射频放大器的偏置电路制造技术

本发明专利技术公开了一种射频放大器的偏置电路，包括第一稳压电路，第一稳压电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、电容及电感；其中，还包括第二稳压电路，第二稳压电路包括第六电阻、第四三极管及第五三极管，外部另一电压输入第六电阻的一端，第六电阻的另一端分别与第一电阻的另一端、第四三极管的集电极、第四三极管的基极连接；第四三极管的发射极分别与第五三极管的集电极、第五三极管的基极连接，第五三极管的发射极接地。本发明专利技术的射频放大器的偏置电路增强了在外部输入电压变化的条件下稳定偏置电路输出电压以及射频放大器静态电流的能力，提高偏置电路对外部输入电压公差的兼容性。

Bias circuit of RF amplifier

【技术实现步骤摘要】
射频放大器的偏置电路
本专利技术涉及射频微波领域，更具体地涉及一种射频放大器的偏置电路。
技术介绍
通常射频放大器电路包括输入匹配电路IMN，偏置电路BIAS，射频功率放大器PA及输出匹配电路OMN，如图1所示，输入匹配电路IMN，射频功率放大器PA及输出匹配电路OMN依次顺序连接，偏置电路BIAS同时与匹配电路IMN、射频功率放大器PA连接，且射频信号输入端口IN与输入匹配电路IMN连接，射频信号输出端口OUT与输出匹配电路IMN连接。其中所述偏置电路BIAS为射频功率放大器PA提供偏置电压。传统常用的偏置电路BIAS结构如图2所示，该偏置电路BIAS由三极管Q1、Q2、Q3，电阻R1、R2、R3、R4、R5，电感L1,电容C1构成。其中对减小外部输入电压VCC1的波动引起的偏置点变化起主要作用的电路部分由三极管Q1、Q2、Q3，电阻R1、R2、R3、R4组成。该部分电路的工作原理为：当电压VCC1升高时，三极管Q2基极电压升高，三极管Q1发射极电压升高，最终导致射频功率放大器PA的偏置电压升高。但是由于三极管Q1基极电压升高，会造成三极管Q3基极电压升高，从而减小三极管Q2基极电压的增量，进而减小射频功率放大器PA的偏置电压的变化量。反之亦然，因此该部分电路在VCC1变化时，能够稳定偏置电路的输出电压以及PA的静态电流。在上述射频放大器电路中，由于稳定偏置电路的输出电压和PA的静态电流的能力不足，在电压VCC1变化较大的情况下，偏置电路BISA输出电压的变化较大或射频功率放大器PA的静态电流变化较大。因此电压VCC1公差较大的情况下，难以将射频功率放大器PA的静态电流稳定在可接受的范围以内，这就导致PA的各项性能指标(P1dB、效率、线性度等)很难落在预先设定的范围以内。因此，有必要提供一种改进的射频放大器的偏置电路，以增强在外部输入电压变化的条件下稳定偏置电路输出电压以及射频功率放大器的静态电流的能力，提高偏置电路对外部输入电压公差的兼容性。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种射频放大器的偏置电路，本专利技术的射频放大器的偏置电路增强了在外部输入电压变化的条件下稳定偏置电路输出电压以及射频放大器静态电流的能力，提高偏置电路对外部输入电压公差的兼容性。为实现上述目的，本专利技术提供一种射频放大器的偏置电路，包括第一稳压电路，所述第一稳压电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、电容及电感，所述第一三极管的发射极通过第五电阻与电感连接，且所述电感输出偏置电压至所述射频放大器；所述第二三极管的发射极通过第四电阻与所述第三电阻连接；所述第三三极管的发射极与第二电阻连接，其集电极与第一电阻的一端连接；外部一电压输入所述第二三极管及第三三极管的集电极；所述电容与所述第一三极管的基极连接器；其中，还包括第二稳压电路，所述第二稳压电路包括第六电阻、第四三极管及第五三极管，外部另一电压输入所述第六电阻的一端，所述第六电阻的另一端分别与第一电阻的另一端、第四三极管的集电极、第四三极管的基极连接；第四三极管的发射极分别与第五三极管的集电极、第五三极管的基极连接，所述第五三极管的发射极接地。较佳地，所述射频放大器的偏置电路还包括第七电阻，所述第七电阻一端与所述第六电阻的另一端连接，其另一端与所述第四三极管的基极连接。较佳地，所述射频放大器的偏置电路还包括第八电阻，所述第八电阻一端与所述第四三极管的发射极连接，其另一端与所述第五三极管的基极连接。较佳地，所述第四三极管与第五三极管均为NPN型三极管。与现有技术相比，本专利技术的射频放大器的偏置电路由于还包括第二稳压电路，使得当外部输入电压VCC1电压升高时，流经第四三极管的电流迅速升高，第六电阻两端的压降升高，减小了第四三极管集电极电压随外部电压VCC1升高的增量；反之，当外部电压VCC1电压降低时，流经第四三极管的电流迅速减小，第六电阻两端的压降降低，降低了第四三极管集电极电压随外部电压VCC1降低的下降量。因此，所述第二稳压电路对于外部电压VCC1的变化有直接的稳压功能，稳定了整个偏置电路的输出电压，提高偏置电路对外部输入电压公差的兼容性。通过以下的描述并结合附图，本专利技术将变得更加清晰，这些附图用于解释本专利技术的实施例。附图说明图1为现有技术射频放大器的结构框图。图2为现有技术射频放大器的偏置电路的结构图。图3为本专利技术射频放大器的偏置电路的结构图。图4为现有技术与本专利技术的偏置电路输出电流的对比图。具体实施方式现在参考附图描述本专利技术的实施例，附图中类似的元件标号代表类似的元件。如上所述，本专利技术提供了一种射频放大器的偏置电路，本专利技术的射频放大器的偏置电路增强了在外部输入电压变化的条件下稳定偏置电路输出电压以及射频放大器静态电流的能力，提高偏置电路对外部输入电压公差的兼容性。请参考图3，图3为本专利技术术射频放大器的偏置电路的结构图。如图所示，本专利技术的射频放大器的偏置电路，包括第一稳压电路与第二稳压电路。所述第一稳压电路包括第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、电容C1及电感L1；所述第一三极管Q1的发射极通过第五电阻R5与电感L1连接，且所述电感L1通过输出结点B1输出偏置电压至所述射频放大器PA(如图1所示)；所述第二三极管Q2的发射极通过第四电阻R4与所述第三电阻R3连接；所述第三三极管Q3的发射极与第二电阻R2连接，其集电极与第一电阻R1的一端连接；外部一电压VCC2输入所述第二三极管Q2及第三三极管Q3的集电极；所述电容C1与所述第一三极管Q1的基极连接；所述第一稳压电路结构及功能特征与现有技术的偏置电路(如图2所示)完全相同，在此不再细述，具体请参考图2与图3。所述第二稳压电路包括第六电阻R6、第四三极管Q4及第五三极管Q5；外部另一电压VCC1输入所述第六电阻R6的一端，所述第六电阻R6的另一端分别与第一电阻R1的另一端、第四三极管Q4的集电极、第四三极管Q4的基极连接；第四三极管Q4的发射极分别与第五三极管Q5的集电极、第五三极管Q5的基极连接，所述第五三极管Q5的发射极接地。通过上述第二稳压电路，当外部输入电压VCC1电压升高时，流经第四三极管Q4的电流迅速升高，第六电阻R6两端的压降升高，最终减小了第四三极管Q4集电极电压随外部电压VCC1升高的增量；反之，当外部电压VCC1电压降低时，流经第四三极管Q4的电流迅速减小，第六电阻R止两端的压降降低，最终降低了第四三极管Q4集电极电压随外部电压VCC1降低的下降量。因此，所述第二稳压电路对于外部电压VCC1的变化有直接的稳压功能，稳定了整个偏置电路的输出电压。请再结合参考图3，作为本专利技术的优选实施方式，所述偏置电路还包括第七电阻R7与第八电阻R8；所述第七电阻R7一端与所述第六电阻R6的另一端连接，其另一端与所述第四三极管Q4的基极连接；所述第八电阻R8一端与所述第四三极管Q本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频放大器的偏置电路，包括第一稳压电路，所述第一稳压电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、电容及电感，所述第一三极管的发射极通过第五电阻与电感连接，且所述电感输出偏置电压至所述射频放大器；所述第二三极管的发射极通过第四电阻与所述第三电阻连接；所述第三三极管的发射极与第二电阻连接，其集电极与第一电阻的一端连接；外部一电压输入所述第二三极管及第三三极管的集电极；所述电容与所述第一三极管的基极连接器；其特征在于，还包括第二稳压电路，所述第二稳压电路包括第六电阻、第四三极管及第五三极管，外部另一电压输入所述第六电阻的一端，所述第六电阻的另一端分别与第一电阻的另一端、第四三极管的集电极、第四三极管的基极连接；第四三极管的发射极分别与第五三极管的集电极、第五三极管的基极连接，所述第五三极管的发射极接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种射频放大器的偏置电路，包括第一稳压电路，所述第一稳压电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、电容及电感，所述第一三极管的发射极通过第五电阻与电感连接，且所述电感输出偏置电压至所述射频放大器；所述第二三极管的发射极通过第四电阻与所述第三电阻连接；所述第三三极管的发射极与第二电阻连接，其集电极与第一电阻的一端连接；外部一电压输入所述第二三极管及第三三极管的集电极；所述电容与所述第一三极管的基极连接器；其特征在于，还包括第二稳压电路，所述第二稳压电路包括第六电阻、第四三极管及第五三极管，外部另一电压输入所述第六电阻的一端，所述第六电阻的另一端分别与第一电阻的另...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘元鑫，张宗楠，吴杰，刘辉，
申请(专利权)人：四川和芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51