一种显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:24359533 阅读:37 留言:0更新日期:2020-06-03 03:18
本发明专利技术提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,为解决现有技术中,隔离柱无法将阴极隔断的问题。所述显示基板包括:基底和设置于所述基底上的隔离柱;所述隔离柱包括一体结构的第一部分和第二部分,所述第一部分位于所述基底和所述第二部分之间;其中,所述第二部分包括一体结构的第一子部分和第二子部分;所述第一子部分在所述基底上的正投影与所述第一部分在所述基底上的正投影重合,所述第二子部分在所述基底上的正投影与所述第一部分在所述基底上的正投影不交叠。本发明专利技术提供的显示基板用于显示画面。

A display base plate and its manufacturing method and display device

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
在有机发光二极管(英文:OrganicLight-EmittingDiode,简称:OLED)显示面板中,一般采用蒸镀的方法形成阴极,这样只需在显示面板中设置倒梯形结构的隔离柱即可将阴极隔断。然而随着各种新技术的发展,有些用于制作阴极的材料已经不再适用于蒸镀方法制备,例如:目前出现的利用具有良好延展性的金属或金属氧化物,通过溅射工艺形成的阴极,这种方式形成的阴极,倒梯形结构的隔离柱无法将其隔断,导致显示面板中的阴极无法实现预期结构,出现显示面板良率降低的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,用于解决现有技术中,隔离柱无法将阴极隔断的问题。为了实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:本专利技术的第一方面提供一种显示基板,包括:基底和设置于所述基底上的隔离柱;所述隔离柱包括一体结构的第一部分和第二部分,所述第一部分位于所述基底和所述第二部分之间;其中,所述第二部分包括一体结构的第一子部分和第二子部分;所述第一子部分在所述基底上的正投影与所述第一部分在所述基底上的正投影重合,所述第二子部分在所述基底上的正投影与所述第一部分在所述基底上的正投影不交叠。可选的,所述第二子部分位于所述第一子部分沿平行于所述基底的方向相对的两侧。可选的,所述第二子部分在所述基底上的正投影,包围所述第一子部分在所述基底上的正投影。可选的,所述隔离柱采用负性光刻胶材料制作。可选的,所述显示基板还包括:设置于所述基底与所述隔离柱的第一部分之间的驱动电路层;设置于所述驱动电路层背向所述基底的一侧的像素界定层,所述隔离柱的第一部分位于所述像素界定层背向所述基底的表面。基于上述显示基板的技术方案,本专利技术的第二方面提供一种显示装置,包括上述显示基板。基于上述显示基板的技术方案,本专利技术的第三方面提供一种显示基板的制作方法,用于制作上述显示基板,所述制作方法包括在基底上制作隔离柱的步骤,该步骤具体包括:利用正性光刻胶材料,在基底上形成正性光刻胶图形;对所述正性光刻胶图形完全曝光;利用负性光刻胶材料,继续在所述基底上形成负性光刻胶层,所述负性光刻胶层覆盖完全曝光后的正性光刻胶图形;对所述负性光刻胶层进行曝光,形成负性光刻胶保留区域和负性光刻胶去除区域,所述负性光刻胶保留区域对应所述隔离柱所在区域,所述负性光刻胶去除区域对应除所述隔离柱所在区域之外的其它区域;位于所述负性光刻胶保留区域的负性光刻胶包括一体结构的第一部分和第二部分,所述第一部分位于所述基底和所述第二部分之间;其中,所述第二部分包括:第一子部分,以及位于所述第一子部分周边的第二子部分;所述第一子部分在所述基底上的正投影与所述第一部分在所述基底上的正投影重合,且与完全曝光后的正性光刻胶图形在所述基底上的正投影不交叠;所述第二子部分在所述基底上的正投影与所述第一部分在所述基底上的正投影不交叠,且与完全曝光后的正性光刻胶图形在所述基底上的正投影部分交叠;利用显影液将位于所述负性光刻胶去除区域的负性光刻胶层,以及完全曝光后的正性光刻胶图形去除,形成所述隔离柱。可选的,利用显影液将位于所述负性光刻胶去除区域的负性光刻胶层,以及完全曝光后的正性光刻胶图形去除的步骤具体包括:利用相同的显影液将位于所述负性光刻胶去除区域的负性光刻胶层,以及完全曝光后的正性光刻胶图形去除。可选的,利用显影液将位于所述负性光刻胶去除区域的负性光刻胶层,以及完全曝光后的正性光刻胶图形去除的步骤具体包括:利用第一显影液将位于所述负性光刻胶去除区域的负性光刻胶层去除,暴露部分完全曝光后的正性光刻胶图形;利用第二显影液将完全曝光后的正性光刻胶图形去除。可选的,所述制作方法还包括:对所述隔离柱进行固化。本专利技术提供的技术方案中,设置的隔离柱的侧面形成有凹口,对于延展性较好的膜层,也具有良好的隔断效果,从而很好的降低了对膜层隔断的工艺难度和成本;因此,在利用具有良好延展性的金属或金属氧化物,通过溅射工艺形成的阴极时,本专利技术实施例提供的隔离柱也能够将其隔断,使得显示面板中的阴极能够实现预期结构,保证了显示基板的良率。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解,构成本专利技术的一部分,本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术,并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:图1为本专利技术实施例提供的隔离柱位于基底上的示意图;图2为本专利技术实施例提供的隔离柱的侧视图;图3为本专利技术实施例提供的隔离柱的第一俯视图;图4为本专利技术实施例提供的隔离柱的第二俯视图;图5为本专利技术实施例提供的隔离柱的制作流程图。附图标记:10-基底,20-正性光刻胶图形,3-负性光刻胶层,30-隔离柱,301-第一部分,302-第二部分,3021-第一子部分,3022-第二子部分,4-掩膜板。具体实施方式为了进一步说明本专利技术实施例提供的显示基板及其制作方法、显示装置,下面结合说明书附图进行详细描述。请参阅图1和图2,本专利技术实施例提供了一种显示基板,包括:基底10和设置于所述基底10上的隔离柱30;所述隔离柱30包括一体结构的第一部分301和第二部分302,所述第一部分301位于所述基底10和所述第二部分302之间;其中,所述第二部分302包括一体结构的第一子部分3021和第二子部分3022;所述第一子部分3021在所述基底10上的正投影与所述第一部分301在所述基底10上的正投影重合,所述第二子部分3022在所述基底10上的正投影与所述第一部分301在所述基底10上的正投影不交叠。具体地,所述显示基板的具体类型多种多样,示例性的,所述显示基板包括有源矩阵有机发光二极管(英文:Active-matrixorganiclight-emittingdiode,简称:AMOLED)显示基板,被动矩阵有机发光二极管(英文:Passivematrixorganiclight-emittingdiode,简称:PMOLED)显示基板等。所述隔离柱30的作用多种多样,示例性的,所述隔离柱30用于隔断显示基板中的膜层,更详细地说,在制作显示基板中的阴极图形时,可在形成阴极之前先形成所述隔离柱30,这样在后续形成阴极层时,阴极层能够在隔离柱30附近断开,形成多个阴极图形。上述设置所述隔离柱30包括一体结构的第一部分301和第二部分302,并设置所述第二部分302包括所述第一子部分3021和所述第二子部分3022,使得在平行与所述基底10的方向上,所述第二子部分3022凸出于所述第一部分301,这样就能够在隔离柱30的侧面形成凹口5。值得注意,在垂直于所述基底10的方向上,所述第一子部分3021和所述第二子部分3022的厚本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板,其特征在于,包括:基底和设置于所述基底上的隔离柱;所述隔离柱包括一体结构的第一部分和第二部分,所述第一部分位于所述基底和所述第二部分之间;其中,/n所述第二部分包括一体结构的第一子部分和第二子部分;所述第一子部分在所述基底上的正投影与所述第一部分在所述基底上的正投影重合,所述第二子部分在所述基底上的正投影与所述第一部分在所述基底上的正投影不交叠。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示基板,其特征在于,包括:基底和设置于所述基底上的隔离柱;所述隔离柱包括一体结构的第一部分和第二部分,所述第一部分位于所述基底和所述第二部分之间;其中,
所述第二部分包括一体结构的第一子部分和第二子部分;所述第一子部分在所述基底上的正投影与所述第一部分在所述基底上的正投影重合,所述第二子部分在所述基底上的正投影与所述第一部分在所述基底上的正投影不交叠。


2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二子部分位于所述第一子部分沿平行于所述基底的方向相对的两侧。


3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二子部分在所述基底上的正投影,包围所述第一子部分在所述基底上的正投影。


4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述隔离柱采用负性光刻胶材料制作。


5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:
设置于所述基底与所述隔离柱的第一部分之间的驱动电路层;
设置于所述驱动电路层背向所述基底的一侧的像素界定层,所述隔离柱的第一部分位于所述像素界定层背向所述基底的表面。


6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~5中任一项所述的显示基板。


7.一种显示基板的制作方法,其特征在于,用于制作如权利要求1~5中任一项所述的显示基板,所述制作方法包括在基底上制作隔离柱的步骤,该步骤具体包括:
利用正性光刻胶材料,在基底上形成正性光刻胶图形;
对所述正性光刻胶图形完全曝光;
利用负性光刻胶材料,继续在所述基底上形成负性光刻胶层,所述负性光刻胶层覆盖完全曝光后的正性光刻胶图形;
对所述负性...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈善韬
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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