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本发明提出了一种具有低触发电压的TVS器件及其制造方法，在P型衬底层上具有一层N型埋层，所述N型埋层上生长有P型外延层，在P型外延层上方设置有若干N阱区域和P阱区域，在N阱区域及P阱区域的表面有多个深槽，并在深槽内分别形成若干N+区和P+区...
该专利属于上海维安半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海维安半导体有限公司授权不得商用。

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