【技术实现步骤摘要】
一种具有低触发电压的TVS器件及其制造方法
本专利技术属于半导体保护器件
，特别涉及一种具有低触发电压的TVS器件及其制造方法。
技术介绍
瞬态电压抑制器(TransientVoltageSuppressors，简称TVS)是一种普遍使用的保护器件，它具有极快的响应速度和相当大的浪涌泄放能力。当它经受瞬间的高能量浪涌或静电冲击时，TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗转变为低阻抗，以泄放一个瞬间大电流，同时把它两端的电压钳位在一个较小值，从而保护后级电路芯片不受瞬态高压浪涌脉冲的冲击，因此TVS是一种必不可少的保护类器件。通常会将二极管、三极管、GGNMOS(栅极接地的NMOS)、SCR等器件作为TVS器件的防护单元。其中，具有SCR结构的TVS导通时，内部的两个三极管(PNP和NPN)都进入放大状态，形成正反馈，因此其导通电阻和钳位电压大大低于其它结构的TVS，因此SCR结构的TVS对后级电路芯片具有更加优秀的保护能力。普通SCR结构的TVS器件受传统结构和工艺的限制，开启电压往往较高。虽然在遭...
【技术保护点】
1.具有低触发电压的TVS器件，其特征在于，在P型衬底层上具有一层N型埋层，所述N型埋层上生长有P型外延层，在P型外延层上方设置有若干N阱区域和P阱区域，在N阱区域及P阱区域的表面有多个深槽，并在深槽内分别形成若干N+区和P+区，在至少一N+区内淀积有N+多晶硅，至少一P+区内形成PLD区，在N阱区域和P阱区域上方设置有一氧化层，氧化层外表面上设置有第一N+多晶硅，在该N+多晶硅外表面设置有第一介质层，在P型外延层上方淀积设置有若干第二介质层，介质层上设置有接触孔，在所述接触孔上分别淀积有至少一阴极和至少一阳极。/n
【技术特征摘要】
20190701 CN 20191059978281.具有低触发电压的TVS器件，其特征在于，在P型衬底层上具有一层N型埋层，所述N型埋层上生长有P型外延层，在P型外延层上方设置有若干N阱区域和P阱区域，在N阱区域及P阱区域的表面有多个深槽，并在深槽内分别形成若干N+区和P+区，在至少一N+区内淀积有N+多晶硅，至少一P+区内形成PLD区，在N阱区域和P阱区域上方设置有一氧化层，氧化层外表面上设置有第一N+多晶硅，在该N+多晶硅外表面设置有第一介质层，在P型外延层上方淀积设置有若干第二介质层，介质层上设置有接触孔，在所述接触孔上分别淀积有至少一阴极和至少一阳极。
2.一种TVS器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：选用P型衬底硅片，在其表面进行N型埋层离子注入，并进入高温炉管进行热过程推进；
S2：对硅片清洗，将表面杂质颗粒及原生氧化层去除干净，然后生长外延层；
S3：通过N阱光刻定义N阱区域，然后进行N阱离子注入，再通过P阱光刻定义P阱区域，然后进行P阱离子注入；再进入炉管进行高温推进，使得N阱区域和P阱区域底部与N型埋层相接触；
S4：对硅片表面进行清洗，然后生长一层氧化层，然后通过光刻、刻蚀氧化层和硅形成多个深槽，在进入炉管进行扩散掺杂，形成N+区，然后淀积多晶硅，将深槽填充满；
S5：通过光刻、干法刻蚀将硅片表面不需要的多晶硅和氧化层去除；
S6：通过PLD区光刻、离子注入形成PLD区，再进入炉管进行热扩散；
S7：通过N+区光刻、离子注入，在N阱区域内形成N+区，再通过P+区光刻、离子注入形成P+区，然后进行快速热退火工艺处理；
S8：在硅片上表面淀积介质层，采用化学气相淀积工艺形成，然后通过光刻、刻蚀，形成接触孔；
S9：在介质层及外延层表面进行金属淀积，并进行光刻、刻蚀，形成阳极金属和阴极金属。
3.根据权利要求2所述的TVS器件制造方法，其特征在于，步骤S1中N型埋层离子注入，注入元素为锑或砷，注入剂量1E15～1E16/cm2，注入能量100～120KeV。
4.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋骞苑，苏海伟，赵德益，李洪，赵志方，吕海凤，张啸，王允，张彩霞，
申请(专利权)人：上海维安半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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