一种改进型ALD镀膜机制造技术

本发明专利技术属于原子层镀膜领域，具体是一种改进型ALD镀膜机，包括在内部上设置有半月板的内反应腔，和内反应腔盖；在所述内反应腔盖上贯穿有电机轴，而电机轴一端固定在步进电机上，另一端与半月板连接；内反应腔盖上开设有多片呈环形阵列分布的通孔片区，而通孔片区是由多个呈阵列分布的连接孔组成；所述半月板上放置有多个呈环形分布的晶圆；导入的氮气通过内反应腔盖上的通孔片区中的多个呈阵列分布的连接孔流向晶圆表面，发生化学反应，而多片呈环形阵列分布的通孔片区配合半月板相对内反应腔盖转动，实现氮气均匀流向晶圆表面，氮气气流稳定，镀膜的均匀性高；半月板上一次性放置有多个呈环形分布的晶圆进行镀膜，极大的提高了工作效率。

An improved ALD coating machine

【技术实现步骤摘要】
一种改进型ALD镀膜机
本专利技术涉及原子层镀膜领域，具体是一种改进型ALD镀膜机。
技术介绍
已有的空间ALD（atomiclayerdeposition，单原子层沉积）机台普遍体积较大，且结构复杂，前驱体气路和吹扫气路作为不同的腔体，是完全分开的；而另外多片工艺的ALD机台设计如：Picosun（芬兰ALD设备供应商）都是利用金属cassette（晶圆装载盒）的方法，这种方法会导致运送晶圆十分复杂，而且不稳定，手动取片比较多，如果使用自动化的方法，经常出现掉片的现象；ASM（美国ALD设备供应商）及TEL（日本ALD设备供应商）的多片式ALD炉子方法所使用气体及前驱体使用效率低，会造成巨大的浪费。因此，针对上述问题，本专利技术提供一种改进型ALD镀膜机。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种改进型ALD镀膜机，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种改进型ALD镀膜机，包括在内部上设置有半月板的内反应腔，所述该镀膜机还包括内反应腔盖，所述内反应腔盖安装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改进型ALD镀膜机，包括在内部上设置有半月板（9）的内反应腔（8），其特征在于，该镀膜机还包括内反应腔盖（5），所述内反应腔盖（5）安装在所述内反应腔（8）顶部；/n在所述内反应腔盖（5）上转动贯穿有电机轴（3），而电机轴（3）一端固定在步进电机（2）的输出轴上，另一端与半月板（9）连接；其中，在靠近半月板（9）一侧的内反应腔盖（5）上开设有多片呈环形阵列分布的通孔片区（51），而通孔片区（51）是由多个呈阵列分布的连接孔组成；/n所述内反应腔盖（5）外接有前驱体源管道和氮气管道；/n在靠近所述内反应腔盖（5）一侧的半月板（9）上放置有多个呈环形分布的晶圆（91）。/n

【技术特征摘要】
1.一种改进型ALD镀膜机，包括在内部上设置有半月板（9）的内反应腔（8），其特征在于，该镀膜机还包括内反应腔盖（5），所述内反应腔盖（5）安装在所述内反应腔（8）顶部；
在所述内反应腔盖（5）上转动贯穿有电机轴（3），而电机轴（3）一端固定在步进电机（2）的输出轴上，另一端与半月板（9）连接；其中，在靠近半月板（9）一侧的内反应腔盖（5）上开设有多片呈环形阵列分布的通孔片区（51），而通孔片区（51）是由多个呈阵列分布的连接孔组成；
所述内反应腔盖（5）外接有前驱体源管道和氮气管道；
在靠近所述内反应腔盖（5）一侧的半月板（9）上放置有多个呈环形分布的晶圆（91）。


2.根据权利要求1所述的一种改进型ALD镀膜机，其特征在于，在所述内反应腔盖（5）中心位置处配合电机轴（3）开设有穿插孔。


3.根据权利要求1所述的一种改进型ALD镀膜机，其特征在于，所述通孔片区（51）在内反应腔盖（5）上开设有十二个，且呈环形阵列分布。


4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑锦，
申请(专利权)人：南京原磊纳米材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32