【技术实现步骤摘要】
温度稳定振荡器
本公开涉及非晶体基的温度稳定振荡器的领域。
技术介绍
微机电设备(称为MEMS设备)逐渐在诸如智能电话、智能手表和微型投影仪(picoprojectors)的现代技术中随处可见。对于MEMS设备特别需要关注的是它们的性能在一定温度范围内保持一致或恒定。这进而要求用于生成由这种MEMS设备使用的时钟信号的振荡器在一定温度范围内提供稳定和恒定的频率输出。尽管普通的石英晶体能够提供此功能,但是通常的MEMS设备缺少容纳石英晶体的可用空间。因而,需要通过非晶体基的振荡器生成片上时钟信号,该非晶体基的振荡器能够在一定温度范围内提供所需的稳定和恒定的频率输出。一种现有方法是设计一种利用电阻器的RC振荡器,该电阻器由具有随温度恒定的电阻的材料构成。然而,该温度独立性倾向于仅存在于普通操作条件下,并且在某些条件下,电阻可能发生不期望的变化,从而导致所生成的时钟信号的频率发生改变。为了解决这个问题,这种现有方法进而采用电阻器微调电路。尽管这种微调是有效的,但是它需要在不同的温度下进行测试,以便正确地调谐微调电路。遗憾的是,这种在温度下的测试在生产环境中是困难的,因为所涉及的热循环会消耗大量时间并且成本很高。另外,芯片本身的温度测量也是困难的。而且,在不同设备之间移动晶片是困难和昂贵的。综合所有这些,事实是可能会引入测量误差,这取决于设备的校准。因此,需要设计新的非晶体基的振荡器,使其能够提供随温度稳定和一致的输出。而且,还需要更快和更便宜的测试这种振荡器的方法。专利技术内 ...
【技术保护点】
1.一种电子设备,包括:/n第一电流发生器电路,被配置为生成与绝对温度互补的电流;/n第二电流发生器,被配置为生成与绝对温度成比例的电流;/n温度斜率控制电路,被配置为:以互补的方式调节所述与绝对温度互补的电流的斜率和所述与绝对温度成比例的电流的斜率,并且将经调节斜率的所述与绝对温度互补的电流和经调节斜率的所述与绝对温度成比例的电流相加,以产生独立于温度的电流;/n电流控制电路,被配置为调节所述独立于温度的电流的幅度,以产生经调节幅度的独立于温度的电流;以及/n电流控制振荡器,被配置为根据所述经调节幅度的独立于温度的电流而生成输出信号。/n
【技术特征摘要】
20181127 US 16/200,9751.一种电子设备,包括:
第一电流发生器电路,被配置为生成与绝对温度互补的电流;
第二电流发生器,被配置为生成与绝对温度成比例的电流;
温度斜率控制电路,被配置为:以互补的方式调节所述与绝对温度互补的电流的斜率和所述与绝对温度成比例的电流的斜率,并且将经调节斜率的所述与绝对温度互补的电流和经调节斜率的所述与绝对温度成比例的电流相加,以产生独立于温度的电流;
电流控制电路,被配置为调节所述独立于温度的电流的幅度,以产生经调节幅度的独立于温度的电流;以及
电流控制振荡器,被配置为根据所述经调节幅度的独立于温度的电流而生成输出信号。
2.根据权利要求1所述的电子设备,进一步包括反馈控制电路,所述反馈控制电路被配置为:根据所述输出信号,影响对所述与绝对温度互补的电流的所述斜率和所述与绝对温度成比例的电流的所述斜率的所述调节。
3.根据权利要求1所述的电子设备,进一步包括加热电路,所述加热电路被配置为改变所述电流控制振荡器的部件的温度。
4.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述温度斜率控制电路响应于第一控制信号,调节所述与绝对温度互补的电流的所述斜率和所述与绝对温度成比例的电流的所述斜率。
5.根据权利要求4所述的电子设备,其中所述电流控制电路响应于第二控制信号,调节所述独立于温度的电流的所述幅度。
6.根据权利要求5所述的电子设备,进一步包括内建自测试电路,所述内建自测试电路被配置为接收所述输出信号,以便:将所述输出信号的频率与所期望的频率进行比较,并且将所述比较的结果发送到自动测试装备,并且其中所述第一控制信号和所述第二控制信号从所述自动测试装备被接收。
7.根据权利要求6所述的电子设备,进一步包括加热电路,所述加热电路被配置为:响应于从所述自动测试装备接收的第三控制信号,改变所述电流控制振荡器的部件的温度。
8.根据权利要求5所述的电子设备,进一步包括内建自测试电路,所述内建自测试电路被配置为:接收所述输出信号,并且基于所述输出信号的频率生成所述第一控制信号和所述第二控制信号。
9.根据权利要求8所述的电子设备,进一步包括加热电路,所述加热电路被配置为:响应于从所述内建自测试电路接收的第三控制信号,改变所述电流控制振荡器的部件的温度。
10.一种校准振荡器的方法,包括:
生成与绝对温度互补的电流;
生成与绝对温度成比例的电流;
由所述与绝对温度互补的电流和所述与绝对温度成比例的电流生成独立于温度的电流;
基于所述独立于温度的电流生成输出信号;
测量所述输出信号的频率;以及
如果所述输出信号的所述频率不在所期望...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡力,Y·格唐,H·吉克昆尔,
申请(专利权)人:意法半导体亚太私人有限公司,
类型:发明
国别省市:新加坡;SG
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