射频放大器的偏置电路制造技术

本发明专利技术公开了一种射频放大器的偏置电路，包括第一稳压电路，第一稳压电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、电容及电感；其中，还包括第二稳压电路，第二稳压电路包括第六电阻、第四三极管及第五三极管，外部另一电压输入第六电阻的一端，第六电阻的另一端分别与第一电阻的另一端、第四三极管的集电极、第四三极管的基极连接；第四三极管的发射极分别与第五三极管的集电极、第五三极管的基极连接，第五三极管的发射极接地。本发明专利技术的射频放大器的偏置电路增强了在外部输入电压变化的条件下稳定偏置电路输出电压以及射频放大器静态电流的能力，提高偏置电路对外部输入电压公差的兼容性。

Bias circuit of RF amplifier

【技术实现步骤摘要】
射频放大器的偏置电路
本专利技术涉及射频微波领域，更具体地涉及一种射频放大器的偏置电路。
技术介绍
通常射频放大器电路包括输入匹配电路IMN，偏置电路BIAS，射频功率放大器PA及输出匹配电路OMN，如图1所示，输入匹配电路IMN，射频功率放大器PA及输出匹配电路OMN依次顺序连接，偏置电路BIAS同时与匹配电路IMN、射频功率放大器PA连接，且射频信号输入端口IN与输入匹配电路IMN连接，射频信号输出端口OUT与输出匹配电路IMN连接。其中所述偏置电路BIAS为射频功率放大器PA提供偏置电压。传统常用的偏置电路BIAS结构如图2所示，该偏置电路BIAS由三极管Q1、Q2、Q3，电阻R1、R2、R3、R4、R5，电感L1,电容C1构成。其中对减小外部输入电压VCC1的波动引起的偏置点变化起主要作用的电路部分由三极管Q1、Q2、Q3，电阻R1、R2、R3、R4组成。该部分电路的工作原理为：当电压VCC1升高时，三极管Q2基极电压升高，三极管Q1发射极电压升高，最终导致射频功率放大器PA的偏置电压升高。但是由于三极管Q1基极电压升高，会造成三极管Q本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频放大器的偏置电路，包括第一稳压电路，所述第一稳压电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、电容及电感，所述第一三极管的发射极通过第五电阻与电感连接，且所述电感输出偏置电压至所述射频放大器；所述第二三极管的发射极通过第四电阻与所述第三电阻连接；所述第三三极管的发射极与第二电阻连接，其集电极与第一电阻的一端连接；外部一电压输入所述第二三极管及第三三极管的集电极；所述电容与所述第一三极管的基极连接器；其特征在于，还包括第二稳压电路，所述第二稳压电路包括第六电阻、第四三极管及第五三极管，外部另一电压输入所述第六电阻的一端，所述第六电阻的另...

【技术特征摘要】
1.一种射频放大器的偏置电路，包括第一稳压电路，所述第一稳压电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、电容及电感，所述第一三极管的发射极通过第五电阻与电感连接，且所述电感输出偏置电压至所述射频放大器；所述第二三极管的发射极通过第四电阻与所述第三电阻连接；所述第三三极管的发射极与第二电阻连接，其集电极与第一电阻的一端连接；外部一电压输入所述第二三极管及第三三极管的集电极；所述电容与所述第一三极管的基极连接器；其特征在于，还包括第二稳压电路，所述第二稳压电路包括第六电阻、第四三极管及第五三极管，外部另一电压输入所述第六电阻的一端，所述第六电阻的另一端分别与第一电阻的另...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘元鑫，张宗楠，吴杰，刘辉，
申请(专利权)人：四川和芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51