显示装置之光源模组及其制造方法制造方法及图纸

一种使用微小型LED(mini LED)做为光源的背光厚度和提升光效率的制造方法，包括下列步骤：首先，将复数个发光二极管芯片以间隔排列方式，装设于一基板之一上表面；再于该等发光二极管芯片上利用一涂布设备涂布一层胶体，该胶体中分布有均匀之扩散粒子，且填满该等LED之间隙；接着，再通过一滚轮压印该胶体，使该胶体表面形成一连续几何结构，该连续几何结构之断面水平‑垂直(X‑Y轴)方向呈一锥形结构；最后，该连续几何结构利用一紫外线固化设备作棱镜片之光学固化；如此一来，所形成之成品不但大幅减少厚度，符合薄型化之要求，并且亦大幅提高界面反射效率之穿透率。

Light source module of display device and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
显示装置之光源模组及其制造方法
本专利技术系一种显示装置之光源模组及其制造方法，尤指一种大幅减少厚度，并大幅提高界面反射效率之穿透率的微小型LED制造方法。
技术介绍
近年来蓬勃发展小型化光电装置，将LED尺寸缩小至200微米以下的微小型LED在显示设备已广为应用。利用微小型LED的显示设备具有高亮度、高对比度、快速响应和低功耗的优点。请参阅图1A、图1B所示，其系设有一显示设备10，该显示设备10包括一液晶面板17与一背光模组11，其中该背光模组11依序包含复数第一棱镜片15、复数第二棱镜片16之光学膜片(其他膜片未图示)、一扩散片14及一光源模组12；该光源模组12使用微小型LED123并具有一发光区13。为了使发光区13出光均匀设置扩散片14，以使呈(Lambertian)光型(如图1B所示)，且为了增加光使用效率，会使用二交互垂直之棱镜片15、16(如图1A所示)，藉以收敛出光视角以提高中心角度亮度(如图1B所示)。然而，现行显示设备需薄型化，使用微小型LED的光源模组12的显示设备10需在光源模组12及扩散片14之间保留有一间隙G1与第二棱镜片16与液晶面板17之间保留有一间隙G2，藉以留有胀缩空间，如此一来便导致整体厚度增加，不符合薄型化之要求；再者，第一棱镜片15、第二棱镜片16的几合表面虽然可增加光集中性，但是反而降低穿透率，造成需要改善该等棱镜片15、16的使用空间和界面反射，相当不便利。由此可见，上述习用物品仍有诸多缺失，实非一良善之设计者，而亟待加以改良。专利技术内容有鉴于此，本案专利技术人本于多年从事相关产品之制造开发与设计经验，针对上述之目标，详加设计与审慎评估后，终得一确具实用性之本专利技术。本专利技术之目的，在提供一种显示装置之光源模组及其制造方法，系不但大幅减少厚度，并且大幅提高界面反射效率之穿透率的微小型LED制造方法。根据上述之目的，本专利技术之显示装置之光源模组及其制造方法，其主要系包括下列步骤：首先，将复数个发光二极管芯片以间隔排列方式，装设于一基板之一上表面；再于该等发光二极管芯片上利用一涂布设备涂布一层胶体，该胶体中分布有均匀之扩散粒子，且填满该等LED之间隙；再通过一滚轮压印该胶体，使该胶体表面形成一连续几何结构，该连续几何结构之断面水平-垂直(X-Y轴)方向呈一锥形结构；最后，该连续几何结构利用一紫外线固化(UVCuring)设备作棱镜片之光学固化；如此，形成之成品不但大幅减少厚度，符合薄型化之要求，并且亦大幅提高界面反射效率之穿透率，藉以避免前述习知之微小型LED之诸多缺失。为便贵审查委员能对本专利技术之目的、形状、构造装置特征及其功效，做更进一步之认识与了解，兹举实施例配合图式，详细说明如下：附图说明图1A、图1B为目前微小型LED使用芯片尺寸封装(CSP)搭配涂胶制程之示意图。图2A、图2B、图2C为本专利技术显示装置之光源模组的制造方法之示意图。图3A、图3B、图3C、图3D、图3E为本专利技术显示装置之光源模组的另一种制造方法之示意图。图4、图5、图6为本专利技术显示装置之光源模组的制造方法之成品示意图。图7A、7B、7C、7D为本专利技术显示装置之光源模组之外观示意图。图8A、8B、8C、8D、8E、8F、8G为本专利技术显示装置之光源模组的又一种制造方法之示意图。图9A、9B、9C、9D、9E、9F、9G、9H为本专利技术显示装置之光源模组的再一种制造方法之示意图。图10、图11为本专利技术显示装置之光源模组之使用示意图。附图标记发光二极管芯片31基板32涂布设备41胶体33滚轮42上表面331连续几何结构332锥形结构333扩散粒子334紫外线固化设备43成品30第一胶层33A第二胶层34上表面341显示面板50背光模组60光源模组61基板62上表面621发光二极管芯片63胶体64扩散粒子641上表面642连续几何结构643扩散片70第一胶层81第一棱镜层81a第一胶层扩散粒子82上表面811连续几何结构811a第二胶层83第三胶层84第二棱镜层84a第三胶层扩散粒子85上表面841连续几何结构841a第四胶层86成品80成品80a具体实施方式本专利技术乃有关一种「显示装置之光源模组及其制造方法」，请参阅图2A、图2B、图2C、图4、图5、图6所示，本专利技术之显示装置之光源模组的制造方法，其主要系包括下列步骤：步骤A：首先，将复数个发光二极管(LED)芯片(Chip)31以间隔排列方式，装设于一基板32之上表面。步骤B：于该等发光二极管芯片31上利用一涂布设备41涂布一层胶体33，该胶体33中分布有均匀之扩散粒子334，且填满该等发光二极管芯片31之间隙。步骤C：通过一滚轮42压印该层胶体33上表面331，使该层胶体33上表面331形成一连续几何结构332，该连续几何结构332之断面水平-垂直(X-Y轴)方向呈一锥形结构333、其顶部夹角为90度(如图5、图6所示)。步骤D：最后，利用一紫外线固化(UVCuring)设备43于该层胶体33上表面之连续几何结构332上，作棱镜片之光学固化，而形成一成品30。如此一来，请参阅图4、图5、图6所示，形成之成品30利用该层胶体33作棱镜片之锥形结构333及其顶部夹角为90度之结构，可将光集中在小角度，提高中心角度亮度，提高光使用效率，令不需要前述习知之微小型LED之该等棱镜片15、16，因此不需要间隙G1和间隙G2让该等棱镜片15、16在环境温度改变的情况下有涨缩空间，且不需要改善该等棱镜片15、16的使用空间和界面反射(如前述图1A、图1B所示)，故不但大幅减少厚度，符合薄型化之要求，并且亦大幅提高界面反射效率之穿透率，藉以避免前述习知之微小型LED之诸多缺失。复请参阅图2A、图2B、图2C、图4、图5、图6所示，每一发光二极管芯片31之尺寸至少小于200微米。复请参阅图2A、图2B、图2C、图4、图5、图6所示，该锥形结构333之高度可为10～300um。请再参阅图3A、图3B、图3C、图3D、图3E、图4、图5、图6所示，本专利技术之显示设备之光源模组及其制造方法，其另一实施例主要系包括下列步骤：步骤A：首先，将复数个发光二极管(LED)芯片(Chip)31以间隔排列方式，装设于一基板32之上表面。步骤B：于该等发光二极管芯片31上利用一涂布设备41涂布一层第一胶层33A，该第一胶层33A中分布有均匀之扩散粒子334，且填满该等发光二极管芯片31之间隙。步骤C：利用一紫外线固化(UVCuring)设备43于该第一胶层33A上表面，作光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置之光源模组的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：/n步骤A：首先，将复数个发光二极管芯片以间隔排列方式，装设于一基板之一上表面；/n步骤B：于该等发光二极管芯片上利用一涂布设备涂布一层胶体，该胶体中分布有均匀之扩散粒子，且填满该等LED之间隙；/n步骤C：通过一滚轮压印该胶体，使该胶体表面形成一连续几何结构，该连续几何结构之断面水平-垂直方向呈一锥形结构；/n步骤D：最后，该连续几何结构利用一紫外线固化设备作棱镜片之光学固化。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示装置之光源模组的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：
步骤A：首先，将复数个发光二极管芯片以间隔排列方式，装设于一基板之一上表面；
步骤B：于该等发光二极管芯片上利用一涂布设备涂布一层胶体，该胶体中分布有均匀之扩散粒子，且填满该等LED之间隙；
步骤C：通过一滚轮压印该胶体，使该胶体表面形成一连续几何结构，该连续几何结构之断面水平-垂直方向呈一锥形结构；
步骤D：最后，该连续几何结构利用一紫外线固化设备作棱镜片之光学固化。


2.如权利要求1所述之显示装置之光源模组的制造方法，其中每一发光二极管芯片之尺寸至少小于200微米。


3.如权利要求1所述之显示装置之光源模组的制造方法，其中该锥形结构之顶部夹角为90度。


4.如权利要求1所述之显示装置之光源模组的制造方法，其中该锥形结构之高度系为10～300um。


5.如权利要求1所述之显示装置之光源模组的制造方法，其中该胶体具有一第一胶层及设置于其上之一第二胶层，该第二胶层表面经滚轮压印形成该连续几何结构。


6.如权利要求1所述之显示装置之光源模组的制造方法，其中该胶体具有一第一胶层及设置于其上之一第二胶层、一第三胶层，该第一胶层、该第三胶层表面经滚轮压印形成该连续几何结构，而形成一第一棱镜层、一该第二棱镜层。


7.如权利要求1所述之显示装置之光源模组的制造方法，其中该胶体具有一第一胶层及设置于其上之一第二胶层、一第三胶层、一第四胶层，该第一胶层、该第三胶层表面经滚轮压印形成该连续几何结构，而形成一第一棱镜层、一该第二棱镜层。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：周贤颖，陈伯纶，薛乃豪，陈俊达，黄达人，孙宜嶙，
申请(专利权)人：业成科技成都有限公司，业成光电深圳有限公司，英特盛科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51