【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁共振成像系统，具体的说是一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容。
技术介绍
1、磁共振成像是一种先进的人体无损成像的技术，广泛应用于人体各个部位疾病的医学影像诊断。磁共振射频线圈是磁共振成像系统的重要组成部分，其性能直接决定着磁共振图像质量的好坏。
2、传统的磁共振射频线圈由若干个集总式电容（一般为陶瓷电容）和若干段导体依次交替设置并连接形成回路，这些电容和导体通常附着在绝缘介质层（如fr4板或聚酰亚胺薄膜）上。这些导体自身的电感和电容形成一个射频谐振回路，其谐振频率等于磁共振信号的频率时能够最有效地探测人体所发出的微弱的磁共振射频信号。线圈谐振频率的调节是通过改变电容的数量、位置和电容值来实现的。
3、分布式电容技术使用若干段互不连接的导体，利用这些导体所形成分布式电容。这些导体一方面形成电感，而同时也参与形成分布式电容，通过调节这些导体的长度、宽度、相对位置等方式可以调节其谐振频率，当谐振频率等于磁共振信号频率时，就能有效地探测磁共振射频信号。分布式电容的结构为上层导体、下层导体和绝缘介质层，所述上层导体和所述下层导体位于所述绝缘介质的上表面和下表面。上层导体和下层导体之间在垂直方向的交叠面积就决定了这个分布式电容的大小。通过调节上层导体和下层导体之间在电容垂直方向的交叠面积就可以调节电容大小，从而改变线圈的谐振频率。一般磁共振射频线圈使用的分布电容上层导体和下层导体在交叠区域在电容的垂直方向上是重合的，而中间的绝缘介质层采用柔性材料，例如聚酰亚胺薄膜。在实际生产过程中，只需要使用
4、因此，如何在磁共振成像射频线圈上使用分布式电容，同时避免电容上下两层导体在调节电容值大小时候连接在一起形成短路点就是要解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术为克服现有技术的不足，提供一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容，每个有效电容的单元面积都相同，并且具有相同大小的电容值，这样方便一次性裁剪即可得到所要求的电容值。
2、为实现上述目的，设计一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容，包括上层导体、下层导体、绝缘介质层，其特征在于：上层导体位于绝缘介质层的上表面，下层导体位于绝缘介质层的下表面；上层导体和下层导体之间在垂直方向的交叠部分为有效电容，所述的有效电容的面积为有效电容值。
3、所述的上层导体包括主电容的上层导体、有效电容的上层导体、电容连接导体上层，主电容的上层导体的一侧连接有效电容的上层导体，在有效电容的上层导体上均布设有若干电容连接导体上层。
4、所述的电容连接导体上层通过光刻腐蚀形成。
5、所述的下层导体包括主电容的下层导体、有效电容的下层导体、电容连接导体下层，主电容的下层导体的一侧连接有效电容的下层导体，在有效电容的下层导体上均布设有若干电容连接导体下层。
6、所述的电容连接导体下层通过光刻腐蚀形成。
7、所述的有效电容的上层导体与有效电容的下层导体相互重叠形成有效电容，电容连接导体上层与电容连接导体下层之间设有间隙。
8、所述的有效电容为正方形、圆形，或者其它规则形状中的一种。
9、一种通过所述的用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容的电容值调节方法，其特征在于，具体方法如下：
10、s1，将上层导体、绝缘介质层、下层导体从上至下依次叠放，上层导体的主电容的上层导体与下层导体的主电容的下层导体上下重叠形成主电容；上层导体的有效电容的上层导体与下层导体的电容连接导体下层上下重叠形成有效电容；整个分布式电容的电容值=主电容+有效电容×有效电容的数量；
11、s2，根据实际情况，裁剪掉有效电容的数量。
12、本专利技术同现有技术相比，提供一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容，分布式可调电容的有效电容的单元面积都相同，并且具有相同大小的电容值，这样在裁剪分布式可调电容减小电容值的时候只要数出相应数量的有效电容并剪去就可以了，而不需要每次减去很少一点多次尝试，大大节约了磁共振射频成像射频线圈的调试时间。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容，包括上层导体、下层导体、绝缘介质层，其特征在于：上层导体（1）位于绝缘介质层（2）的上表面，下层导体（3）位于绝缘介质层（2）的下表面；上层导体（1）和下层导体（3）之间在垂直方向的交叠部分为有效电容（4），所述的有效电容（4）的面积为有效电容值。
2.根据权利要求1所述的一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容，其特征在于：所述的上层导体（1）包括主电容的上层导体、有效电容的上层导体、电容连接导体上层，主电容的上层导体（1-1）的一侧连接有效电容的上层导体（1-2），在有效电容的上层导体（1-2）上均布设有若干电容连接导体上层（1-3）。
3.根据权利要求2所述的一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容，其特征在于：所述的电容连接导体上层（1-3）通过光刻腐蚀形成。
4.根据权利要求1所述的一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容，其特征在于：所述的下层导体（3）包括主电容的下层导体、有效电容的下层导体、电容连接导体下层，主电容的下层导体（3-1）的一侧连接有效电容的下层导体（3-2），在
5.根据权利要求4所述的一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容，其特征在于：所述的电容连接导体下层（3-3）通过光刻腐蚀形成。
6.根据权利要求2所述的一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容，其特征在于：所述的有效电容的上层导体（1-2）与有效电容的下层导体（3-2）相互重叠形成有效电容（4），电容连接导体上层（1-3）与电容连接导体下层（3-3）之间设有间隙。
7.根据权利要求1或6所述的一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容，其特征在于：所述的有效电容（4）为正方形、圆形，或者其它规则形状中的一种。
8.一种通过权利要求1所述的用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容的电容值调节方法，其特征在于，具体方法如下：
...【技术特征摘要】
1.一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容，包括上层导体、下层导体、绝缘介质层，其特征在于：上层导体（1）位于绝缘介质层（2）的上表面，下层导体（3）位于绝缘介质层（2）的下表面；上层导体（1）和下层导体（3）之间在垂直方向的交叠部分为有效电容（4），所述的有效电容（4）的面积为有效电容值。
2.根据权利要求1所述的一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容，其特征在于：所述的上层导体（1）包括主电容的上层导体、有效电容的上层导体、电容连接导体上层，主电容的上层导体（1-1）的一侧连接有效电容的上层导体（1-2），在有效电容的上层导体（1-2）上均布设有若干电容连接导体上层（1-3）。
3.根据权利要求2所述的一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容，其特征在于：所述的电容连接导体上层（1-3）通过光刻腐蚀形成。
4.根据权利要求1所述的一种用于磁共振成像射频线圈的分布式可调电容，其特征在于：所述的下层导体（3）包括主电...
【专利技术属性】
技术研发人员：何钧，吴强，张家玮，沈江，张健军，漆彦辉，邓华琼，
申请(专利权)人：上海辰光医疗科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。