一种用于降低单端反激变压器交流损耗的铜箔绕组及方法技术

本发明专利技术属于开关电源的高频变压器技术领域，尤其为一种用于降低单端反激变压器交流损耗的铜箔绕组，包括绕组骨架，所述绕组骨架包括两端的绕柱以及位于所述绕柱两端的限位盘，所述限位盘的外部带有多个引脚，所述绕柱上缠绕有箔形导体绕组；所述绕组骨架包括两组对称设置的“E”字型构件，且该“E”字型构件的中间位置的中柱短于两端的侧柱；本发明专利技术的单端反激变压器铜箔绕组，绕组骨架的构造以及箔形导体绕组采用分段绕制，大大降低了铜箔绕组的交流损耗，扩大了铜箔绕组的适用范围，并且，铜箔绕组的尾线缠绕于定位柱上，降低了铜箔绕组绕制工艺的难度，降低绕制成本，同时定位柱的位置可针对箔形导体绕组的位置进行调节，使用更加方便。

A copper foil winding and method for reducing AC loss of single ended flyback transformer

【技术实现步骤摘要】
一种用于降低单端反激变压器交流损耗的铜箔绕组及方法
本专利技术属于开关电源的高频变压器
，具体涉及一种用于降低单端反激变压器交流损耗的铜箔绕组，还涉及一种适用于降低单端反激变压器铜箔绕组交流损耗的方法。
技术介绍
开关电源产品广泛应用于在通信、工业自动化、航空、仪表仪器等领域，单端反激式变换器以其电路简单、可以高效提供直流输出等许多优点，特别适合设计小功率的开关电源的优点获得了广泛应用，由于变压器是单端反激式变换器中体积最大、价格最高、效率最低的基本构件，具有独特的改进潜力，高频化、小型化是变压器发展方向，缩小变压器体积办法之一就是降低高频损耗。高频变压器的损耗主要有两种:磁芯损耗和绕组损耗，绕组损耗又分为直流损耗和交流损耗两部分，后者是集肤效应和邻近效应共同作用产生的高频损耗；在纹波电流比较大的应用场合，我们一般选择带有气隙的铁氧体磁芯，从而我们必须处理气隙处边缘磁通的问题，否则会引起非常高的铜损，在电流比较大时，由于利兹线或者多股线的填充率比较低，因此铜箔绕组是一个不错的选择，铜箔绕组每一匝就是一层，随着层数的增多，绕组的交流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于降低单端反激变压器交流损耗的铜箔绕组，包括绕组骨架，所述绕组骨架包括两端的绕柱(5)以及位于所述绕柱(5)两端的限位盘(4)，所述限位盘(4)的外部带有多个引脚(6)，其特征在于：所述绕柱(5)上缠绕有箔形导体绕组(1)，且所述箔形导体绕组(1)为分段缠绕，且分段数量至少为两段；所述箔形导体绕组(1)的两端与所述骨架之间分别设有挡墙(3)，所述箔形导体绕组(1)的层间设有绝缘层，所述箔形导体绕组(1)的初级绕组与次级绕组之间设有初级与次级绕组绝缘(2)；所述绕组骨架包括两组对称设置的“E”字型构件，且该“E”字型构件的中间位置的中柱短于两端的侧柱。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于降低单端反激变压器交流损耗的铜箔绕组，包括绕组骨架，所述绕组骨架包括两端的绕柱(5)以及位于所述绕柱(5)两端的限位盘(4)，所述限位盘(4)的外部带有多个引脚(6)，其特征在于：所述绕柱(5)上缠绕有箔形导体绕组(1)，且所述箔形导体绕组(1)为分段缠绕，且分段数量至少为两段；所述箔形导体绕组(1)的两端与所述骨架之间分别设有挡墙(3)，所述箔形导体绕组(1)的层间设有绝缘层，所述箔形导体绕组(1)的初级绕组与次级绕组之间设有初级与次级绕组绝缘(2)；所述绕组骨架包括两组对称设置的“E”字型构件，且该“E”字型构件的中间位置的中柱短于两端的侧柱。


2.根据权利要求1所述的一种用于降低单端反激变压器交流损耗的铜箔绕组，其特征在于：所述挡墙(3)为3M胶带，且所述挡墙(3)的宽度至少为3mm。


3.根据权利要求1所述的一种用于降低单端反激变压器交流损耗的铜箔绕组，其特征在于：所述箔形导体绕组(1)的层间用厚度为0.1mm的Nomex绝缘纸层间绝缘。


4.根据权利要求1所述的一种用于降低单端反激变压器交流损耗的铜箔绕组，其特征在于：所述初级与次级绕组绝缘(2)为3层厚度0.1mm的Nomex绝缘纸。


5.根据权利要求1所述的一种用于降低单端反激变压器交流损耗的铜箔绕组，其特征在于：还包括定位柱(7)，所述定位柱(7)安装在两个所述限位盘(4)内侧；还包括弹性定位组件，且所述弹性...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐建，黄捷，
申请(专利权)人：上海辰光医疗科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31