【技术实现步骤摘要】
一种喷嘴及清洗装置
本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种喷嘴及清洗装置。
技术介绍
在半导体制造
中，单片清洗装置由于其高质量的去污效果，正逐步取代传统的槽式清洗装置。清洗装置一般采用的都是喷嘴喷洒的工艺，但是在半导体业界酸槽单片清洗的设备一般都是用化学品清洗整个晶圆表面的，但是目前有一些工艺是只需要清洗特定区域，而无需清洗该特定区域以外的其他区域。如何实现一种对特定区域进行清洗的喷嘴是亟待解决的问题。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种喷嘴及清洗装置，能够对目标清洗物的特定区域进行清洗而不会对其他区域产生影响。为实现上述目的，本技术实施例提供一种喷嘴，所述喷嘴用于清洗目标清洗物，包括：所述喷嘴用于清洗目标清洗物，其特征在于，包括：内管，所述内管具有第一管口和第一接口，所述内管中具有位于所述第一管口和所述第一接口之间的第一通道；套设于所述内管外侧的外管，所述外管中具有位于所述外管的内壁和所述内管的外壁之间的第二通道，所述外管具有第二管口，所述第二管口沿所述外管的轴向凸出于所述...
【技术保护点】
1.一种喷嘴，所述喷嘴用于清洗目标清洗物，其特征在于，包括：内管，所述内管具有第一管口和第一接口，所述内管中具有位于所述第一管口和所述第一接口之间的第一通道；套设于所述内管外侧的外管，所述外管中具有位于所述外管的内壁和所述内管的外壁之间的第二通道，所述外管具有第二管口，所述第二管口沿所述外管的轴向凸出于所述第一管口，所述第二管口分别与所述第一通道和所述第二通道相通，所述第二管口的边缘用于与目标清洗物接触。/n
【技术特征摘要】
1.一种喷嘴，所述喷嘴用于清洗目标清洗物，其特征在于，包括：内管，所述内管具有第一管口和第一接口，所述内管中具有位于所述第一管口和所述第一接口之间的第一通道；套设于所述内管外侧的外管，所述外管中具有位于所述外管的内壁和所述内管的外壁之间的第二通道，所述外管具有第二管口，所述第二管口沿所述外管的轴向凸出于所述第一管口，所述第二管口分别与所述第一通道和所述第二通道相通，所述第二管口的边缘用于与目标清洗物接触。
2.如权利要求1所述的喷嘴，其特征在于，在沿所述外管的轴向方向上，所述第二管口至所述第一管口之间的距离为3mm至3.5mm。
3.如权利要求1所述的喷嘴，其特征在于，所述目标清洗物包括预设区域；所述第二管口的边缘形状与所述预设区域的表面形状相匹配。
4.如权利要求1所述的喷嘴，其特征在于，所述内管包括内管扩张部和位于所述内管扩张部一侧且与所述内管扩张部连通的内管管道部，所述内管扩张部和所述内管管道部通过所述内管的管壁密封连接，所述第一接口设置于所述内管扩张部上，所述第一管口设置于所述内管管道部背向所述内管扩张部一侧的端部，所述内管扩张部与所述内管管道部连接处的内径小于所述第一接口的内径；
所述外管包括外管扩张部和位于所述外管扩张部一侧且与所述外管扩张部连通的外管管道部，所述外管扩张部和所述外管管道部通过所述外管的管壁密封连接，所述外管扩张部套设在所述内管扩张部的外侧，所述外管管道部套设在所述内管管道部的外侧；
所述外管包括第二接口和第三接口，所述第二接口设置于所述外管扩张部的侧壁，所述第三接口沿所述外管的轴向方向设置于所述外管扩张部背向所述外管管道部一侧的端部；
所述第二管口设置于所述外管管道部背向所述外管扩张部一侧的端部，所述外管扩张部的平均内径大于所述外管管道部的平均内径。
5.如权利要求4所述的喷嘴，其特征在于，所述内管延伸通过所述第二接口且所述第二接口的边缘与所述内管扩张部的外壁密封接触；所述第一接口为所述第一通道的入口，所述第三接口为所述第二通道的出口，或者，所述第一接口为所述第一通道的出口，所述第三接口为所述第二通道的入口。
6.如权利要求5所述的喷嘴，其特征在于，所述内管延伸并通过所述第二接口延伸至所述外管扩张部的外侧，所述第二接口的边缘与所述内管扩张部的外壁密封接触；或者，所述第二接口的边缘与所述第一接口的边缘密封接触。
7.如权利要求4所述的喷嘴，其特征在于，所述内管延伸通过所述第三接口且第三接口的边缘与所述内管扩张部的外壁密封接触；所述第一接口为所述第一通道的入口，所述第二接口为所述第二通道的出口，或者，所述第一接口为所述第一通道的出口，所述第二接口为所述第二通道的入口。
8.如权利要求7所述的喷嘴，其特征在于，所述内管延伸并通过所述第三接口延伸至所述外管扩张部的外侧，所述第三接口的边缘与所述内管扩张部的外...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹扬，倪尧，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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