发光体层的蓝色发光二极管通常用于这种所谓的“背光”。然而，其缺点是发光体层不能完全将蓝光转换成白光。借助于量子点，可以解决这个问题，因为它们能够根据其尺寸将蓝光精确地转换为期望的波长。通过更多或更少的色点，也可以控制色比，从而生色液晶层必须更少得校正。QD背光优于基于发光体的“白色LED”背光的最强技术优点是窄FWH本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体纳米发光材料，包含核、任选的一个或多个壳层和配体或由核、任选的一个或多个壳层和配体组成，所述配体涂覆在所述核上或所述壳层的最外表面上，/n其中所述配体是至少一种硫代金属盐。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171013 EP 17196435.61.半导体纳米发光材料，包含核、任选的一个或多个壳层和配体或由核、任选的一个或多个壳层和配体组成，所述配体涂覆在所述核上或所述壳层的最外表面上，
其中所述配体是至少一种硫代金属盐。


2.根据权利要求1所述的材料，其中所述配体由式(I)表示：



其中，
M表示二价金属，优选锌、镁、铜或其混合物；
X表示-O-或-S-或-NR2-；
Y1表示-O-或-S-；
R1、R2彼此独立地表示具有2-25个碳原子的烷基、烯基、炔基、芳基和/或芳烷基链，任选地被官能团取代；或
根据以下式(II)和/或(III)的基团
-(CHR5)xO(CHR5)y2-NR3R4(II)
-(CH2CHR5O)zR6(III)
R3、R4彼此独立地表示具有1-6个碳原子的直链或支链烷基链；
R5表示氢或甲基；
R6表示具有1-4个碳原子的烷基链，任选地被官能团取代；
x、y2彼此独立地表示1-5的整数；和
z表示1-30的整数。


3.根据权利要求1或2所述的材料，其中所述配体由式(I)表示，和其中R1、R2彼此独立地表示具有7-20个碳原子的烷基、烯基、炔基、芳基和/或芳烷基链，其任选地被官能团取代。


4.根据权利要求1至3中的任一项所述的材料，其中所述配体是二烷基硫代氨基甲酸金属盐和/或二烷基二硫代碳酸金属盐和/或烷基三硫代氨基甲酸金属盐。


5.根据权利要求1至4中的任一项所述的材料，其中所述核由根据式(IV)的一种、两种或更多种化合物形成，
[A1B1](IV)
其中，
[A1]表示选自锌、镉、铟或其混合物的金属；
[B1]表示选自硫、硒、磷或其混合物的非金属。


6.根据权利要求5所述的材料，其中[A1B1]表示选自CdS、CdSe、CdSeS、CdZnS、ZnS、ZnSe、ZnSeS和InP的一种、两种或更多种化合物。


7.根据权利要求1至6中的任一项所述的材料，其中所述一个或多个核由根据式(V)的一种、两种或更多种化合物形成，
[A2B2](V)
其中，
[A2]表示选自锌、镉或其混合物的金属；
[B2]表示选自硫、硒或其混合物的非金属。


8.根据权利要求7所述的材料，其中[A2B2]表示选自CdS、CdSe、CdSeS、CdZnS、ZnS、ZnSe和ZnSeS、ZnSeSTe的一种、两种或更多种化合物。


9.根据权利要求1至8中的任一项所述的材料，其中所述材料包括核[A1B1]和至少一个壳[A2B2]，所述[A1B1]/[A2B2]选自CdSeS/CdZnS、CdSeS,CdS/ZnS、CdSeS/CdS,ZnSCdSe/ZnS、InP/ZnS、InP/ZnSe、InP/ZnSe,ZnS、InP(Zn)/ZnSe、InP(Zn)/ZnSe,ZnS、InP(Zn)/ZnSe,ZnS,ZnTe、ZnSe/CdS、ZnSe/ZnS或其混合物。

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【专利技术属性】
技术研发人员：S·卡里利，K·奥德，D·格罗兹曼，E·沙维夫，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE