一种显著抑制俄歇复合的合金量子点及其制备和应用制造技术

本发明专利技术具体公开了一种显著抑制俄歇复合的合金层量子点(QDs)及其制备方法。合成过程中连续注入Cd、Zn、Se前驱体，利用原子具有不同的反应活性及原子扩散度的不同，合成了一种CdSe/Cd

An alloy quantum dot with significant inhibition of Auger recombination and its preparation and Application

【技术实现步骤摘要】
一种显著抑制俄歇复合的合金量子点及其制备和应用
本专利技术专利属于抑制QDs俄歇复合
，尤其涉及一种显著抑制俄歇复合的合金层量子点(QDs)及其制备方法。
技术介绍
在半导体中，俄歇复合是电子(e)和空穴(h)的复合能不以光子的形式释放，而是将能量转移给第三个电荷的非辐射衰变过程。在胶体量子点(QDs)中，由于其强的量子限域效应，俄歇复合过程更加显著，这就导致了经典QDs中双激子寿命在几～几百个ps量级。因QDs在应用中会不可避免的存在多载流子态，其极其快的俄歇复合过程极大的阻碍了QDs在光伏和光电装置中的高效应用，比如QDs激光(依赖于多激子态的光增益)，QDs太阳电池(取决于多激子产生的效率)。除了中性的多激子态，由于e和h注入或提取的速率存在差异，QDs中会产生带电激子(三体)，其俄歇复合会和光辐射或电荷转移过程竞争，均不利用相应器件性能的提高。这些中性多激子和带电激子的俄歇复合，因其对应带间的e-h复合而被归为带间(interband)俄歇过程。同时，QDs中另一个重要的俄歇过程是带内(intraband)俄歇复合，是指电子的带内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显著抑制俄歇复合的合金层量子点的制备方法，其特征在于：以直径为4.5nm的CdSe核(CdSe QD)为原料；/n0.3μmol CdSe QD的正己烷溶液与1mL TOP(三辛基膦)和4mL ODE(十八烯)混合，在50℃条件下抽气去除正己烷；然后将溶液温度升到300℃，同时在上述混合液中加入2mL 0.5MZn(OA)

【技术特征摘要】
1.一种显著抑制俄歇复合的合金层量子点的制备方法，其特征在于：以直径为4.5nm的CdSe核(CdSeQD)为原料；
0.3μmolCdSeQD的正己烷溶液与1mLTOP(三辛基膦)和4mLODE(十八烯)混合，在50℃条件下抽气去除正己烷；然后将溶液温度升到300℃，同时在上述混合液中加入2mL0.5MZn(OA)2(油酸锌)溶液；之后将2mL2MTOP-Se(Se溶解于TOP中),2mL0.5MCd(OA)2(油酸镉)和4mLODE的混合溶液以每小时3mL的速度(总反应时间为160min)连续注入反应混合物中；同时，在整个合成过程中，每间隔40分钟要加入上述2mLZn(OA)2溶液到混合反应液中，在反应时间内总共注入四次；反应结束后用乙醇降温至200℃，然后再用冰水浴冷却至室温即可得到合金层QDs；用乙醇和甲苯的混合液(体积比3:1)将反应得到的QDs纯化2-5次，重新分散在甲苯中，即制得所需合金层量子点(QDs)成品。


2.根据权利要求1所述方法，其特征在于：所述Zn...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴凯丰，王俊慧，丁韬，
申请(专利权)人：中国科学院大连化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：辽宁;21