【技术实现步骤摘要】
一种具有可见光波段的深紫外LED器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体光电领域，特别是一种具有可见光波段的深紫外LED器件及其制备方法。
技术介绍
目前Ⅲ族氮化物作为宽禁带半导体材料中的杰出代表，已经实现了高效的蓝绿光发光二极管(即light-emittingdiodes，简称LED)、激光器等固态光源器件，其在平板显示、白光照明等应用方面取得了巨大成功。近十年来，人们期望将这种高效的发光材料应用于紫外波段，以满足日益增长的紫外光源需求。紫外波段根据其生物效应通常可分为：长波紫外(简称UVA，波长范围320～400nm)、中波紫外(简称UVB，波长范围280～320nm)、短波紫外(简称UVC，200～280nm)以及真空紫外(简称VUV，波长范围10～200nm)。紫外线虽然不能被人类眼睛所感知，但其应用却非常广泛。长波紫外光源在医学治疗、紫外固化、紫外光刻、信息存储、植物照明等领域有着巨大的应用前景；而中波紫外及短波紫外(统称深紫外)则在杀菌消毒、水净化、生化探测、非视距通信等方面有着不可替代的作用。目前，传统紫外光源主...
【技术保护点】
1.一种具有可见光波段的深紫外LED器件，其特征在于，所述具有可见光波段的深紫外LED器件由下至上依次设置有蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN层、电流扩展层、深紫外波段量子阱有源层、可见波段量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN注入层、p型GaN接触层、DBR层、p电极以及n电极；/n所述可见波段量子阱有源层为In
【技术特征摘要】
1.一种具有可见光波段的深紫外LED器件，其特征在于，所述具有可见光波段的深紫外LED器件由下至上依次设置有蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN层、电流扩展层、深紫外波段量子阱有源层、可见波段量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN注入层、p型GaN接触层、DBR层、p电极以及n电极；
所述可见波段量子阱有源层为InaGa1-aN层与AlbGa1-bN层组成的超晶格结构，其中0<a<1且0<b<1，所述InaGa1-aN层与AlbGa1-bN层的厚度均分别为1～200nm。
2.根据权利要求1中所述的具有可见光波段的深紫外LED器件，其特征在于，所述深紫外波段量子阱有源层为AlxGa1-xN层与AlyGa1-yN层组成的超晶格结构，其中0.4<x<1且0.4<y<1，所述AlxGa1-xN层与AlyGa1-yN层的厚度均分别为1～200nm。
3.根据权利要求1中所述的具有可见光波段的深紫外LED器件，其特征在于，所述电子阻挡层为单层AlcGa1-cN结构，其中0＜c＜1，厚度为1nm～100nm。
4.根据权利要求1中所述的具有可见光波段的深紫外LED器件，其特征在于，所述电子阻挡层为AldGa1-dN层与AleGa1-eN层组成的超晶格结构，其中0.4<d<1且0.4<e<1，所述AldGa1-dN层与AleGa1-eN层的厚度均分别为1～50nm。
5.根据权利要求1中所述的具有可见光波段的深紫外LED器件，其特征在于，所述P型AlGaN注入层为单层AlpGa1-pN结构，其中0＜p＜1，厚度为1nm～600nm。
6.根据权利要求1中所述的具有可见光波段的深紫外LED器件，其特征在于，所述DBR层为低折射率膜层与高折射率膜层交替层叠构成，膜层生长温度为90～270℃，层数为20～80层，单层膜层厚度为10～1000nm，所述DBR放射层整体厚度为1～10μm。
7.根据权利要求1中所述的具有可见光波段的深紫外LED器件，其特征在于，所述n型AlGaN层与电流扩展层之间形成台阶状结构，且所述n型AlGaN层的面积大于所述电流扩展层的面积；
所述DBR层设置于所述p型GaN接触层上，以及包覆所述电流扩展层、深紫外波段量子阱有源层、可见波段量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN注入层和p型GaN接触层的台阶结构；
所述p电极设置于所述p型GaN接触层上，所述n电极设置于所述n型AlGaN层台阶结构处并位于所述DBR层远离所述电流扩展层一侧。
8.根据权利要求1中所述的具有可见光波段的深紫外LED器件，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：张骏，袁章洁，戴江南，陈长清，
申请(专利权)人：武汉深紫科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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